Мнеян, М.Г.
Сверхпроводники в современном мире : книга для учащихся. - Москва : Просвещение, 1991. - 158 с. : ил. - ISBN 5090018456. - Текст : непосредственный.

Авторы: Мнеян М.Г.

Шифры:
Полочный: 31.232
Авторский знак: М73
ББК: 31.232;

Экземпляры: Всего: 1, из них:
ФМФ и ТЭФ (пр.Пионерский,13) - свободно 1 из 1

Чикова, О. А.
Электросопротивление сплавов Fe-Mn в жидком состоянии / О. А. Чикова, Н. И. Синицин, В. В. Вьюхин. - Текст : электронный
// Известия вузов. Физика. - 2021. - Т. 64, № 6. - С. 68-75. - ISSN 0021-3411. - URL: https://www.elibrary.ru/contents.asp?id=46251599. - Библиогр.: с. 75 (30 назв. ).

Авторы: Чикова, О. А., Синицин, Н. И., Вьюхин, В. В.

Аннотация: Измерено удельное электросопротивление сплавов Fe-Mn с содержанием марганца 3. 9, 6. 0, 8. 2, 10. 3 и 13. 2 ат. % в жидком состоянии методом вращающего магнитного поля. Опыты проведены в режиме нагрева от 1720 до 2070 К и последующего охлаждения образца в атмосфере очищенного гелия. Для большинства изученных сплавов обнаружен излом температурной зависимости электросопротивления при нагреве до 1900-2000 К. Установлено, что с ростом содержания марганца в сплаве r и d r/ dT увеличиваются. Проведен теоретический расчет эффективного удельного электросопротивления сплава Fe - 10 ат. % Mn в жидком состоянии при температурах от 1720 до 2770 К. Установлены значения температуры Т*, при которой проводимость гетерогенной системы становится равной проводимости раствора железа в марганце с однородным распределением атомов. Полученные расчетным путем значения Т* = 2050-2100 К выше температур 1900-2000 К, при нагреве до которых зафиксирован излом температурной зависимости электросопротивления. Теоретически изучена возможность перколяционного перехода в гетерогенных расплавах Fe-Mn: установлено предельное значение отношения электросопротивлений среды и включения, при котором возможен перколяционный переход. Определялся порог протекания как доля включений, при которой происходит значительное уменьшение эффективного электросопротивления. Расчет эффективного электросопротивления гетерогенного расплава выполнен в приближении Максвелла (интерпретация А. А. Снарского).

Асадуллин, Ф. Ф.
Электропривод и цеховое освещение в системе TN-C-S / Ф. Ф. Асадуллин, В. А. Кузнецов
// Физическое образование в вузах. - 2014. - Т. 20, № 4. - С. 93-98. - ISSN 1609-3143. - Библиогр.: с. 97 (5 назв.). - ил.

Авторы: Асадуллин, Ф. Ф., Кузнецов, В. А.

Аннотация: Приведено описание перехода электроустановок до 1000 В с изменением обозначения фаз и нулевых проводников.

Ахундова, Н. М.
Электрические свойства структур металл – Pb[0.75]Sn[0.25]Te / Н. М. Ахундова, Т. Д. Алиева. - Текст : электронный
// Известия вузов. Физика. - 2024. - Т. 67, № 6. - С. 17-23. - ISSN 0021-3411. - Библиогр.: с. 23 (25 назв. ).

Авторы: Ахундова, Н. М., Алиева, Т. Д.

Аннотация: Выращены монокристаллы твердого раствора Pb[0. 75]Sn[0. 25]Te с избытком свинца до 1. 0 ат. %, созданы структуры металл - полупроводник на их основе и исследованы их контактные сопротивления r k в интервале 77-300 К. Выяснено, что r k определяется, в основном, донорным действием Pb в указанном кристалле, диффузией компонентов металлов (сплавы (Bi-Sn) и (In-Ag-Au) ) в приконтактную область кристалла, а также образованием металлических шунтов в этой области.

Официн, С. И.
Экспериментальный учебный модуль с нетрадиционным возобновляемым автономным источником электрической энергии малой мощности потребления / С. И. Официн
// Физическое образование в вузах. - 2013. - Т. 19, № 2. - С. 48-54. - ISSN 1609-3143. - Библиогр.: с. 54 (4 назв. ). - ил.

Авторы: Официн, С. И.

Аннотация: Описан проект создания модуля автономного электроснабжения.

Экспериментальное исследование и численное моделирование пробоя промежутка с резко неоднородным распределением электрического поля / Д. В. Белоплотов, А. А. Гришков, Д. А. Сорокин, В. А. Шкляев. - Текст : электронный
// Известия вузов. Физика. - 2021. - Т. 64, № 2. - С. 136-142. - ISSN 0021-3411. - URL: https://elibrary.ru/contents.asp?id=44852147. - Библиогр.: с. 142 (23 назв. ).

Авторы: Белоплотов, Д. В., Гришков, А. А., Сорокин, Д. А., Шкляев, В. А.

Аннотация: Представлены результаты экспериментального исследования и численного моделирования с помощью кода XOOPIC пробоя промежутка "конус - плоскость", заполненного азотом при давлении 12. 5-400 кПа, при отрицательной полярности. В эксперименте наблюдалось формирование диффузного разряда во всем указанном диапазоне давлений. При давлении азота до 200 кПа в промежутке формировался стример большого диаметра. При более высоком давлении наблюдалось формирование двух стримеров меньшего диаметра. При низком давлении азота формирование стримера начиналось на некотором расстоянии от катода. Численное моделирование показало, что в этих условиях электроны быстро покидают прикатодную область из-за высокой приведенной напряженности электрического поля. В моделировании учитывалось также возбуждение молекул азота. По соотношению R 391/394 интенсивностей излучения полос молекулярного иона N[2]{+} и молекулы N[2] определялись динамика электронной температуры T[e] и приведенной напряженности электрического поля E / p в плазме. По скорости перемещения вдоль промежутка максимума R [391/394] определялась скорость стримера. Полученные результаты сравниваются с результатами численного моделирования.

Ашкинази, Л.
Что происходит при контакте / Л. Ашкинази. - Текст : непосредственный
// Квант. - 2023. - № 7. - С. 11–18. - ISSN 0130-2221. - рис., фот.

Авторы: Ашкинази, Л.

Аннотация: В статье рассказывается о возникновении и разрывании контакта при соприкосновениях двух поверхностей.

Кругляк, Ю. А.
Уроки наноэлектроники. Причины возникновения тока в концепции "снизу - вверх" / Ю. А. Кругляк, Н. Е. Кругляк
// Физическое образование в вузах. - 2013. - Т. 19, № 1. - С. 50-61. - ISSN 1609-3143. - Библиогр.: с. 60-61 (15 назв. ). - ил.

Авторы: Кругляк, Ю. А., Кругляк, Н. Е.

Аннотация: В рамках концепции "снизу - вверх" современной теоретической и прикладной наноэлектроники рассматриваются причины возникновения тока.

Кругляк, Ю. А.
Уроки наноэлектроники. Модель упругого резистора и новая формулировка закона Ома в концепции "снизу-вверх" / Ю. А. Кругляк, Н. Е. Кругляк
// Физическое образование в вузах. - 2013. - Т. 19, № 2. - С. 161-173. - ISSN 1609-3143. - Библиогр.: с. 173 (16 назв. ). - ил.

Авторы: Кругляк, Ю. А., Кругляк, Н. Е.

Аннотация: В рамках концепции "снизу-вверх" современной наноэлектроники рассматриваются модель упругого резистора, баллистический и диффузионный транспорт, моды проводимости. Дается новая формулировка закона Ома.

Термоэлектрические свойства твердого раствора с различными размерами зерен / М. М. Тагиев [и др.]
// Известия вузов. Физика. - 2019. - Т. 62, № 3. - С. 104-109. - ISSN 0021-3411. - Режим доступа: https://elibrary.ru/contents.asp?titleid=7725. - Библиогр.: с. 109 (25 назв. ).

Авторы: Тагиев, М. М., Джафарова, С. З., Ахмедова, А. М., Абдинова, Г. Д.

Аннотация: Исследованы электропроводность (s), коэффициенты термоЭДС (a), Холла ( R X) и теплопроводности (c) экструдированного образца BI[2]TE[2. 7]SE[0. 3] с различными размерами зерен в интервале температур 77-300 К после экструзии и этих же образцов, прошедших отжиг. Показано, что при 77 К отжиг, существенно увеличивая s и c, мало влияет на a. Это свидетельствует о том, что при 77 К в рассеянии электронов и фононов главную роль играют структурные несовершенства зерен. Существует корреляция между степенью текстуры и термоэлектрическими свойствами.

Структурно-фазовые слабоустойчивые состояния ОЦК-сплавов с комплексами АФГ в процессе фазового перехода порядок - беспорядок / А. И. Потекаев [и др.]
// Известия вузов. Физика. - 2017. - Т. 60, № 9. - С. 118-126. - ISSN 0021-3411. - Режим доступа: https://elibrary.ru/contents.asp?issueid=1891045. - Библиогр.: c. 126 (18 назв. ). - рис., табл.

Авторы: Потекаев, А. И., Чаплыгина, А. А., Чаплыгин, П. А., Старостенков, М. Д., Кулагина, В. В., Тазин, И. Д.

Аннотация: С помощью метода Монте-Карло на примере сплава CuZn рассмотрено влияние комплексов АФГ (пары сдвиговых АФГ в направлении <110> и пары термических АФГ в направлении <100>) на слабоустойчивые состояния бета-латуни в процессе фазового перехода порядок - беспорядок. Показано, что энергия образования комплекса термических АФГ выше, чем энергия образования комплекса сдвиговых АФГ. Вклад АФГ в процесс разупорядочения существен до температуры фазового перехода порядок - беспорядок. Наиболее значимым для дальнего порядка в системе является само появление дефекта в виде АФГ, различие в типе АФГ и плоскости их залегания не столь существенно сказывается на поведении дальнего порядка с изменением температуры. Тип антифазных границ оказывает значительное влияние на структурно-энергетические характеристики системы при температурах ниже температуры фазового перехода. Естественно, что система со структурными дефектами менее упорядочена по сравнению с бездефектной. Наличие дефекта в виде АФГ способствует началу разупорядочения системы при более низких температурах: понижение порядка в сплаве начинается в случае ТАФГ при более низкой температуре по сравнению со случаем сдвиговых АФГ. В сплаве с комплексом термических АФГ в направлении <100> первые нарушения структурного порядка в сплаве CuZn всегда появляются вблизи границы Zn-Zn. В сплаве с комплексом сдвиговых АФГ в направлении <110> нарушения структурного порядка при низких температурах наблюдаются только в областях пересечения границ. Наличие антифазных границ влияет на стабильность сплава при нагревании. Сплав CuZn без нарушений структурных дефектов более стабилен, чем сплав с АФГ. Показано, что процесс разупорядочения сопровождается размытием границ и их фасетированием.

Сытников, В. Е. (доктор технических наук).
Сопротивление бесполезно : интервью / В. Е. Сытников ; беседовал Валерий Чумаков
// В мире науки. - 2013. - № 6. - С. 99-103. - ISSN 0208-0621. - 1 фот.

Авторы: Сытников, В. Е.

Аннотация: Как сделать энергетические системы более "проводимыми" рассказывает В. Е. Сытников, эксперт в области сверхпроводящих материалов и устройств.

Лебедев, С. М.
Сегнетоэлектрические многофазные композиты на основе полилактида / С. М. Лебедев, О. С. Гефле. - Текст : электронный
// Известия вузов. Физика. - 2023. - Т. 66, № 1. - С. 67-78. - ISSN 0021-3411. - Библиогр.: с. 78 (30 назв. ).

Авторы: Лебедев, С. М., Гефле, О. С.

Аннотация: Разработаны и исследованы сегнетоэлектрические многофазные композиты на основе полилактида (ПЛА), наполненные титанатом бария (BaTiO[3]; ТБ) и небольшим количеством углеродных нанотрубок (УНТ). Обнаружено аномальное увеличение показателя текучести расплава двухфазных композитов ПЛА/ТБ по сравнению с исходным ПЛА примерно на 55% при низком содержании наполнителя. Диэлектрическая проницаемость двухфазного композита ПЛА/ТБ при содержании наполнителя 40 мас. % в низкочастотном диапазоне увеличивается примерно в 2 раза по сравнению с диэлектрической проницаемостью исходного ПЛА, тогда как для трехфазного композита ПЛА/ТБ/УНТ она увеличивается более чем в 40 раз при том же содержании наполнителя и небольшом количестве углеродных нанотрубок (0. 05 мас. %). В этом случае значение тангенса угла диэлектрических потерь для этих композитов составляет примерно 0. 04 и 0. 6 соответственно. СЭМ-изображения сколов поверхностей образцов демонстрируют квазиравномерное распределение наполнителей по объему композита.

Алиев, И. Н.
Приближение поверхностного тока в некоторых задачах классической теории сверхпроводимости / И. Н. Алиев, З. А. Самедова
// Известия вузов. Физика. - 2018. - Т. 61, № 4. - С. 149-157. - ISSN 0021-3411. - Режим доступа: https://elibrary.ru/contents.asp?id=34844964. - Библиогр.: c. 157 (18 назв. ). - рис.

Авторы: Алиев, И. Н., Самедова, З. А.

Аннотация: Решаются задачи о поведении сверхпроводящих бесконечных плоскопараллельной пластины и цилиндра во внешнем магнитном поле в приближении модели поверхностных токов. Последние в отличие от общепринятой записи входят как токи сверхпроводящих электронов в граничные условия для магнитной индукции. Под поверхностными токами понимается объемный ток, текущий в толщине приповерхностного слоя, которую ассоциируют с толщиной лондоновской глубины проникновения поля и токов в толщу сверхпроводника. Показано, что в этом случае на указанной толщине происходит скачок магнитных величин. Рассчитанная средняя намагниченность магнетика приводится к напряженности внешнего поля, а коэффициент пропорциональности, который имеет смысл назвать средней магнитной восприимчивостью ввиду того, что поле ослабевает не сразу, оказывается не в точности равным -1, а имеет несколько меньшее по модулю значение. Обсуждаются возможности экспериментальной проверки полученного эффекта.

Благодарный, В. В. (Борисоглебский гос. пед. ин-т).
Парадокс двух конденсаторов: как "исчезает" энергия / В. В. Благодарный
// Физическое образование в вузах. - 2012. - Т. 18, № 4. - С. 30-38. - ISSN 1609-3143. - Библиогр.: с. 38 (4 назв. ). - ил.

Авторы: Благодарный, В. В.

Аннотация: Анализируется процесс перезарядки конденсаторов в известном "парадоксе двух конденсаторов" при различных параметрах цепи, соединяющей конденсаторы.

Давыдов, В. Н.
Определение элементов эквивалентной схемы гетероструктур с множественными квантовыми ямами / В. Н. Давыдов, А. Н. Моргунов
// Известия вузов. Физика. - 2015. - Т. 58, № 11. - С. 127-133. - ISSN 0021-3411. - Библиогр.: c. 132-133 (14 назв. ). - рис., табл.

Авторы: Давыдов, В. Н., Моргунов, А. Н.

Аннотация: Получены аналитические зависимости элементов эквивалентной схемы гетероструктуры от свойств материала квантовых ям, их местоположения и напряжения смещения гетероструктуры. На их основе получены выражения для расчета зависимостей эквивалентной емкости и эквивалентного сопротивления гетероструктуры от частоты тестового сигнала и напряжения смещения.

Кудряшов, С. С.
Обработка выходных сигналов катушки Роговского в системах управления технологическими процессами / С. С. Кудряшов, Д. П. Санников, А. В. Тютякин
// Информационные системы и технологии. - 2019. - № 2. - С. 67-74. - ISSN 2072-8964. - Библиогр.: с. 74 (4 назв.).

Авторы: Кудряшов, С. С., Санников, Д. П., Тютякин, А. В.

Аннотация: Вопросы обработки выходного сигнала катушки Роговского при измерении переменных токов с постоянной составляющей.

Цурикова, Л. М.
О решении одной задачи на тему "контактная разность потенциалов" / Л. М. Цурикова, В. И. Цуриков
// Физическое образование в вузах. - 2015. - Т. 21, № 1. - С. 62-67. - ISSN 1609-3143. - Библиогр.: с. 67 (3 назв.). - ил.

Авторы: Цурикова, Л. М., Цуриков, В. И.

Аннотация: Посвящена решению задачи нахождения поля вблизи контакта двух различных проводников.

Камилов, И. К.
О глубоком донорном центре в n-CdSnAs_2 по данным исследования электронного транспорта при гидростатическом давлении / И. К. Камилов, М. И. Даунов, С. Ф. Габибов
// Известия вузов. Физика. - 2015. - Т. 58, № 12. - С. 184-185. - ISSN 0021-3411. - Библиогр.: c. 185 (9 назв. ). - рис.

Авторы: Камилов, И. К., Даунов, М. И., Габибов, С. Ф.

Аннотация: О глубоком донорном центре в n-CdSnAs_2 по данным исследования электронного транспорта при гидростатическом давлении.

Брудный, В. Н.
Нитрид галлия: уровень зарядовой нейтральности и границы раздела / В. Н. Брудный
// Известия вузов. Физика. - 2015. - Т. 58, № 11. - С. 121-126. - ISSN 0021-3411. - Библиогр.: c. 125-126 (51 назв. ). - рис., табл.

Авторы: Брудный, В. Н.

Аннотация: Анализ экспериментальных данных выявил зависимость высоты барьера металл/n-GaN GaN (0001) от работы выхода металла, как и предсказывает модель, которая учитывает уровень зарядовой нейтральности полупроводника. В случае барьеров металл/p-GaN (Mg) имеет место значительный разброс соответствующих экспериментальных данных и закрепление приповерхностного уровня Ферми вблизи E_v + 2. 5 эВ в большинстве структур, что обусловлено влиянием высокой плотности интерфейсных дефектных состояний, сформированных в процессе легирования GaN примесью Mg.