| Найдено документов - 1 | Источник: Рост эпитаксиальных пленок SiSn с высоким содержанием Sn для преобразователей в ИК-области / В. А. Тимофеев [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2017. - Т. 60, № 2. - С. 135-140. - ISSN 0021-34... | Версия для печати |
Сортировать по:
1. Номер журнала
Известия высших учебных заведений. Физика : научный журнал. № 2 / учредители: Министерство образования и науки Российской Федерации. - Томск, 2017. - 12 выпусков в год. - ISSN 0021-3411. - Текст : электронный.
Рубрики: Физика - Периодические издания электронные
Экземпляры: Всего: 1, из них:
Доступ по URL () - свободно 1 из 1
Доступ по URL () - свободно 1 из 1