Мнеян, М.Г.
Сверхпроводники в современном мире : книга для учащихся. - Москва : Просвещение, 1991. - 158 с. : ил. - ISBN 5090018456. - Текст : непосредственный.

Авторы: Мнеян М.Г.

Шифры:
Полочный: 31.232
Авторский знак: М73
ББК: 31.232;

Экземпляры: Всего: 1, из них:
ФМФ и ТЭФ (пр.Пионерский,13) - свободно 1 из 1

Чикова, О. А.
Электросопротивление сплавов Fe-Mn в жидком состоянии / О. А. Чикова, Н. И. Синицин, В. В. Вьюхин. - Текст : электронный
// Известия вузов. Физика. - 2021. - Т. 64, № 6. - С. 68-75. - ISSN 0021-3411. - URL: https://www.elibrary.ru/contents.asp?id=46251599. - Библиогр.: с. 75 (30 назв. ).

Авторы: Чикова, О. А., Синицин, Н. И., Вьюхин, В. В.

Аннотация: Измерено удельное электросопротивление сплавов Fe-Mn с содержанием марганца 3. 9, 6. 0, 8. 2, 10. 3 и 13. 2 ат. % в жидком состоянии методом вращающего магнитного поля. Опыты проведены в режиме нагрева от 1720 до 2070 К и последующего охлаждения образца в атмосфере очищенного гелия. Для большинства изученных сплавов обнаружен излом температурной зависимости электросопротивления при нагреве до 1900-2000 К. Установлено, что с ростом содержания марганца в сплаве r и d r/ dT увеличиваются. Проведен теоретический расчет эффективного удельного электросопротивления сплава Fe - 10 ат. % Mn в жидком состоянии при температурах от 1720 до 2770 К. Установлены значения температуры Т*, при которой проводимость гетерогенной системы становится равной проводимости раствора железа в марганце с однородным распределением атомов. Полученные расчетным путем значения Т* = 2050-2100 К выше температур 1900-2000 К, при нагреве до которых зафиксирован излом температурной зависимости электросопротивления. Теоретически изучена возможность перколяционного перехода в гетерогенных расплавах Fe-Mn: установлено предельное значение отношения электросопротивлений среды и включения, при котором возможен перколяционный переход. Определялся порог протекания как доля включений, при которой происходит значительное уменьшение эффективного электросопротивления. Расчет эффективного электросопротивления гетерогенного расплава выполнен в приближении Максвелла (интерпретация А. А. Снарского).

Ахундова, Н. М.
Электрические свойства структур металл – Pb[0.75]Sn[0.25]Te / Н. М. Ахундова, Т. Д. Алиева. - Текст : электронный
// Известия вузов. Физика. - 2024. - Т. 67, № 6. - С. 17-23. - ISSN 0021-3411. - Библиогр.: с. 23 (25 назв. ).

Авторы: Ахундова, Н. М., Алиева, Т. Д.

Аннотация: Выращены монокристаллы твердого раствора Pb[0. 75]Sn[0. 25]Te с избытком свинца до 1. 0 ат. %, созданы структуры металл - полупроводник на их основе и исследованы их контактные сопротивления r k в интервале 77-300 К. Выяснено, что r k определяется, в основном, донорным действием Pb в указанном кристалле, диффузией компонентов металлов (сплавы (Bi-Sn) и (In-Ag-Au) ) в приконтактную область кристалла, а также образованием металлических шунтов в этой области.

Термоэлектрические свойства твердого раствора с различными размерами зерен / М. М. Тагиев [и др.]
// Известия вузов. Физика. - 2019. - Т. 62, № 3. - С. 104-109. - ISSN 0021-3411. - Режим доступа: https://elibrary.ru/contents.asp?titleid=7725. - Библиогр.: с. 109 (25 назв. ).

Авторы: Тагиев, М. М., Джафарова, С. З., Ахмедова, А. М., Абдинова, Г. Д.

Аннотация: Исследованы электропроводность (s), коэффициенты термоЭДС (a), Холла ( R X) и теплопроводности (c) экструдированного образца BI[2]TE[2. 7]SE[0. 3] с различными размерами зерен в интервале температур 77-300 К после экструзии и этих же образцов, прошедших отжиг. Показано, что при 77 К отжиг, существенно увеличивая s и c, мало влияет на a. Это свидетельствует о том, что при 77 К в рассеянии электронов и фононов главную роль играют структурные несовершенства зерен. Существует корреляция между степенью текстуры и термоэлектрическими свойствами.

Структурно-фазовые слабоустойчивые состояния ОЦК-сплавов с комплексами АФГ в процессе фазового перехода порядок - беспорядок / А. И. Потекаев [и др.]
// Известия вузов. Физика. - 2017. - Т. 60, № 9. - С. 118-126. - ISSN 0021-3411. - Режим доступа: https://elibrary.ru/contents.asp?issueid=1891045. - Библиогр.: c. 126 (18 назв. ). - рис., табл.

Авторы: Потекаев, А. И., Чаплыгина, А. А., Чаплыгин, П. А., Старостенков, М. Д., Кулагина, В. В., Тазин, И. Д.

Аннотация: С помощью метода Монте-Карло на примере сплава CuZn рассмотрено влияние комплексов АФГ (пары сдвиговых АФГ в направлении <110> и пары термических АФГ в направлении <100>) на слабоустойчивые состояния бета-латуни в процессе фазового перехода порядок - беспорядок. Показано, что энергия образования комплекса термических АФГ выше, чем энергия образования комплекса сдвиговых АФГ. Вклад АФГ в процесс разупорядочения существен до температуры фазового перехода порядок - беспорядок. Наиболее значимым для дальнего порядка в системе является само появление дефекта в виде АФГ, различие в типе АФГ и плоскости их залегания не столь существенно сказывается на поведении дальнего порядка с изменением температуры. Тип антифазных границ оказывает значительное влияние на структурно-энергетические характеристики системы при температурах ниже температуры фазового перехода. Естественно, что система со структурными дефектами менее упорядочена по сравнению с бездефектной. Наличие дефекта в виде АФГ способствует началу разупорядочения системы при более низких температурах: понижение порядка в сплаве начинается в случае ТАФГ при более низкой температуре по сравнению со случаем сдвиговых АФГ. В сплаве с комплексом термических АФГ в направлении <100> первые нарушения структурного порядка в сплаве CuZn всегда появляются вблизи границы Zn-Zn. В сплаве с комплексом сдвиговых АФГ в направлении <110> нарушения структурного порядка при низких температурах наблюдаются только в областях пересечения границ. Наличие антифазных границ влияет на стабильность сплава при нагревании. Сплав CuZn без нарушений структурных дефектов более стабилен, чем сплав с АФГ. Показано, что процесс разупорядочения сопровождается размытием границ и их фасетированием.

Сытников, В. Е. (доктор технических наук).
Сопротивление бесполезно : интервью / В. Е. Сытников ; беседовал Валерий Чумаков
// В мире науки. - 2013. - № 6. - С. 99-103. - ISSN 0208-0621. - 1 фот.

Авторы: Сытников, В. Е.

Аннотация: Как сделать энергетические системы более "проводимыми" рассказывает В. Е. Сытников, эксперт в области сверхпроводящих материалов и устройств.

Лебедев, С. М.
Сегнетоэлектрические многофазные композиты на основе полилактида / С. М. Лебедев, О. С. Гефле. - Текст : электронный
// Известия вузов. Физика. - 2023. - Т. 66, № 1. - С. 67-78. - ISSN 0021-3411. - Библиогр.: с. 78 (30 назв. ).

Авторы: Лебедев, С. М., Гефле, О. С.

Аннотация: Разработаны и исследованы сегнетоэлектрические многофазные композиты на основе полилактида (ПЛА), наполненные титанатом бария (BaTiO[3]; ТБ) и небольшим количеством углеродных нанотрубок (УНТ). Обнаружено аномальное увеличение показателя текучести расплава двухфазных композитов ПЛА/ТБ по сравнению с исходным ПЛА примерно на 55% при низком содержании наполнителя. Диэлектрическая проницаемость двухфазного композита ПЛА/ТБ при содержании наполнителя 40 мас. % в низкочастотном диапазоне увеличивается примерно в 2 раза по сравнению с диэлектрической проницаемостью исходного ПЛА, тогда как для трехфазного композита ПЛА/ТБ/УНТ она увеличивается более чем в 40 раз при том же содержании наполнителя и небольшом количестве углеродных нанотрубок (0. 05 мас. %). В этом случае значение тангенса угла диэлектрических потерь для этих композитов составляет примерно 0. 04 и 0. 6 соответственно. СЭМ-изображения сколов поверхностей образцов демонстрируют квазиравномерное распределение наполнителей по объему композита.

Алиев, И. Н.
Приближение поверхностного тока в некоторых задачах классической теории сверхпроводимости / И. Н. Алиев, З. А. Самедова
// Известия вузов. Физика. - 2018. - Т. 61, № 4. - С. 149-157. - ISSN 0021-3411. - Режим доступа: https://elibrary.ru/contents.asp?id=34844964. - Библиогр.: c. 157 (18 назв. ). - рис.

Авторы: Алиев, И. Н., Самедова, З. А.

Аннотация: Решаются задачи о поведении сверхпроводящих бесконечных плоскопараллельной пластины и цилиндра во внешнем магнитном поле в приближении модели поверхностных токов. Последние в отличие от общепринятой записи входят как токи сверхпроводящих электронов в граничные условия для магнитной индукции. Под поверхностными токами понимается объемный ток, текущий в толщине приповерхностного слоя, которую ассоциируют с толщиной лондоновской глубины проникновения поля и токов в толщу сверхпроводника. Показано, что в этом случае на указанной толщине происходит скачок магнитных величин. Рассчитанная средняя намагниченность магнетика приводится к напряженности внешнего поля, а коэффициент пропорциональности, который имеет смысл назвать средней магнитной восприимчивостью ввиду того, что поле ослабевает не сразу, оказывается не в точности равным -1, а имеет несколько меньшее по модулю значение. Обсуждаются возможности экспериментальной проверки полученного эффекта.

Давыдов, В. Н.
Определение элементов эквивалентной схемы гетероструктур с множественными квантовыми ямами / В. Н. Давыдов, А. Н. Моргунов
// Известия вузов. Физика. - 2015. - Т. 58, № 11. - С. 127-133. - ISSN 0021-3411. - Библиогр.: c. 132-133 (14 назв. ). - рис., табл.

Авторы: Давыдов, В. Н., Моргунов, А. Н.

Аннотация: Получены аналитические зависимости элементов эквивалентной схемы гетероструктуры от свойств материала квантовых ям, их местоположения и напряжения смещения гетероструктуры. На их основе получены выражения для расчета зависимостей эквивалентной емкости и эквивалентного сопротивления гетероструктуры от частоты тестового сигнала и напряжения смещения.

Камилов, И. К.
О глубоком донорном центре в n-CdSnAs_2 по данным исследования электронного транспорта при гидростатическом давлении / И. К. Камилов, М. И. Даунов, С. Ф. Габибов
// Известия вузов. Физика. - 2015. - Т. 58, № 12. - С. 184-185. - ISSN 0021-3411. - Библиогр.: c. 185 (9 назв. ). - рис.

Авторы: Камилов, И. К., Даунов, М. И., Габибов, С. Ф.

Аннотация: О глубоком донорном центре в n-CdSnAs_2 по данным исследования электронного транспорта при гидростатическом давлении.

Брудный, В. Н.
Нитрид галлия: уровень зарядовой нейтральности и границы раздела / В. Н. Брудный
// Известия вузов. Физика. - 2015. - Т. 58, № 11. - С. 121-126. - ISSN 0021-3411. - Библиогр.: c. 125-126 (51 назв. ). - рис., табл.

Авторы: Брудный, В. Н.

Аннотация: Анализ экспериментальных данных выявил зависимость высоты барьера металл/n-GaN GaN (0001) от работы выхода металла, как и предсказывает модель, которая учитывает уровень зарядовой нейтральности полупроводника. В случае барьеров металл/p-GaN (Mg) имеет место значительный разброс соответствующих экспериментальных данных и закрепление приповерхностного уровня Ферми вблизи E_v + 2. 5 эВ в большинстве структур, что обусловлено влиянием высокой плотности интерфейсных дефектных состояний, сформированных в процессе легирования GaN примесью Mg.

Моделирование методом Монте-Карло вывода излучения из светодиодной структуры с текстурированными интерфейсами / В. И. Зубков [и др.]
// Известия вузов. Физика. - 2015. - Т. 58, № 8. - С. 123-130. - ISSN 0021-3411. - Библиогр.: c. 130 (14 назв. ). - рис.

Авторы: Зубков, В. И., Евсеенков, А. С., Орлова, Т. А., Зубкова, А. В.

Аннотация: Разработана математическая модель вывода излучения из светодиода на базе корпускулярного метода Монте-Карло. В результате моделирования светодиодных структур получены закономерности по влиянию границ раздела сред и вводимых на интерфейсах шероховатостей на относительную долю выводимого из структуры излучения. На основе проведенного анализа сделаны конкретные рекомендации по оптимизации светоизлучающих флип-чип-структур на основе твердых растворов нитрида галлия.

Механизм повреждения и способ защиты полупроводниковых устройств от ионизирующего излучения / W. Zhu, D. Lian, Q. Zhang, C. Hou. - Текст : электронный
// Известия вузов. Физика. - 2021. - Т. 64, № 8. - С. 131-142. - ISSN 0021-3411. - URL: https://elibrary.ru/contents.asp?id=46508663. - Библиогр.: с. 142 (28 назв. ).

Авторы: Weiguo Zhu, Dexing Lian, Qingzhao Zhang, Changsong Hou

Аннотация: На основе анализа характеристик электромагнитного излучения рассматриваются механизм и метод защиты полупроводниковых устройств от повреждений ионизирующим излучением. На основании исследований изменения емкости в зависимости от напряжения на затворе сегнетоэлектрического полевого транзистора (FEFET) разработана модель поляризации сегнетоэлектрического слоя. Проанализирован механизм повреждения электрических характеристик такого транзистора ионизирующим излучением с учетом двух аспектов - горизонтального напряжения и дрейфа порогового напряжения. Была реализована конструкция сегнетоэлектрического полевого транзистора с использованием антирадиационного эффекта в схеме FPGA (Field Programmable Gate Arrays). Для защиты электронных устройств от ионизирующего излучения в конструкции применен метод проектирования с трехкратным резервированием, основанный на мгновенном воздействии ионизирующего излучения. Результаты показывают, что дрейф порогового напряжения, вызванный зарядом оксидной ловушки, пропорционален дозе облучения. При этом дрейф порогового напряжения, вызванный зарядом ловушки на границе раздела, пропорционален дозе облучения в случае низкой дозы, а при дозе облучения, превышающей 60 крад (SiO2), зависимость становится экспоненциальной. В спроектированной схеме FPGA FEFET повторная задержка сигнала отсутствует, что доказывает эффективность защиты от ионизирующего излучения.

Абдинов, А. Ш.
Влияние электрического поля на фотопроводимость в монокристаллах р-GaSe / А. Ш. Абдинов, Р. Ф. Бабаева. - Текст : электронный
// Известия вузов. Физика. - 2021. - Т. 64, № 2. - С. 76-81. - ISSN 0021-3411. - URL: https://elibrary.ru/contents.asp?id=44852147. - Библиогр.: с. 81 (8 назв. ).

Авторы: Абдинов, А. Ш., Бабаева, Р. Ф.

Аннотация: При различных внешних и внутрикристаллических условиях (при разных температурах, напряженностях электрического поля, исходных значениях темнового удельного сопротивления образца, содержании, а также химической природе введенной редкоземельной примеси) исследовано влияние гальванически приложенного электрического поля на собственную фотопроводимость в монокристаллах селенида галлия (p-GaSe). Установлено, что фотопроводимость в образцах нелегированных монокристаллов p-GaSe с исходным (имеющим место при Т = 77 К) темновым удельным сопротивлением p[т0] E 4*10{4} Ом*см и легированных редкоземельными элементами (диспрозием и эрбием) с процентным содержанием N [РЗЭ] больше или равно 10{-2} ат. % не зависит от напряженности электрического поля. А в образцах нелегированных монокристаллов с p[t0] меньше 10{5} Ом*см и легированных с N РЗЭ меньше 10{-2} ат. % при Т E 250 К и слабых освещенностях фотопроводимость зависит от напряженности электрического поля. Обнаруженное влияние электрического поля на фотопроводимость в исследуемых образцах монокристаллов p-GaSe объяснено электрическим спрямлением флуктуации электронного потенциала свободных энергетических зон, обусловленной наличием в них случайных макроскопических дефектов.

Пархимович, Н. Ю.
Влияние температуры отжига под квазигидростатическим давлением на текстуру и фазовый состав керамики Bi(Pb)2223 / Н. Ю. Пархимович, М. Ф. Имаев
// Известия вузов. Физика. - 2015. - Т. 58, № 6. - С. 85-89. - ISSN 0021-3411. - Библиогр.: c. 88-89 (8 назв. ). - рис.

Авторы: Пархимович, Н. Ю., Имаев, М. Ф.

Аннотация: Изучено влияние температуры отжига под квазигидростатическим давлением P = 10 МПа на текстуру и микроструктуру текстурованной керамики Bi (Pb) 2223. Отжиг при T = 925 °C не привел к заметному размытию текстуры, но сопровождался увеличением количества частиц вторичных фаз и формированию неоднородной микроструктуры по радиусу образца. В отожженном при T = 925 °C образце обнаружен кольцевой участок материала с высоким содержанием частиц (Sr, Ca) _14Cu_24O_41 и (Sr, Ca) _2CuO_3. Повышение температуры отжига до 935°C привело к полному распаду матричной фазы Bi (Pb) 2223 по всему объему образца.

Влияние размеров вводимых в расплав частиц на измельчение зерна в конечной структуре алюминиевых сплавов / О. Б. Кудряшова [и др.]
// Известия вузов. Физика. - 2018. - Т. 61, № 8. - С. 79-86. - ISSN 0021-3411. - Режим доступа: https://elibrary.ru/contents.asp?titleid=7725. - Библиогр.: с. 86 (16 назв. ). - рис., табл.

Авторы: Кудряшова, О. Б., Жуков, И. А., Потекаев, А. И., Ворожцов, А. Б., Промахов, В. В., Матвеев, А. Е.

Аннотация: Результаты проведенного исследования позволяют полагать, что изменение агрегатного состояния вещества (кристаллизация) на поверхности вводимых малых (нано- или субмикронных) частиц оказывает существенное влияние на размеры зерен в конечном состоянии сплавов и композитов. Это связано с тем, что система расплав - частица находится в слабоустойчивом состоянии, поэтому слабые термические воздействия в виде микрочастиц инокуляторов могут влиять на конечное состояние сплава, причем как на структуру, так и на физико-механические свойства. В результате теплового взаимодействия частицы и расплава, находящегося при температуре, близкой к температуре изменения агрегатного состояния вещества (кристаллизации), происходит изменение агрегатного состояния (кристаллизация) металла на поверхности частицы. Предложенная тепловая модель изменения агрегатного состояния вещества (кристаллизации) при внесении в его объем частиц позволяет предсказать скорость и степень локального охлаждения расплава, время кристаллизации, а также минимальный размер результирующих кристаллов в зависимости от дисперсности частиц и их массовой концентрации. Чем меньше размер частиц и выше их массовая концентрация, тем меньше размер зерен конечного сплава. При натурном эксперименте подтверждены полученные в тепловой модели закономерности: чем меньше размер вводимых частиц, тем меньше должен быть размер зерна конечного сплава. Средний размер зерна исходного технически чистого алюминия составил ~ 1200 мкм. При введении 0. 2 мас. % композиционных СВС-лигатур системы Al-Ti-B4C (средний размер частиц 0. 4 мкм) средний размер зерна сплава составил 410 мкм. При введении 0. 2 мас. % композиционных СВС-лигатур на основе системы Al-Ti-B (средний размер частиц 0. 7 мкм) средний размер зерна полученного сплава составил 540 мкм.

Конобеева, Н. Н.
Влияние постоянного электрического поля на проводимость графеновых нанолент / Н. Н. Конобеева, М. Б. Белоненко
// Известия вузов. Физика. - 2017. - Т. 60, № 9. - С. 144-148. - ISSN 0021-3411. - Режим доступа: https://elibrary.ru/contents.asp?issueid=1891045. - Библиогр.: c. 147-148 (13 назв. ). - рис.

Авторы: Конобеева, Н. Н., Белоненко, М. Б.

Аннотация: На основании прыжкового гамильтониана для электронов графена прямой диагонализацией гамильтониана была получена плотность состояний, которая в дальнейшем была пересчитана в туннельный ток между графеновой нанолентой и металлом. Выявлено влияние постоянного электрического поля, приложенного параллельно плоскости наноленты на характеристики туннельного тока.

Адмиттанс барьерных структур на основе теллурида кадмия - ртути / А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух [и др.]. - Текст : электронный
// Известия вузов. Физика. - 2020. - Т. 63, № 3. - С. 76-87. - ISSN 0021-3411. - URL: https://elibrary.ru/contents.asp?id=42622561. - Библиогр.: с. 87 (37 назв. ).

Авторы: Войцеховский, А. В., Несмелов, С. Н., Дзядух, С. М., Дворецкий, С. А., Михайлов, Н. Н., Сидоров, Г. Ю., Якушев, М. В.

Аннотация: Представлены результаты исследований адмиттанса униполярных барьерных структур на основе HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) на подложках из GaAs (013). С использованием пассивации диэлектриком Al[2]O[3] изготовлены приборные nBn-структуры на основе HgCdTe, причем параметры слоев в созданных структурах обеспечивали возможность детектирования в спектральном диапазоне 3-5 мкм. На основании анализа частотных зависимостей адмиттанса предложена эквивалентная схема nBn -структур при малых смещениях. Определены зависимости параметров эквивалентной схемы от площади мезаструктуры и от температуры. Изучены свойства высокотемпературных максимумов на полевых зависимостях емкости и проводимости nBn -структур, которые предположительно связаны с перезарядкой поверхностных состояний на гетерогранице между барьерным и поглощающим слоями. Установлено, что в широком диапазоне частот и температур вольт-фарадные характеристики nBn -структур на основе HgCdTe при обратных смещениях могут использоваться для определения концентрации донорной примеси в поглощающем слое. Показано, что адмиттанс тестовых МДП-приборов в мезаконфигурации, сформированных на основе nBn -структур из МЛЭ HgCdTe, определяется совместным влиянием электронных процессов в контактном, барьерном и поглощающем слоях.