Кузнецов Ю. М.
RC-генератор на биполярном транзисторе. Практикум / Кузнецов Ю. М.,Хазанова С. В.,Королев Д. С. - Нижний Новгород : ННГУ им. Н. И. Лобачевского, 2024. - 19 с. - Рекомендовано методической комиссией физического факультета для студентов ННГУ, обучающихся по направлениям подготовки: 11.03.04 – «Электроника и наноэлектроника» 28.03.01 – «Нанотехнологии и микросистемная техника».

Авторы: Кузнецов Ю. М., Хазанова С. В., Королев Д. С.

Шифры:
Полочный: ЭБС ЛАНЬ
ББК: 22.379;

Аннотация: Настоящий практикум является частью цикла лабораторных работ, выполняемых на физическом факультете ННГУ в рамках курса «Теоретические основы электро- и радиотехники». Пособие посвящено описанию устройства и принципов работы RC-генератора на биполярном транзисторе.

Ансельм, А. И.
Введение в теорию полупроводников : учебное пособие для вузов / А. И. Ансельм. - 3-е изд. ; стер. - Санкт-Петербург ; Москва ; Краснодар : Лань, 2008. - 618 с. - (Классическая учебная литература по физике). - ISBN 9785811407620. - Текст : непосредственный.

Авторы: Ансельм А. И.

Шифры:
Полочный: 22.379
Авторский знак: А71
ББК: 22.379;

Экземпляры: Всего: 1, из них:
ФМФ и ТЭФ (пр.Пионерский,13) - свободно 1 из 1

Солимар, Л.
Лекции по электрическим свойствам материалов / Л. Солимар, Д. Уолш ; перевод с английского под редакцией С. И. Баскакова. - Москва : Мир, 1991. - 502 с. : ил. - ISBN 5-03-001934-0. - Текст : непосредственный.

Авторы: Солимар Л., Уолш Д., Баскаков С. И.

Шифры:
Полочный: 22.379
Авторский знак: С 60
ББК: 22.379;

Экземпляры: Всего: 2, из них:
ФМФ и ТЭФ (пр.Пионерский,13) - свободно 2 из 2

Вавилов, В. С.
Дефекты в кремнии и на его поверхности / В. С. Вавилов, В. Ф. Киселев Б. Н. Мукашев. - Москва : Наука, 1990. - 212 с. - (Физика полупроводников и полупроводниковых приборов). - Библиогр.: с. 190-212. - ISBN 5020140236. - Текст : непосредственный.

Авторы: Вавилов В. С.

Шифры:
Полочный: 22.379
Авторский знак: В 12
ББК: 22.379;

Экземпляры: Всего: 1, из них:
ФМФ и ТЭФ (пр.Пионерский,13) - свободно 1 из 1

Ридли.
Квантовые процессы в полупроводниках : перевод с английского. - Москва : Мир, 1986. - 304 с. : ил. - Библиогр.: с. 301. - Текст : непосредственный.

Авторы: Ридли

Шифры:
Полочный: 22.379
Авторский знак: Р 49
ББК: 22.379;

Экземпляры: Всего: 1, из них:
ФМФ и ТЭФ (пр.Пионерский,13) - свободно 1 из 1

Аскеров, Б. М.
Электронные явления переноса в полупроводниках. - Москва : Наука, 1985. - 318 с. - Библиогр.: с. 310-318. - ISBN XXXXXXXX. - Текст : непосредственный.

Авторы: Аскеров Б. М.

Шифры:
Полочный: 22.379
Авторский знак: А 90
ББК: 22.379;

Экземпляры: Всего: 1, из них:
ФМФ и ТЭФ (пр.Пионерский,13) - свободно 1 из 1

Фистуль, В.И.
Введение в физику полупроводников : учебник для студентов вузов. - Изд.2-е ; перераб. и доп. - Москва : Высшая школа, 1984. - 352 с. : ил. - Библиогр.: с. 346-348. - Текст : непосредственный.

Авторы: Фистуль В.И.

Шифры:
Полочный: 22.379
Авторский знак: Ф 63
ББК: 22.379;

Экземпляры: Всего: 1, из них:
ФМФ и ТЭФ (пр.Пионерский,13) - свободно 1 из 1

Фотоэлектрические явления : перевод с немецкого / И. Аут, Д. Генцов, К. Герман ; под ред. В. Л. Бонч-Бруевича. - Москва : Мир, 1980. - 208 с. - Библиогр.: с. 199-206. - ISBN XXXXXXXX. - Текст : непосредственный.

Авторы: Аут И., Генцов Д., Герман К., Бонч-Бруевич В. Л.

Шифры:
Полочный: 22.379
Авторский знак: А 93
ББК: 22.379;

Экземпляры: Всего: 1, из них:
ФМФ и ТЭФ (пр.Пионерский,13) - свободно 1 из 1

Ансельман, А. И.
Введение в теорию полупроводников : учебное пособие для студентов вузов. - Изд. 2-е ; доп. и перераб. - Москва : Наука : Физматлит, 1978. - 615 с. : ил. - Текст : непосредственный.

Авторы: Ансельман А. И.

Шифры:
Полочный: 22.379
Авторский знак: А 71
ББК: 22.379;

Экземпляры: Всего: 2, из них:
ФМФ и ТЭФ (пр.Пионерский,13) - свободно 2 из 2

Бонч-Бруевич, В. Л.
Физика полупроводников : учебное пособие для вузов. - Москва : Наука, 1977. - 672 с. - Текст : непосредственный.

Авторы: Бонч-Бруевич В. Л.

Шифры:
Полочный: 22.379
Авторский знак: Б 81
ББК: 22.379;

Экземпляры: Всего: 1, из них:
Аб2 (пр.Пионерский,13) - свободно 1 из 1

Проблемы физики полупроводников : сборник статей : пер. с англ. / под ред. В. Л. Бонч-Бруевича. - Москва : Издательство иностранной литературы, 1957. - 629 с. - Текст : непосредственный.

Шифры:
Полочный: 22.379
Авторский знак: П 78
ББК: 22.379;

Экземпляры: Всего: 1, из них:
хр (пр.Металлургов,19) - свободно 1 из 1

Электрофизические свойства и определение импеданса тканей вестибулярного лабиринта / В. П. Демкин [и др.]
// Известия вузов. Физика. - 2018. - Т. 61, № 11. - С. 68-75. - ISSN 0021-3411. - Режим доступа: https://elibrary.ru/contents.asp?titleid=36517043. - Библиогр.: с. 74-75 (31 назв. ). - рис., табл.

Авторы: Демкин, В. П., Мельничук, С. В., Щетинин, П. П., Кингма, Г., Ван Де Берг, Р.

Аннотация: Предложена детализированная электрическая модель распространения тока через ткани вестибулярного лабиринта на основе анатомической структуры лабиринта, с учетом электрофизических свойств волосковых и базилярных клеток нейроэпителия. Получены формулы для импеданса вестибулярного органа и проведены расчеты фазовых смещений стимулирующего тока на основе экспериментальных данных об электрофизических и анатомических характеристиках тканей вестибулярного лабиринта морской свинки. Исследована дисперсия импеданса в интервале частот 10{1}-5? 10{4} Гц. Показано, что фазовое смещение тока по отношению к напряжению, приложенному между электродом и вестибулярным нервом, имеет немонотонный характер в зависимости от частоты. Минимальное отрицательное значение фазового смещения тока наблюдается при f = 200 Гц. Учет клеточных структур волосковых и базилярных клеток в электрической цепи показывает, что в рассматриваемом интервале частот они вносят существенный вклад в общий импеданс. Предложенная электрическая модель и результаты расчетов могут служить основой для диагностики заболеваний вестибулярного лабиринта и проектирования нового типа вестибулярных имплантов.

Хлудков, С. С.
Электрические, структурные и магнитные свойства арсенида галлия, легированного железом / С. С. Хлудков, И. А. Прудаев, О. П. Толбанов
// Известия вузов. Физика. - 2018. - Т. 61, № 3. - С. 82-88. - ISSN 0021-3411. - Режим доступа: https://elibrary.ru/contents.asp?issueid=2199341. - Библиогр.: c. 87-88 (40 назв. ). - рис.

Авторы: Хлудков, С. С., Прудаев, И. А., Толбанов, О. П.

Аннотация: Систематизированы данные по электрическим, структурным и магнитным свойствам арсенида галлия, легированного железом и полученного разными методами. Рассмотрены условия получения структур с магнитными свойствами.

Тагиев, М. М.
Электрические и гальваномагнитные свойства экструдированных образцов твердого раствора Bi[85]Sb[15] c примесями Pb и Te / М. М. Тагиев, Г. Д. Абдинова
// Известия вузов. Физика. - 2018. - Т. 61, № 11. - С. 170-173. - ISSN 0021-3411. - Режим доступа: https://elibrary.ru/contents.asp?titleid=36517043. - Библиогр.: с. 173 (18 назв. ). - рис., табл.

Авторы: Тагиев, М. М., Абдинова, Г. Д.

Аннотация: Изучено влияние примесей теллура на электропроводность (s), коэффициент Зеебека (альфа) и постоянную Холла R экструдированных образцов Bi[85]Sb[15] + 0. 001 ат. % Pb в диапазоне температур 77-300 К. Было обнаружено, что примеси теллура до 0. 001 ат. % компенсирующих акцепторных атомов Pb приводили к сильному затуханию электронной плотности и, следовательно, к увеличению Q, а значения альфа и R были значительно уменьшены. Полученные материалы могут быть использованы в качестве п-ветви термоэлементов, функционирующих при температурах ~ 77 К.

Экситонная люминесценция бислоев WSe[2] / В. С. Багаев [и др.]
// Известия вузов. Физика. - 2019. - Т. 62, № 6. - С. 88-93. - ISSN 0021-3411. - Режим доступа: https://elibrary.ru/contents.asp?titleid=7725. - Библиогр.: с. 93 (9 назв. ).

Авторы: Багаев, В. С., Николаев, С. Н., Кривобок, В. С., Чернопицский, М. А., Васильченко, А. А., Копытов, Г. Ф

Аннотация: С помощью top-down-технологии на SiO2/Si-подложках получены пленки WSe[2] толщиной в два монослоя. Толщины и состав пленок подтверждены измерениями спектров комбинационного рассеяния света, фотолюминесценции и интерференционного контраста в трех RGB-каналах. Исследована люминесценция бислоев WSe[2] при уменьшении температуры до 5 К. Показано, что при низких температурах тонкая структура спектра излучения вблизи прямого края собственного поглощения определяется рекомбинацией А-экситонов, находящихся в основном или возбужденном состоянии, а также различными комплексами (трионами и экситонами, связанными на дефектах) с их участием. Спектр излучения вблизи непрямого края фундаментального поглощения описан в рамках представлений о процессах экситонной люминесценции, при которых энергия и импульс экситона передаются фононам, соответствующим V-точке зоны Бриллюэна. Обсуждается возможный вклад электронно-дырочной жидкости в спектр излучения.

Джафарова, С. З.
Частотные и температурные характеристики поглощения акустических волн в кристаллах эпсилон-GaSe / С. З. Джафарова
// Известия вузов. Физика. - 2017. - Т. 60, № 12. - С. 87-91. - ISSN 0021-3411. - Режим доступа: https://elibrary.ru/contents.asp?issueid=1908340. - Библиогр.: c. 91 (6 назв. ). - рис.

Авторы: Джафарова, С. З.

Аннотация: Приводятся результаты измерений поглощения акустических волн в кристаллах эпсилон-GaSe. Поглощение продольной волны, распространяющейся перпендикулярно слоям (вдоль оси С6), квадратично зависит от частоты и практически не зависит от температуры, т. е. имеет ахиезеровский характер, хотя абсолютная величина поглощения существенно превосходит ожидаемые значения. При анализе частотных и температурных зависимостей поглощения пьезоактивных волн, распространяющихся вдоль слоев, вычитался вклад, обусловленный взаимодействием волн с носителями заряда. Обнаружено, что решеточное поглощение этих волн линейно зависит от частоты. Линейная частотная и при этом слабая температурная зависимость поглощения звука, характерные для добавочного сверхахиезеровского поглощения в стеклах, в данном случае могут быть следствием легкого образования в кристаллах GaSe различных политипов, отличающихся только взаимным положением слоев.

Фотодетекторы УФ-излучения на основе пленок Ga[2]O[3] с высоким быстродействием / Д. А. Алмаев, А. В. Цымбалов, В. В. Копьев, О. И. Кукенов. - Текст : электронный
// Известия вузов. Физика. - 2025. - Т. 68, № 4. - С. 35-41. - ISSN 0021-3411. - Библиогр.: с. 35-41 (20 назв. ).

Авторы: Алмаев, Д. А., Цымбалов, А. В., Копьев, В. В., Кукенов, О. И.

Аннотация: Представлены результаты исследования фотоэлектрических характеристик структур Pt/Ga[2]O[3] при воздействии ультрафиолетовым (УФ) излучением с длиной волны лябда = 254 нм. Рассмотрено влияние температуры отжига в атмосфере воздуха и времени роста пленок Ga[2]O[3] на фоточувствительность и быстродействие фотодетекторов на их основе. Пленки Ga[2]O[3] были получены методом ВЧ-магнетронного распыления на сапфировые подложки с базовой ориентацией (0001). Пленки Ga[2]O[3] характеризуются высокой прозрачностью в длинноволновом УФ- (UVA) и видимом (VIS) диапазонах. Максимальные значения токовой монохроматической чувствительности и отношения сигнал/шум характерны при напряжении 100 В и составили 140. 6 мА/Вт и 2*105 отн. ед. соответственно. Структуры обладают высоким быстродействием, времена отклика и восстановления составили 7. 6 и 2. 0 мс соответственно при напряжении 10 В. В работе показана связь между фоточувствительностью и быстродействием фотодетекторов.

Черкашина, Н. И.
Фазовые переходы и изменение электрофизических свойств WO3 в температурном диапазоне 8373 К / Н. И. Черкашина, В. И. Павленко, Р. Н. Ястребинский
// Известия вузов. Физика. - 2019. - Т. 62, № 5. - С. 126-131. - ISSN 0021-3411. - Режим доступа: https://elibrary.ru/contents.asp?titleid=7725. - Библиогр.: с. 131 (13 назв. ).

Авторы: Черкашина, Н. И., Павленко, В. И., Ястребинский, Р. Н.

Аннотация: Представлены данные по изменению кристаллической структуры и диэлектрических характеристик WO[3] в температурном диапазоне от 83 до 673 К, а также результаты рентгенофазового анализа, сканирующей электронной микроскопии изучаемых материалов. Установлено, что охлаждение порошка WO[3] до температуры 83 К вызывает изменение кристаллической фазы с триклинной на моноклинную. Дальнейший обжиг до температуры 673 К вновь изменяет кристаллическую структуру на триклинную фазу. Максимальный рефлекс для исходного WO[3], и обоженного до температуры 673 К наблюдается при 2Q = 24. 34°, а для WO[3], подвергнутого выдержке при низкой температуре, максимальный рефлекс при 2Q = 23. 08°. Обжиг порошка WO3 приводит к изменению параметра а элементарной ячейки для максимального рефлекса 2Q =24. 34°: а = 6. 333 A' (для исходного WO3), а = 6. 339 A' (для WO[3], подвергнутого обжигу). Измерены и вычислены основные электрофизические характеристики исследуемых порошков WO[3]: поверхностное сопротивление, удельное поверхностное сопротивление и удельная электропроводность, электрическая проводимость, диэлектрическая проницаемость, тангенс угла диэлектрических потерь.

Устойчивость к облучению (HgSe)[3](In[2]Se[3])<Mn> / И. П. Козярский [и др.]
// Известия вузов. Физика. - 2018. - Т. 61, № 7. - С. 3-7. - ISSN 0021-3411. - Режим доступа: https://elibrary.ru/contents.asp?titleid=7725. - Библиогр.: с. 6-7 (12 назв. ). - рис., табл.

Авторы: Козярский, И. П., Маслюк, В. Т., Марьянчук, П. Д., Майструк, Э. В., Козярский, Д. П., Мегела, И. Г., Лашкарев, Г. В.

Аннотация: Представлены результаты исследований влияния облучения электронами на электрофизические параметры кристаллов (HgSe) [3] (In[2]Se[3]) <Mn>, являющихся полумагнитными полупроводниками со стехиометрическими вакансиями. Показано, что облучение (HgSe) [3] (In[2]Se[3]) <Mn> высокоэнергетическими электронами (E[e] = 10 МэВ, доза D = 10{16} см{-2}) слабо влияет на электрофизические и магнитные свойства, что свидетельствует об их высокой радиационной стойкости.

Лебедев, С. М.
Теплофизические и диэлектрические свойства полимерных композиций, наполненных гексагональным нитридом бора / С. М. Лебедев. - Текст : электронный
// Известия вузов. Физика. - 2022. - Т. 65, № 1. - С. 82-88. - ISSN 0021-3411. - URL: https://elibrary.ru/contents.asp?id=47777911. - Библиогр.: с. 82 (36 назв. ).

Авторы: Лебедев, С. М.

Аннотация: Исследованы теплофизические и диэлектрические свойства полимерных композиций на основе линейного полиэтилена низкой плотности (ЛПЭНП) и полилактида (ПЛА), гексагональным нитридом бора (ГНБ). Установлено, что все исследованные композиции обладают диэлектрическими свойствами и повышенной теплопроводностью по сравнению с исходными полимерными матрицами. В отличие от углеродосодержащих наполнителей (углеродная сажа, графит, графен, углеродные нанотрубки), ГНБ является хорошим изолятором и поэтому наиболее пригоден в качестве наполнителя для изготовления теплоотводящих материалов светлых тонов. В то же время состав ЛПЭНП/ГНБ и ПЛА/ГНБ при содержании наполнителя 40 мас. % обладает повышенной теплопроводностью, около 0, 7 Вт * м{-1} * К{-1}, что почти на 95 и 250% выше, чем у исходных ЛПЭНП и ПЛА соответственно.