Электрофизические характеристики МДП-структур на основе пентацена с диэлектриком SIO2 / В. А. Новиков [и др.]
// Известия вузов. Физика. - 2019. - Т. 62, № 1. - С. 79-87. - ISSN 0021-3411. - Режим доступа: https://elibrary.ru/contents.asp?id=36798231. - Библиогр.: с. 86-87 (38 назв. ). - рис.

Авторы: Новиков, В. А., Войцеховский, А. В., Несмелов, С. Н., Дзядух, С. М., Копылова, Т. Н., Дегтяренко, К. М., Черников, Е. В., Калыгина, В. М.

Аннотация: В широком диапазоне частот и температур экспериментально исследован адмиттанс МДП-структур на основе органических пленок пентацена, сформированных методом термовакуумного напыления на подложках из SiO[2] и SiO[2]/Ga[2]O[3]. Вольт-фарадные характеристики МДП-структур с диэлектриком SiO[2] практически не имеют гистерезиса. Показано, что при температурах 150-300 К в структурах формируется инверсионный слой при больших положительных смещениях. Концентрация дырок в пентацене, определенная из емкостных измерений, превышает 10{18} см{-3} и практически не зависит от температуры и частоты. Экспериментальные частотные зависимости адмиттанса МДП-структур с диэлектриком SiO[2] хорошо согласуются с результатами расчета при помощи метода эквивалентных схем. Для структур со слоем Ga[2]O[3] обнаружена отрицательная дифференциальная проводимость диэлектрика, что требует усложнения эквивалентной схемы. Показана возможность использования низкотемпературных измерений адмиттанса для исследования ловушек в объеме пленки пентацена.

Хлудков, С. С.
Электрические, структурные и магнитные свойства арсенида галлия, легированного железом / С. С. Хлудков, И. А. Прудаев, О. П. Толбанов
// Известия вузов. Физика. - 2018. - Т. 61, № 3. - С. 82-88. - ISSN 0021-3411. - Режим доступа: https://elibrary.ru/contents.asp?issueid=2199341. - Библиогр.: c. 87-88 (40 назв. ). - рис.

Авторы: Хлудков, С. С., Прудаев, И. А., Толбанов, О. П.

Аннотация: Систематизированы данные по электрическим, структурным и магнитным свойствам арсенида галлия, легированного железом и полученного разными методами. Рассмотрены условия получения структур с магнитными свойствами.

Ахундова, Н. М.
Электрическая проводимость и теплопроводность твердого раствора Sn[1-x]Mn[x]Te (0 > x > 0.04) / Н. М. Ахундова
// Известия вузов. Физика. - 2017. - Т. 60, № 9. - С. 114-117. - ISSN 0021-3411. - Режим доступа: https://elibrary.ru/contents.asp?issueid=1891045. - Библиогр.: c. 117 (7 назв. ). - табл.

Авторы: Ахундова, Н. М.

Аннотация: В интервале температур 77-300 К исследованы электрические и тепловые свойства монокристаллов Sn[1-x]Mn[x]Te (0 > x > 0. 04) с контактами из эвтектического сплава мас. %: 57Bi + 43Sn. Результаты показывают, что этот сплав с указанными монокристаллами образует омический контакт с достаточно низким контактным сопротивлением. Электронная теплопроводность в некоторых образцах достигает ~ 50 % от общей теплопроводности, и структурные дефекты вносят заметный вклад в тепловое сопротивление кристаллов.

Калмыков, Р. М.
Температурные и концентрационные зависимости электропроводности и термоЭДС соединения PbTe с примесями CdSe / Р. М. Калмыков, А. М. Кармоков
// Известия вузов. Физика. - 2018. - Т. 61, № 3. - С. 76-81. - ISSN 0021-3411. - Режим доступа: https://elibrary.ru/contents.asp?issueid=2199341. - Библиогр.: c. 81 (8 назв. ). - рис., табл.

Авторы: Калмыков, Р. М., Кармоков, А. М.

Аннотация: Проведены исследования изменения фазового состава, удельной электропроводности и коэффициента термоЭДС PbTe при малых добавках CdSe и установлена взаимосвязь между этими параметрами. Показано, что при минимальном значении параметра решетки образующихся новых фаз в матрице PbTe (при концентрации 0. 5 мол. %) имеют минимальное значение удельная электропроводность и коэффициент термоЭДС. Дальнейшее увеличение концентрации приводит к увеличению этих параметров. Изотермический отжиг образцов приводит к увеличению электропроводности и незначительному уменьшению термоЭДС.

Коханенко, А. П.
Сравнение процессов роста квантовых точек германия на поверхностях SI(100) и SI(111) / А. П. Коханенко, К. А. Лозовой, А. В. Войцеховский
// Известия вузов. Физика. - 2017. - Т. 60, № 11. - С. 20-27. - ISSN 0021-3411. - Режим доступа: https://elibrary.ru/contents.asp?issueid=1905261. - Библиогр.: c. 26-27 (38 назв. ). - рис.

Авторы: Коханенко, А. П., Лозовой, К. А., Войцеховский, А. В.

Аннотация: Проводится сравнительный анализ особенностей выращивания методом молекулярно-лучевой эпитаксии квантовых точек германия на поверхности кремния с различной кристаллографической ориентацией: Si (100) и Si (111), в том числе при наличии на поверхности олова в качестве сурфактанта. Рассчитываются изменение свободной энергии, активационный барьер нуклеации, критическая толщина перехода от двумерного к трехмерному росту, а также поверхностная плотность и функция распределения по размерам квантовых точек в этих системах.

Синтез эпитаксиальных пленок на базе материалов Ge-Si-Sn с гетеропереходами Ge/GeSn, Ge/GeSiSn, GeSn/GeSiSn / В. А. Тимофеев [и др.]
// Известия вузов. Физика. - 2015. - Т. 58, № 7. - С. 81-85. - ISSN 0021-3411. - Библиогр.: c. 85 (14 назв. ). - рис.

Авторы: Тимофеев, В. А., Коханенко, А. П., Никифоров, А. И., Машанов, В. И., Туктамышев, А. Р., Лошкарев, И. Д.

Аннотация: Представлены результаты исследований по синтезу гетероструктур на основе материалов Ge-Si-Sn методом низкотемпературной молекулярно-лучевой эпитаксии. Формирование эпитаксиальных пленок контролировалось с помощью дифракции быстрых электронов в процессе роста структур. Выращены пленки с гетеропереходами Ge/GeSn, Ge/GeSiSn, GeSn/GeSiSn при содержании Sn от 2 до 10 % в области температур 150-350 °С. Напряженное состояние, структура и параметр решетки изучены методом рентгеновской дифрактометрии с использованием кривых качания и карт обратного пространства. Получена деформация растяжения 0. 86 % в пленке Ge при росте структуры Ge/Ge 0. 9Sn 0. 1/Si.

Свойства пленок оксида галлия, полученных ВЧ-магнетронным напылением / Т. З. Лыгденова [и др.]
// Известия вузов. Физика. - 2017. - Т. 60, № 11. - С. 56-60. - ISSN 0021-3411. - Режим доступа: https://elibrary.ru/contents.asp?issueid=1905261. - Библиогр.: c. 60 (4 назв. ). - рис.

Авторы: Лыгденова, Т. З., Калыгина, В. М., Новиков, В. А., Прудаев, И. А., Толбанов, О. П., Тяжев, А. В.

Аннотация: Представлены результаты анализа структуры и фазового состава пленок оксида галлия, полученных ВЧ-магнетронным напылением. Показано, что в интервале 290-350 К рост проводимости пленок с повышением температуры обусловлен возбуждением электронов с локального уровня Еt, расположенного на 0. 95 эВ ниже дна зоны проводимости.

Рост эпитаксиальных пленок SiSn с высоким содержанием Sn для преобразователей в ИК-области / В. А. Тимофеев [и др.]
// Известия вузов. Физика. - 2017. - Т. 60, № 2. - С. 135-140. - ISSN 0021-3411. - Режим доступа: https://elibrary.ru/contents.asp?issueid=1814471. - Библиогр.: c. 139-140 (24 назв. ). - рис., табл.

Авторы: Тимофеев, В. А., Никифоров, А. И., Коханенко, А. П., Туктамышев, А. Р., Машанов, В. И., Лошкарев, И. Д., Новиков, В. А.

Аннотация: Проведены исследования роста соединений SiSn с содержанием Sn от 10 до 35 %. Изучена морфология и структура поверхности слоев SiSn, а также установлена кинетическая диаграмма морфологического состояния пленок SiSn в диапазоне температур 150-450 °С. При росте пленок SiSn от 150 до 300 °С наблюдались осцилляции зеркального рефлекса. Впервые выращены многослойные периодические структуры SiSn/Si с псевдоморфными монокристаллическими слоями SiSn с содержанием Sn от 10 до 25 %. Выявлены сверхструктуры c (8 *4) и (5 *1) при росте Si на слое SiSn и определены условия формирования желаемой структуры поверхности Si путем контроля температуры роста. Из кривых дифракционного отражения определен параметр решетки, состав SiSn и период в многослойной периодической структуре, которые с высокой точностью соответствуют заданным значениям.

Войцеховский, А. В.
Особенности моделирования частотных зависимостей адмиттанса МДП-структуры на основе органической пленки P3HT c диэлектрическим слоем Al[2]O[3] / А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух
// Известия вузов. Физика. - 2018. - Т. 61, № 11. - С. 162-169. - ISSN 0021-3411. - Режим доступа: https://elibrary.ru/contents.asp?titleid=36517043. - Библиогр.: с. 168 (36 назв. ). - рис.

Авторы: Войцеховский, А. В., Несмелов, С. Н., Дзядух, С. М.

Аннотация: Для режимов обеднения и обогащения предложены эквивалентные схемы МДП-структуры на основе органической тонкой пленки (P3HT) с диэлектриком Al[2]O[3]. Проведено моделирование частотных зависимостей емкости и проводимости органической МДП-структуры при температуре 300 К в диапазоне частот 20 Гц - 2 МГц. Показано, что измеряемые значения емкости и проводимости существенно зависят от толщины диэлектрического слоя, толщины и удельной проводимости органической пленки, параметров поверхностных ловушек, частоты и напряжения смещения. Описаны способы определения значений основных элементов эквивалентной схемы для корректной характеризации ловушек на границе раздела неорганический диэлектрик - органическая пленка.

Абдинов, А. Ш.
Особенности кинетических коэффициентов монокристаллов слоистого полупроводника р-GaSe / А. Ш. Абдинов, Р. Ф. Бабаева
// Известия вузов. Физика. - 2018. - Т. 61, № 9. - С. 102-107. - ISSN 0021-3411. - Режим доступа: https://elibrary.ru/contents.asp?titleid=7725. - Библиогр.: с. 107 (25 назв. ). - рис.

Авторы: Абдинов, А. Ш., Бабаева, Р. Ф.

Аннотация: Исследованы зависимости кинетических коэффициентов, а именно коэффициента Холла, удельной электропроводности, подвижности носителей заряда от температуры, напряженности электрического поля и легирования редкоземельными элементами в монокристаллах селенида галлия p-типа проводимости. Установлено, что в области низких температур эти зависимости обладают особенностью, обусловленной наличием случайных макроскопических дефектов в исследуемых образцах. При малой степени легирования Gd и Er в различных монокристаллах р-GaSe наблюдается немонотонная зависимость подвижности и удельной электропроводимости от содержания вводимой примеси.

Образование дислокаций в процессе диффузии примесей в GaAs / С. С. Хлудков, И. А. Прудаев, О. П. Толбанов, И. В. Ивонин. - Текст : непосредственный
// Известия вузов. Физика. - 2021. - Т. 64, № 12. - С. 160-165. - ISSN 0021-3411. - Библиогр.: с. 165 (19 назв. ).

Авторы: Хлудков, С. С., Прудаев, И. А., Толбанов, О. П., Ивонин, И. В.

Аннотация: Проведено исследование образования дислокаций в процессе диффузии примесей в GaAs. Изучено образование дислокаций в диффузионных слоях GaAs, легированных разными примесями (элементами II, IV, VI групп и переходными элементами), в зависимости от условий проведения диффузии. Показано, что в процессе диффузии примесей в диффузионных слоях GaAs происходит образование дислокаций, плотность которых в слоях, легированных до предельных поверхностных концентраций, может достигать 10{8} см{-2}. По мере уменьшения поверхностной концентрации диффундирующей примеси происходит уменьшение плотности дислокаций. Определены условия проведения диффузии, при которых дополнительные дислокации не образуются. На основании сопоставления полученных экспериментальных данных и результатов проведенного расчета сделан вывод о том, что образование дислокаций при диффузии примесей в GaAs обусловлено градиентом концентрации примеси.

Концентрация электронов в приповерхностном варизонном слое МЛЭ [n-]Hg[1-x]Cd[x]Te (x=0.22-0.40), определенная из емкостных измерений МДП-структур / А. В. Войцеховский [и др.]
// Известия вузов. Физика. - 2017. - Т. 60, № 1. - С. 109-118. - ISSN 0021-3411. - Режим доступа: https://elibrary.ru/contents.asp?issueid=1770076. - Библиогр.: c. 117-118 (29 назв. ). - рис., табл.

Авторы: Войцеховский, А. В., Несмелов, С. Н., Дзядух, С. М., Григорьев, Д. В., Ляпунов, Д. В.

Аннотация: В диапазоне температур 9-77 К экспериментально исследованы вольт-фарадные характеристики (ВФХ) МДП-структур на основе варизонного [n-]Hg[1-x]Cd[x]Te (x=0. 22-0. 40), выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии. По значению емкости в минимуме ВФХ определены концентрации основных носителей заряда в приповерхностном слое полупроводника вследствие высокочастотного вида емкостных характеристик структур с варизонным слоем относительно времени перезарядки поверхностных состояний. Концентрация электронов в приповерхностном слое варизонного [n-]Hg[1-x]Cd[x]Te при x = 0. 22-0. 23 в рабочем слое, найденная по значению емкости в минимуме, значительно превышает интегральную концентрацию электронов, определенную методом Холла. При увеличении состава в рабочем слое до x = 0. 30-0. 40 различие значений концентраций электронов существенно уменьшается при близких составах вблизи поверхности. Полученные результаты объясняются возникновением дополнительных собственных дефектов донорного типа в приповерхностном варизонном слое, причем этот эффект наиболее ярко проявляется при больших градиентах состава в варизонном слое. Результаты обработки экспериментальных ВФХ качественно согласуются с результатами исследования методом Холла распределения по толщине пленки концентрации электронов.

Имитационное моделирование воздействия лазерного излучения на InSb-матричный фотоприемник в пакете программ ЛОГОС / Сахаров М. В., Средин В. Г., Запонов А. Э., Конради Д. С. - Текст : электронный
// Известия вузов. Физика. - 2019. - Т. 62, № 9. - С. 117-122. - ISSN 0021-3411. - Режим доступа: https://www.elibrary.ru/contents.asp?titleid=7725. - Библиогр.: с. 122 (12 назв. ).

Авторы: Сахаров, М. В., Средин, В. Г., Запонов, А. Э., Конради, Д. С.

Аннотация: Работа посвящена моделированию закономерностей формирования и эволюции температурных полей в объеме InSb-матричного фотоприемника в условиях воздействия интенсивного лазерного излучения, накрывающего часть его поверхности. С этой целью используется имитационная модель, разработанная в пакете программ инженерного анализа и суперкомпьютерного моделирования ЛОГОС, позволяющая прогнозировать последствия такого воздействия на основе анализа пространственной и временной структуры возникающего температурного поля. Приводится описание имитационной модели и анализ результатов вычислительных экспериментов, полученных с её использованием.

Гаджиалиев, М. М.
Время релаксации электронов в InAs / М. М. Гаджиалиев, З. Ш. Пирмагомедов, Т. Н. Эфендиева
// Известия вузов. Физика. - 2017. - Т. 60, № 12. - С. 172-173. - ISSN 0021-3411. - Режим доступа: https://elibrary.ru/contents.asp?issueid=1908340. - Библиогр.: c. 173 (3 назв. ). - рис.

Авторы: Гаджиалиев, М. М., Пирмагомедов, З. Ш., Эфендиева, Т. Н.

Аннотация: Вычисление времени релаксации электронов в арсенида индия. Определен характер зависимости от термоЭДС, от поперечного магнитного поля в широкой области температур.

Влияние импульсного объемного наносекундного разряда в воздухе атмосферного давления на электрофизические свойства МДП-структур на основе p-HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии / А. В. Войцеховский [и др.]
// Известия вузов. Физика. - 2015. - Т. 58, № 7. - С. 86-93. - ISSN 0021-3411. - Библиогр.: c. 92-93 (17 назв. ). - рис., табл.

Авторы: Войцеховский, А. В., Несмелов, С. Н., Дзядух, С. М., Григорьев, Д. В., Тарасенко, В. Ф., Шулепов, М. А.

Аннотация: Экспериментально исследовано влияние импульсного объемного наносекундного разряда в воздухе атмосферного давления на адмиттанс МДП-структур на основе варизонного МЛЭ p-Hg_0. 78Cd_0. 22Te в широком диапазоне частот и температур. Показано, что воздействие разрядом приводит к значительным изменениям электрофизических характеристик МДП-структур, которые заключаются в увеличении плотности положительного фиксированного заряда, изменению характера гистерезиса вольт-фарадных характеристик, увеличению плотности поверхностных состояний. Возможной причиной изменения характеристик МДП-структур после воздействия является существенная перестройка примесно-дефектной системы полупроводника вблизи границы раздела.

Тагиев, М. М.
Анизотропия электрических свойств экструдированных образцов твердого раствора [0.85]Sb[0.15] / М. М. Тагиев
// Известия вузов. Физика. - 2017. - Т. 60, № 10. - С. 131-134. - ISSN 0021-3411. - Режим доступа: https://elibrary.ru/contents.asp?issueid=1898279. - Библиогр.: c. 134 (9 назв. ).

Авторы: Тагиев, М. М.

Аннотация: Образование текстуры в экструдированных образцах твердых растворов Bi[0. 85]Sb[0. 15] приводит к анизотропии термоэлектрических свойств. При этом в экструдированных образцах, не прошедших термообработку, в отсутствие магнитного поля электропроводность при ~ 77 и ~ 300 К в направлении, перпендикулярном оси экструзии, выше, чем в направлении, параллельном оси экструзии. После термообработки это соотношение изменяется на обратное, т. е. анизотропия электропроводности меняет свой знак.

Адмиттанс МДП-структур на основе HgCdTe с двухслойным диэлектриком CdTe/Al[2]O[3] / С. М. Дзядух [и др.]
// Известия вузов. Физика. - 2017. - Т. 60, № 11. - С. 3-12. - ISSN 0021-3411. - Режим доступа: https://elibrary.ru/contents.asp?issueid=1905261. - Библиогр.: c. 11-12 (15 назв. ). - рис., табл.

Авторы: Дзядух, С. М., Войцеховский, А. В., Несмелов, С. Н., Сидоров, Г. Ю., Варавин, В. С., Васильев, В. В., Дворецкий, С. А., Михайлов, Н. Н., Якушев, М. В.

Аннотация: Экспериментально исследован адмиттанс МДП-структур на основе n (p) -Hg[1-x]Cd[x]Te (при x от 0. 22 до 0. 40) с диэлектриками SiO[2]/Si[3]N[4], Al[2]O[3] и CdTe/Al[2]O[3] при температуре 77 К. Выращивание в процессе эпитаксии промежуточного слоя CdTe приводит при малом диапазоне изменения напряжения к практически полному исчезновению гистерезиса электрофизических характеристик МДП-структур на основе варизонного n-HgCdTe. При большом диапазоне изменения напряжения гистерезис вольт-фарадных характеристик для МДП-структур на основе n-HgCdTe с диэлектриком CdTe/Al[2]O[3] появляется, но механизм гистерезиса отличается от такового для однослойного диэлектрика Al[2]O[3]. Для МДП-структур на основе p-HgCdTe введение дополнительного слоя CdTe не приводит к значительному уменьшению гистерезисных явлений, что может быть связано с деградацией свойств границы раздела при выходе ртути из пленки в результате низкотемпературного отжига, изменяющего тип проводимости полупроводника.