Электрофизические характеристики МДП-структур на основе пентацена с диэлектриком SIO2 / В. А. Новиков [и др.]
// Известия вузов. Физика. - 2019. - Т. 62, № 1. - С. 79-87. - ISSN 0021-3411. - Режим доступа: https://elibrary.ru/contents.asp?id=36798231. - Библиогр.: с. 86-87 (38 назв. ). - рис.

Авторы: Новиков, В. А., Войцеховский, А. В., Несмелов, С. Н., Дзядух, С. М., Копылова, Т. Н., Дегтяренко, К. М., Черников, Е. В., Калыгина, В. М.

Аннотация: В широком диапазоне частот и температур экспериментально исследован адмиттанс МДП-структур на основе органических пленок пентацена, сформированных методом термовакуумного напыления на подложках из SiO[2] и SiO[2]/Ga[2]O[3]. Вольт-фарадные характеристики МДП-структур с диэлектриком SiO[2] практически не имеют гистерезиса. Показано, что при температурах 150-300 К в структурах формируется инверсионный слой при больших положительных смещениях. Концентрация дырок в пентацене, определенная из емкостных измерений, превышает 10{18} см{-3} и практически не зависит от температуры и частоты. Экспериментальные частотные зависимости адмиттанса МДП-структур с диэлектриком SiO[2] хорошо согласуются с результатами расчета при помощи метода эквивалентных схем. Для структур со слоем Ga[2]O[3] обнаружена отрицательная дифференциальная проводимость диэлектрика, что требует усложнения эквивалентной схемы. Показана возможность использования низкотемпературных измерений адмиттанса для исследования ловушек в объеме пленки пентацена.

Хлудков, С. С.
Электрические, структурные и магнитные свойства арсенида галлия, легированного железом / С. С. Хлудков, И. А. Прудаев, О. П. Толбанов
// Известия вузов. Физика. - 2018. - Т. 61, № 3. - С. 82-88. - ISSN 0021-3411. - Режим доступа: https://elibrary.ru/contents.asp?issueid=2199341. - Библиогр.: c. 87-88 (40 назв. ). - рис.

Авторы: Хлудков, С. С., Прудаев, И. А., Толбанов, О. П.

Аннотация: Систематизированы данные по электрическим, структурным и магнитным свойствам арсенида галлия, легированного железом и полученного разными методами. Рассмотрены условия получения структур с магнитными свойствами.

Ахундова, Н. М.
Электрическая проводимость и теплопроводность твердого раствора Sn[1-x]Mn[x]Te (0 > x > 0.04) / Н. М. Ахундова
// Известия вузов. Физика. - 2017. - Т. 60, № 9. - С. 114-117. - ISSN 0021-3411. - Режим доступа: https://elibrary.ru/contents.asp?issueid=1891045. - Библиогр.: c. 117 (7 назв. ). - табл.

Авторы: Ахундова, Н. М.

Аннотация: В интервале температур 77-300 К исследованы электрические и тепловые свойства монокристаллов Sn[1-x]Mn[x]Te (0 > x > 0. 04) с контактами из эвтектического сплава мас. %: 57Bi + 43Sn. Результаты показывают, что этот сплав с указанными монокристаллами образует омический контакт с достаточно низким контактным сопротивлением. Электронная теплопроводность в некоторых образцах достигает ~ 50 % от общей теплопроводности, и структурные дефекты вносят заметный вклад в тепловое сопротивление кристаллов.

Авербух, Б. Б.
Формирование отраженной и преломленной S-поляризованных электромагнитных волн в задаче Френеля с точки зрения молекулярной оптики / Б. Б. Авербух, И. Б. Авербух
// Известия вузов. Физика. - 2015. - Т. 58, № 12. - С. 83-88. - ISSN 0021-3411. - Библиогр.: c. 88 (15 назв. ).

Авторы: Авербух, Б. Б., Авербух, И. Б.

Аннотация: Рассеивающие элементы среды - точечные диполи. Среда состоит из плоскопараллельных дипольных монослоев, воздействующих друг на друга. Поле диполя учитывается полностью. Рассчитаны поля внутри среды и отраженное. Подробно рассмотрена теорема погашения. Выяснен механизм поворота вектора магнитного поля при преломлении. Выяснена причина отсутствия в обычно используемых граничных условиях выражения для четвертой волны, распространяющейся из среды к границе. Показано, что междипольное взаимодействие в пределах одного монослоя приводит к появлению пространственных гармоник в распространяющемся вперед излучении.

Фазовые превращения в смешанном литий-магниевом имиде Li[2]Mg(NH)[2] / З. А. Матысина [и др.]
// Известия вузов. Физика. - 2018. - Т. 61, № 12. - С. 90-96. - ISSN 0021-3411. - Режим доступа: https://elibrary.ru/contents.asp?titleid=36651295. - Библиогр.: с. 96 (12 назв. ). - рис.

Авторы: Матысина, З. А., Загинайченко, С. Ю., Щур, Д. В., Золотаренко, А. Д., Золотаренко, А. Д., Габдулин, М. Т., Копылова, Л. И., Шапошникова, Т. И.

Аннотация: Разработана статистическая теория структурных фазовых превращений в имиде Li[2]Mg (NH) [2], рассчитаны свободные энергии трех фаз альфа, вета, гамма имида. Установлена диаграмма состояния. Исследованы изотермы, изобары, изоплеты. Показана возможность проявления гистерезисного эффекта для альфа- и бета-фаз. Результаты расчетов сопоставлены с экспериментальными данными.

Ток увлечения фотонами в теллуре дырочной проводимости / Р. Я. Расулов [и др.]
// Известия вузов. Физика. - 2019. - Т. 62, № 6. - С. 144-150. - ISSN 0021-3411. - Режим доступа: https://elibrary.ru/contents.asp?titleid=7725. - Библиогр.: с. 150 (15 назв. ).

Авторы: Расулов, Р. Я., Расулов, В. Р., Эшболтаев, И., Мамадалиева, Н. З.

Аннотация: Рассчитана спектральная и температурная зависимость коэффициента поглощения и тока эффекта фотонного увлечения в теллуре дырочной проводимости при освещении его линейно-поляризованным светом. При этом учтен импульс фотона как в законе сохранения энергии, так и в матричном элементе оптического перехода между подзонами валентной зоны теллура. Расчет фототока проведен в приближении времени релаксации импульса дырок.

Калмыков, Р. М.
Температурные и концентрационные зависимости электропроводности и термоЭДС соединения PbTe с примесями CdSe / Р. М. Калмыков, А. М. Кармоков
// Известия вузов. Физика. - 2018. - Т. 61, № 3. - С. 76-81. - ISSN 0021-3411. - Режим доступа: https://elibrary.ru/contents.asp?issueid=2199341. - Библиогр.: c. 81 (8 назв. ). - рис., табл.

Авторы: Калмыков, Р. М., Кармоков, А. М.

Аннотация: Проведены исследования изменения фазового состава, удельной электропроводности и коэффициента термоЭДС PbTe при малых добавках CdSe и установлена взаимосвязь между этими параметрами. Показано, что при минимальном значении параметра решетки образующихся новых фаз в матрице PbTe (при концентрации 0. 5 мол. %) имеют минимальное значение удельная электропроводность и коэффициент термоЭДС. Дальнейшее увеличение концентрации приводит к увеличению этих параметров. Изотермический отжиг образцов приводит к увеличению электропроводности и незначительному уменьшению термоЭДС.

Вагнер, Д. В.
Структура, магнитные характеристики и электромагнитный отклик гексагональных ферримагнетиков Y-типа и композиционных материалов на их основе / Д. В. Вагнер, О. А. Доценко, В. А. Журавлев
// Известия вузов. Физика. - 2019. - Т. 62, № 4. - С. 21-28. - ISSN 0021-3411. - Режим доступа: https://elibrary.ru/contents.asp?titleid=7725. - Библиогр.: с. 28 (20 назв. ).

Авторы: Вагнер, Д. В., Доценко, О. А., Журавлев, В. А.

Аннотация: Приведены результаты исследования фазового состава, морфологии, магнитных и электромагнитных характеристик оксидных гексагональных ферримагнетиков с Y-структурой состава Ba[2]Ni[2-x] Cu [x] Fe[12]O[22] ( x = 0. 4, 1. 0, 1. 2) и композитов на их основе. Гексаферриты синтезированы стандартным керамическим методом. Поля магнитокристаллической анизотропии изготовленных материалов измерены методом ферромагнитного резонанса. В микроволновом диапазоне исследованы спектры магнитной и диэлектрической проницаемости и частотные зависимости коэффициентов отражения композиционных материалов. Показано, что данные материалы перспективны для изготовления радиопоглощающих материалов и покрытий в диапазоне частот 3. 5-12. 2 ГГц.

Коханенко, А. П.
Сравнение процессов роста квантовых точек германия на поверхностях SI(100) и SI(111) / А. П. Коханенко, К. А. Лозовой, А. В. Войцеховский
// Известия вузов. Физика. - 2017. - Т. 60, № 11. - С. 20-27. - ISSN 0021-3411. - Режим доступа: https://elibrary.ru/contents.asp?issueid=1905261. - Библиогр.: c. 26-27 (38 назв. ). - рис.

Авторы: Коханенко, А. П., Лозовой, К. А., Войцеховский, А. В.

Аннотация: Проводится сравнительный анализ особенностей выращивания методом молекулярно-лучевой эпитаксии квантовых точек германия на поверхности кремния с различной кристаллографической ориентацией: Si (100) и Si (111), в том числе при наличии на поверхности олова в качестве сурфактанта. Рассчитываются изменение свободной энергии, активационный барьер нуклеации, критическая толщина перехода от двумерного к трехмерному росту, а также поверхностная плотность и функция распределения по размерам квантовых точек в этих системах.

Синтез, структура и электромагнитные свойства нанокомпозитов с трехкомпонентными наночастицами Fe, Со, Ni / Д. Г. Муратов [и др.]
// Известия вузов. Физика. - 2018. - Т. 61, № 10. - С. 40-49. - ISSN 0021-3411. - Режим доступа: https://elibrary.ru/contents.asp?titleid=36517011. - Библиогр.: с. 48-49 (24 назв. ). - рис., табл.

Авторы: Муратов, Д. Г., Котов, Л. В., Коровушкин, В. В., Коровин, Е. Ю., Попкова, А. В., Новоторцев, В. М.

Аннотация: Под действием ИК-нагрева синтезированы нанокомпозиты FeCoNi/С, в которых наночастицы тройного сплава FeCoNi стабилизированы и равномерно распределены в объеме углеродной матрицы. Изучено влияние температуры синтеза и процентного соотношения металлов между собой на структуру, состав и электромагнитные свойства. С помощью РФА и мессбауэровской спектроскопии показано, что с ростом температуры синтеза и концентрации железа могут формироваться наночастицы тройного сплава с различным составом и типом кристаллической решетки. С помощью резонаторного метода изучены частотные зависимости относительных комплексных диэлектрической и магнитной проницаемостей нанокомпозитов в диапазоне 3-12 ГГц. Расчеты коэффициента отражения по экспериментальным данным проницаемостей показали, что путем варьирования температуры синтеза и процентного соотношения металлов между собой можно управлять частотным диапазоном эффективного поглощения ЭМ-волн. Установлено, что рост относительного содержания железа от 33 до 50 отн. % приводит к смещению полосы минимального коэффициента отражения ЭМ-волн от f ~ 12{+} ГГц к частоте f ~ 6 ГГц при идентичной толщине поглотителя.

Синтез эпитаксиальных пленок на базе материалов Ge-Si-Sn с гетеропереходами Ge/GeSn, Ge/GeSiSn, GeSn/GeSiSn / В. А. Тимофеев [и др.]
// Известия вузов. Физика. - 2015. - Т. 58, № 7. - С. 81-85. - ISSN 0021-3411. - Библиогр.: c. 85 (14 назв. ). - рис.

Авторы: Тимофеев, В. А., Коханенко, А. П., Никифоров, А. И., Машанов, В. И., Туктамышев, А. Р., Лошкарев, И. Д.

Аннотация: Представлены результаты исследований по синтезу гетероструктур на основе материалов Ge-Si-Sn методом низкотемпературной молекулярно-лучевой эпитаксии. Формирование эпитаксиальных пленок контролировалось с помощью дифракции быстрых электронов в процессе роста структур. Выращены пленки с гетеропереходами Ge/GeSn, Ge/GeSiSn, GeSn/GeSiSn при содержании Sn от 2 до 10 % в области температур 150-350 °С. Напряженное состояние, структура и параметр решетки изучены методом рентгеновской дифрактометрии с использованием кривых качания и карт обратного пространства. Получена деформация растяжения 0. 86 % в пленке Ge при росте структуры Ge/Ge 0. 9Sn 0. 1/Si.

Ефимов, С. П.
Связь аномального магнитного момента электрона с массами протона и нейтрона / С. П. Ефимов. - Текст : электронный
// Известия вузов. Физика. - 2021. - Т. 64, № 6. - С. 16-20. - ISSN 0021-3411. - URL: https://www.elibrary.ru/contents.asp?id=46251599. - Библиогр.: с. 20 (14 назв. ).

Авторы: Ефимов, С. П.

Аннотация: Аномальный магнитный момент электрона рассчитан с помощью введения параметра - эффективной массы виртуальной части структуры электрона. В этом случае аномальный момент обратно пропорционален эффективной массе M[eff], которая, как показано, есть линейная комбинация массы нейтрона, протона и массы электростатического поля электрона. Спин вращающейся структуры предполагается равным 3/2, в то время как спин "голого" электрона равен единице, давая суммарный спин 1/2. Простой анализ дает коэффициенты v2 и е 1v2 для линейной комбинации масс протона и электрона. Точность аппроксимации при этом - девять верных знаков после запятой. Слагаемое, пропорциональное а{2}, улучшает результат еще на четыре знака. Таким образом, концепция эффективной массы M[eff] приводит к формуле для полного магнитного момента электрона, которая имеет точность тринадцать верных знаков. Обсуждаются ассоциация с виртуальной реакцией b-распада и возможные причины простоты найденной формулы.

Свойства пленок оксида галлия, полученных ВЧ-магнетронным напылением / Т. З. Лыгденова [и др.]
// Известия вузов. Физика. - 2017. - Т. 60, № 11. - С. 56-60. - ISSN 0021-3411. - Режим доступа: https://elibrary.ru/contents.asp?issueid=1905261. - Библиогр.: c. 60 (4 назв. ). - рис.

Авторы: Лыгденова, Т. З., Калыгина, В. М., Новиков, В. А., Прудаев, И. А., Толбанов, О. П., Тяжев, А. В.

Аннотация: Представлены результаты анализа структуры и фазового состава пленок оксида галлия, полученных ВЧ-магнетронным напылением. Показано, что в интервале 290-350 К рост проводимости пленок с повышением температуры обусловлен возбуждением электронов с локального уровня Еt, расположенного на 0. 95 эВ ниже дна зоны проводимости.

Рост эпитаксиальных пленок SiSn с высоким содержанием Sn для преобразователей в ИК-области / В. А. Тимофеев [и др.]
// Известия вузов. Физика. - 2017. - Т. 60, № 2. - С. 135-140. - ISSN 0021-3411. - Режим доступа: https://elibrary.ru/contents.asp?issueid=1814471. - Библиогр.: c. 139-140 (24 назв. ). - рис., табл.

Авторы: Тимофеев, В. А., Никифоров, А. И., Коханенко, А. П., Туктамышев, А. Р., Машанов, В. И., Лошкарев, И. Д., Новиков, В. А.

Аннотация: Проведены исследования роста соединений SiSn с содержанием Sn от 10 до 35 %. Изучена морфология и структура поверхности слоев SiSn, а также установлена кинетическая диаграмма морфологического состояния пленок SiSn в диапазоне температур 150-450 °С. При росте пленок SiSn от 150 до 300 °С наблюдались осцилляции зеркального рефлекса. Впервые выращены многослойные периодические структуры SiSn/Si с псевдоморфными монокристаллическими слоями SiSn с содержанием Sn от 10 до 25 %. Выявлены сверхструктуры c (8 *4) и (5 *1) при росте Si на слое SiSn и определены условия формирования желаемой структуры поверхности Si путем контроля температуры роста. Из кривых дифракционного отражения определен параметр решетки, состав SiSn и период в многослойной периодической структуре, которые с высокой точностью соответствуют заданным значениям.

Получение и свойства ферромагнитного нитрида алюминия, легированного немагнитными примесями / С. С. Хлудков, И. А. Прудаев, Л. О. Роот [и др.]. - Текст : электронный
// Известия вузов. Физика. - 2022. - Т. 65, № 6. - С. 3-16. - ISSN 0021-3411. - Библиогр.: с. 16 (75 назв. ).

Авторы: Хлудков, С. С., Прудаев, И. А., Роот, Л. О., Толбанов, О. П., Ивонин, И. В.

Аннотация: Представлен обзор литературы по легированию AlN немагнитными примесями (элементами I, II, III и IV групп обеих подгрупп и редкоземельными элементами), придающими ему ферромагнитные свойства. Детально рассмотрены магнитные и электрические свойства AlN. По данным теоретических и экспериментальных исследований, AlN, легированный немагнитными примесями, обладает ферромагнитными свойствами при температуре выше комнатной и является материалом, перспективным для спинтроники.

Особенности формирования зонной структуры кристаллов Cu_2O и Ag_2O со структурой куприта / Е. С. Заречина [и др.]
// Известия вузов. Физика. - 2015. - Т. 58, № 4. - С. 127-134. - ISSN 0021-3411. - Библиогр.: c. 133-134 (33 назв. ). - рис., табл.

Авторы: Заречина, Е. С., Каржавых, Д. С., Кравченко, Н. Г., Николаева, Е. В., Поплавной, А. С.

Аннотация: В рамках теории функционала плотности в псевдопотенциальном и полноэлектронном вариантах выполнены вычисления зонной структуры, полной и парциальной плотностей состояний, зарядов на узлах решетки кристаллов Cu_2O и Ag_2O в структуре куприта. Оба варианта расчета приводят к близким зонным спектрам, достаточно хорошо согласуются с имеющимися экспериментальными и теоретическими данными, полноэлектронный расчет приводит к лучшему согласию вычисленных ширин запрещенных зон с экспериментом. Установлен генезис зонных спектров кристаллов из состояний их подрешеток, показано, что топологические особенности кристаллических спектров типа вырождений и квазивырождений обусловлены свертыванием спектров подрешеток в зону Бриллюэна кристалла. Заниженные значения ширин разрешенных валентных зон подрешеток относительно кристаллических обусловлены значительным гибридизационным взаимодействием подрешеток.

Войцеховский, А. В.
Особенности моделирования частотных зависимостей адмиттанса МДП-структуры на основе органической пленки P3HT c диэлектрическим слоем Al[2]O[3] / А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух
// Известия вузов. Физика. - 2018. - Т. 61, № 11. - С. 162-169. - ISSN 0021-3411. - Режим доступа: https://elibrary.ru/contents.asp?titleid=36517043. - Библиогр.: с. 168 (36 назв. ). - рис.

Авторы: Войцеховский, А. В., Несмелов, С. Н., Дзядух, С. М.

Аннотация: Для режимов обеднения и обогащения предложены эквивалентные схемы МДП-структуры на основе органической тонкой пленки (P3HT) с диэлектриком Al[2]O[3]. Проведено моделирование частотных зависимостей емкости и проводимости органической МДП-структуры при температуре 300 К в диапазоне частот 20 Гц - 2 МГц. Показано, что измеряемые значения емкости и проводимости существенно зависят от толщины диэлектрического слоя, толщины и удельной проводимости органической пленки, параметров поверхностных ловушек, частоты и напряжения смещения. Описаны способы определения значений основных элементов эквивалентной схемы для корректной характеризации ловушек на границе раздела неорганический диэлектрик - органическая пленка.

Абдинов, А. Ш.
Особенности кинетических коэффициентов монокристаллов слоистого полупроводника р-GaSe / А. Ш. Абдинов, Р. Ф. Бабаева
// Известия вузов. Физика. - 2018. - Т. 61, № 9. - С. 102-107. - ISSN 0021-3411. - Режим доступа: https://elibrary.ru/contents.asp?titleid=7725. - Библиогр.: с. 107 (25 назв. ). - рис.

Авторы: Абдинов, А. Ш., Бабаева, Р. Ф.

Аннотация: Исследованы зависимости кинетических коэффициентов, а именно коэффициента Холла, удельной электропроводности, подвижности носителей заряда от температуры, напряженности электрического поля и легирования редкоземельными элементами в монокристаллах селенида галлия p-типа проводимости. Установлено, что в области низких температур эти зависимости обладают особенностью, обусловленной наличием случайных макроскопических дефектов в исследуемых образцах. При малой степени легирования Gd и Er в различных монокристаллах р-GaSe наблюдается немонотонная зависимость подвижности и удельной электропроводимости от содержания вводимой примеси.

Образование дислокаций в процессе диффузии примесей в GaAs / С. С. Хлудков, И. А. Прудаев, О. П. Толбанов, И. В. Ивонин. - Текст : непосредственный
// Известия вузов. Физика. - 2021. - Т. 64, № 12. - С. 160-165. - ISSN 0021-3411. - Библиогр.: с. 165 (19 назв. ).

Авторы: Хлудков, С. С., Прудаев, И. А., Толбанов, О. П., Ивонин, И. В.

Аннотация: Проведено исследование образования дислокаций в процессе диффузии примесей в GaAs. Изучено образование дислокаций в диффузионных слоях GaAs, легированных разными примесями (элементами II, IV, VI групп и переходными элементами), в зависимости от условий проведения диффузии. Показано, что в процессе диффузии примесей в диффузионных слоях GaAs происходит образование дислокаций, плотность которых в слоях, легированных до предельных поверхностных концентраций, может достигать 10{8} см{-2}. По мере уменьшения поверхностной концентрации диффундирующей примеси происходит уменьшение плотности дислокаций. Определены условия проведения диффузии, при которых дополнительные дислокации не образуются. На основании сопоставления полученных экспериментальных данных и результатов проведенного расчета сделан вывод о том, что образование дислокаций при диффузии примесей в GaAs обусловлено градиентом концентрации примеси.

Егоров, В. Н.
Новый подход к расчету двойного коаксиального резонатора с укорачивающей емкостью / В. Н. Егоров, Ле Куанг Туен. - Текст : электронный
// Известия вузов. Физика. - 2021. - Т. 64, № 6. - С. 164-169. - ISSN 0021-3411. - URL: https://www.elibrary.ru/contents.asp?id=46251599. - Библиогр.: с. 169 (10 назв. ).

Авторы: Егоров, В. Н., Ле Куанг Туен

Аннотация: Рассмотрен расчет двойного коаксиального резонатора с укорачивающей емкостью методом частичных областей. Двойной резонатор представлен в виде двух одинарных коаксиальных резонаторов с одинаковой резонансной частотой, равной частоте двойного. Исследована сходимость расчетной резонансной частоты при различном количестве собственных мод. Точность расчета резонансной частоты оценена сравнением с экспериментальной резонансной частотой двойного коаксиального резонатора с точными внутренними размерами, включая размер "емкостного зазора".