Представление документа в формате MARC21

ПолеНазваниеЗначение
  Тип записи x
  Библиографический уровень b
001 Контрольный номер izph18_to61_no11_ss162_ad1
005 Дата корректировки 20221101120756.3
008 Кодируемые данные 190405s2018||||RU|||||||||||#||||# rus0|
035 Системный контрольный номер __
a Системный контрольный номер RUMARS-izph18_to61_no11_ss162_ad1
2 AR-MARS
040 Источник каталогиз. __
a Служба первич. каталог. Научная библиотека им. М. М. Бахтина Мордовского госуниверситета им. Н. П. Огарева
b Код языка каталог. rus
041 Код языка издания 0_
a Код языка текста rus
h Код языка оригинала rus
080 Индекс УДК __
a Индекс УДК 621.315.592
080 Индекс УДК __
a Индекс УДК 537.311.33
084 Индекс другой классификации/Индекс ББК __
a Индекс другой классификации/Индекс ББК 31.233
v Таблицы для массовых библиотек
084 Индекс другой классификации/Индекс ББК __
a Индекс другой классификации/Индекс ББК 22.379
v Таблицы для массовых библиотек
100 Автор 1_
a Автор Войцеховский, А. В.
6 Связь z01710
4 Код отношения 070
245 Заглавие 10
a Заглавие Особенности моделирования частотных зависимостей адмиттанса МДП-структуры на основе органической пленки P3HT c диэлектрическим слоем Al[2]O[3]
h Физич. носитель Электронный ресурс
c Ответственность А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух
300 Физическое описание __
b Иллюстрации/ тип воспроизводства рис.
500 Примечания __
a Примечание Режим доступа: https://elibrary.ru/contents.asp?titleid=36517043
504 Библиография __
a Библиография Библиогр.: с. 168 (36 назв. )
520 Аннотация __
a Аннотация Для режимов обеднения и обогащения предложены эквивалентные схемы МДП-структуры на основе органической тонкой пленки (P3HT) с диэлектриком Al[2]O[3]. Проведено моделирование частотных зависимостей емкости и проводимости органической МДП-структуры при температуре 300 К в диапазоне частот 20 Гц - 2 МГц. Показано, что измеряемые значения емкости и проводимости существенно зависят от толщины диэлектрического слоя, толщины и удельной проводимости органической пленки, параметров поверхностных ловушек, частоты и напряжения смещения. Описаны способы определения значений основных элементов эквивалентной схемы для корректной характеризации ловушек на границе раздела неорганический диэлектрик - органическая пленка.
650 Тематические рубрики _4
a Основная рубрика Энергетика
2 Источник рубрики AR-MARS
650 Тематические рубрики _4
a Основная рубрика Полупроводниковые материалы и изделия
2 Источник рубрики AR-MARS
650 Тематические рубрики _4
a Основная рубрика Физика
2 Источник рубрики AR-MARS
650 Тематические рубрики _4
a Основная рубрика Физика полупроводников и диэлектриков
2 Источник рубрики AR-MARS
650 Тематические рубрики __
x Основная подрубрика Журналы электронные
653 Ключевые слова 0_
a Ключевые слова МДП-структура
653 Ключевые слова 0_
a Ключевые слова адмиттанс
653 Ключевые слова 0_
a Ключевые слова гибридные органо-неорганические системы
653 Ключевые слова 0_
a Ключевые слова ловушки на границе раздела
653 Ключевые слова 0_
a Ключевые слова органические полупроводники
653 Ключевые слова 0_
a Ключевые слова тонкие пленки
653 Ключевые слова 0_
a Ключевые слова частотные зависимости проводимости
653 Ключевые слова 0_
a Ключевые слова электрическая диагностика
700 Другие авторы 1_
a Другие авторы Несмелов, С. Н.
4 Код отношения 070
6 z02710
700 Другие авторы 1_
a Другие авторы Дзядух, С. М.
4 Код отношения 070
6 z03710
710 Другие организации 2_
a Организация/ юрисдикция Национальный исследовательский Томский государственный университет
b Другие уровни Сибирский физико-технический институт им. В. Д. Кузнецова Томского государственного университета
6 z01100
e Роль коллектива относительно произведения Вторичная ответственность
710 Другие организации 2_
a Организация/ юрисдикция Национальный исследовательский Томский государственный университет
6 z02700
e Роль коллектива относительно произведения Вторичная ответственность
710 Другие организации 2_
a Организация/ юрисдикция Национальный исследовательский Томский государственный университет
6 z03700
e Роль коллектива относительно произведения Вторичная ответственность
773 Источник информации __
x ISSN 0021-3411
t Название источника Известия вузов. Физика
d Место и дата издания 2018
g Прочая информация Т. 61, № 11. - С. 162-169
w Контрольный № источника RU/IS/BASE/599051556
801 Источник записи _0
a Код страны участника АРБИКОН RU
b Код библиотеки-участника АРБИКОН 43013090
c Дата составления записи 20190405
g RCR
801 Источник записи _1
a Код страны участника АРБИКОН RU
b Код библиотеки-участника АРБИКОН 43013090
c Дата составления записи 20190405
801 Источник записи _2
a Код страны участника АРБИКОН RU
b Код библиотеки-участника АРБИКОН AR-MARS
c Дата составления записи 20190405
g RCR
801 Источник записи _3
a Код страны участника АРБИКОН RU
b Код библиотеки-участника АРБИКОН AR-MARS
c Дата составления записи 20190405
856 Электронный адрес документа __
z Примечание для пользователя Режим доступа: с компьютеров КГПИ КемГУ, авторизованный
u URL https://elibrary.ru/contents.asp?titleid=36517043
901 Тип документа __
t Тип документа b
903 Служебное поле (Проект МАРС) __
a Код характеристики code
b Значение характеристики izph
d 36
903 Служебное поле (Проект МАРС) __
a Код характеристики year
b Значение характеристики 2018
903 Служебное поле (Проект МАРС) __
a Код характеристики to
b Значение характеристики 61
903 Служебное поле (Проект МАРС) __
a Код характеристики no
b Значение характеристики 11
903 Служебное поле (Проект МАРС) __
a Код характеристики ss
b Значение характеристики 162
903 Служебное поле (Проект МАРС) __
a Код характеристики ad
b Значение характеристики 1
911 Журнальная рубрика (Проект МАРС) __
a Сведения о журнальных рубриках Физика полупроводников и диэлектриков