| Поле | Название | Значение |
| |
Тип записи |
x |
| |
Библиографический уровень |
b |
| 001 |
Контрольный номер |
izph18_to61_no7_ss3_ad1 |
| 005 |
Дата корректировки |
20221101120814.5 |
| 008 |
Кодируемые данные |
181029s2018||||RU|||||||||||#||||# rus0| |
| 035 |
Системный контрольный номер |
__ |
| a |
Системный контрольный номер |
RUMARS-izph18_to61_no7_ss3_ad1 |
| 2 |
|
AR-MARS |
| 040 |
Источник каталогиз. |
__ |
| a |
Служба первич. каталог. |
Научная библиотека им. М. М. Бахтина Мордовского госуниверситета им. Н. П. Огарева |
| b |
Код языка каталог. |
rus |
| 041 |
Код языка издания |
0_ |
| a |
Код языка текста |
rus |
| h |
Код языка оригинала |
rus |
| 080 |
Индекс УДК |
__ |
| a |
Индекс УДК |
539.3/.6 |
| 080 |
Индекс УДК |
__ |
| a |
Индекс УДК |
537.311.33 |
| 080 |
Индекс УДК |
__ |
| a |
Индекс УДК |
539.2 |
| 084 |
Индекс другой классификации/Индекс ББК |
__ |
| a |
Индекс другой классификации/Индекс ББК |
30.121 |
| v |
|
Таблицы для массовых библиотек |
| 084 |
Индекс другой классификации/Индекс ББК |
__ |
| a |
Индекс другой классификации/Индекс ББК |
22.379 |
| v |
|
Таблицы для массовых библиотек |
| 084 |
Индекс другой классификации/Индекс ББК |
__ |
| a |
Индекс другой классификации/Индекс ББК |
22.37 |
| v |
|
Таблицы для массовых библиотек |
| 100 |
Автор |
1_ |
| a |
Автор |
Козярский, И. П. |
| 4 |
Код отношения |
070 |
| 6 |
Связь |
z01710 |
| 245 |
Заглавие |
10 |
| a |
Заглавие |
Устойчивость к облучению (HgSe)[3](In[2]Se[3]) |
| h |
Физич. носитель |
Электронный ресурс |
| c |
Ответственность |
И. П. Козярский [и др.] |
| 300 |
Физическое описание |
__ |
| b |
Иллюстрации/ тип воспроизводства |
рис., табл. |
| 500 |
Примечания |
__ |
| a |
Примечание |
Режим доступа: https://elibrary.ru/contents.asp?titleid=7725 |
| 504 |
Библиография |
__ |
| a |
Библиография |
Библиогр.: с. 6-7 (12 назв. ) |
| 520 |
Аннотация |
__ |
| a |
Аннотация |
Представлены результаты исследований влияния облучения электронами на электрофизические параметры кристаллов (HgSe) [3] (In[2]Se[3]) , являющихся полумагнитными полупроводниками со стехиометрическими вакансиями. Показано, что облучение (HgSe) [3] (In[2]Se[3]) высокоэнергетическими электронами (E[e] = 10 МэВ, доза D = 10{16} см{-2}) слабо влияет на электрофизические и магнитные свойства, что свидетельствует об их высокой радиационной стойкости. |
| 650 |
Тематические рубрики |
_4 |
| a |
Основная рубрика |
Техника |
| 2 |
Источник рубрики |
AR-MARS |
| 650 |
Тематические рубрики |
_4 |
| a |
Основная рубрика |
Сопротивление материалов |
| 2 |
Источник рубрики |
AR-MARS |
| 650 |
Тематические рубрики |
_4 |
| a |
Основная рубрика |
Физика |
| 2 |
Источник рубрики |
AR-MARS |
| 650 |
Тематические рубрики |
_4 |
| a |
Основная рубрика |
Физика полупроводников и диэлектриков |
| 2 |
Источник рубрики |
AR-MARS |
| 650 |
Тематические рубрики |
_4 |
| a |
Основная рубрика |
Физика твердого тела. Кристаллография в целом |
| 2 |
Источник рубрики |
AR-MARS |
| 650 |
Тематические рубрики |
__ |
| x |
Основная подрубрика |
Журналы электронные |
| 653 |
Ключевые слова |
0_ |
| a |
Ключевые слова |
кластер |
| 653 |
Ключевые слова |
0_ |
| a |
Ключевые слова |
кристаллы |
| 653 |
Ключевые слова |
0_ |
| a |
Ключевые слова |
магнитная восприимчивость |
| 653 |
Ключевые слова |
0_ |
| a |
Ключевые слова |
облучение электронами |
| 653 |
Ключевые слова |
0_ |
| a |
Ключевые слова |
полупроводниковые материалы |
| 653 |
Ключевые слова |
0_ |
| a |
Ключевые слова |
электропроводность |
| 653 |
Ключевые слова |
0_ |
| a |
Ключевые слова |
электрофизика кристаллов |
| 700 |
Другие авторы |
1_ |
| a |
Другие авторы |
Маслюк, В. Т. |
| 4 |
Код отношения |
070 |
| 6 |
|
z02710 |
| 700 |
Другие авторы |
1_ |
| a |
Другие авторы |
Марьянчук, П. Д. |
| 4 |
Код отношения |
070 |
| 6 |
|
z03710 |
| 700 |
Другие авторы |
1_ |
| a |
Другие авторы |
Майструк, Э. В. |
| 4 |
Код отношения |
070 |
| 6 |
|
z04710 |
| 700 |
Другие авторы |
1_ |
| a |
Другие авторы |
Козярский, Д. П. |
| 4 |
Код отношения |
070 |
| 6 |
|
z05710 |
| 700 |
Другие авторы |
1_ |
| a |
Другие авторы |
Мегела, И. Г. |
| 4 |
Код отношения |
070 |
| 6 |
|
z06710 |
| 700 |
Другие авторы |
1_ |
| a |
Другие авторы |
Лашкарев, Г. В. |
| 4 |
Код отношения |
070 |
| 6 |
|
z07710 |
| 710 |
Другие организации |
2_ |
| a |
Организация/ юрисдикция |
Черновицкий национальный университет им. Юрия Федьковича |
| 6 |
|
z01700 |
| e |
Роль коллектива относительно произведения |
Вторичная ответственность |
| 710 |
Другие организации |
2_ |
| a |
Организация/ юрисдикция |
Институт электронной физики НАН Украины |
| 6 |
|
z02700 |
| e |
Роль коллектива относительно произведения |
Вторичная ответственность |
| 710 |
Другие организации |
2_ |
| a |
Организация/ юрисдикция |
Черновицкий национальный университет им. Юрия Федьковича |
| 6 |
|
z03700 |
| e |
Роль коллектива относительно произведения |
Вторичная ответственность |
| 710 |
Другие организации |
2_ |
| a |
Организация/ юрисдикция |
Черновицкий национальный университет им. Юрия Федьковича |
| 6 |
|
z04700 |
| e |
Роль коллектива относительно произведения |
Вторичная ответственность |
| 710 |
Другие организации |
2_ |
| a |
Организация/ юрисдикция |
Черновицкий национальный университет им. Юрия Федьковича |
| 6 |
|
z05700 |
| e |
Роль коллектива относительно произведения |
Вторичная ответственность |
| 710 |
Другие организации |
2_ |
| a |
Организация/ юрисдикция |
Институт электронной физики НАН Украины |
| 6 |
|
z06700 |
| e |
Роль коллектива относительно произведения |
Вторичная ответственность |
| 710 |
Другие организации |
2_ |
| a |
Организация/ юрисдикция |
Институт проблем материаловедения им. И. Н. Францевича НАН Украины |
| 6 |
|
z07700 |
| e |
Роль коллектива относительно произведения |
Вторичная ответственность |
| 773 |
Источник информации |
__ |
| x |
ISSN |
0021-3411 |
| t |
Название источника |
Известия вузов. Физика |
| d |
Место и дата издания |
2018 |
| g |
Прочая информация |
Т. 61, № 7. - С. 3-7 |
| w |
Контрольный № источника |
RU/IS/BASE/588070513 |
| 801 |
Источник записи |
_0 |
| a |
Код страны участника АРБИКОН |
RU |
| b |
Код библиотеки-участника АРБИКОН |
43013090 |
| c |
Дата составления записи |
20181029 |
| g |
|
RCR |
| 801 |
Источник записи |
_1 |
| a |
Код страны участника АРБИКОН |
RU |
| b |
Код библиотеки-участника АРБИКОН |
43013090 |
| c |
Дата составления записи |
20181029 |
| 801 |
Источник записи |
_2 |
| a |
Код страны участника АРБИКОН |
RU |
| b |
Код библиотеки-участника АРБИКОН |
AR-MARS |
| c |
Дата составления записи |
20181029 |
| g |
|
RCR |
| 801 |
Источник записи |
_3 |
| a |
Код страны участника АРБИКОН |
RU |
| b |
Код библиотеки-участника АРБИКОН |
AR-MARS |
| c |
Дата составления записи |
20181029 |
| 856 |
Электронный адрес документа |
__ |
| z |
Примечание для пользователя |
Режим доступа: с компьютеров КГПИ КемГУ, авторизованный |
| u |
URL |
https://elibrary.ru/contents.asp?titleid=7725 |
| 901 |
Тип документа |
__ |
| t |
Тип документа |
b |
| 903 |
Служебное поле (Проект МАРС) |
__ |
| a |
Код характеристики |
code |
| b |
Значение характеристики |
izph |
| d |
|
36 |
| 903 |
Служебное поле (Проект МАРС) |
__ |
| a |
Код характеристики |
year |
| b |
Значение характеристики |
2018 |
| 903 |
Служебное поле (Проект МАРС) |
__ |
| a |
Код характеристики |
to |
| b |
Значение характеристики |
61 |
| 903 |
Служебное поле (Проект МАРС) |
__ |
| a |
Код характеристики |
no |
| b |
Значение характеристики |
7 |
| 903 |
Служебное поле (Проект МАРС) |
__ |
| a |
Код характеристики |
ss |
| b |
Значение характеристики |
3 |
| 903 |
Служебное поле (Проект МАРС) |
__ |
| a |
Код характеристики |
ad |
| b |
Значение характеристики |
1 |
| 911 |
Журнальная рубрика (Проект МАРС) |
__ |
| a |
Сведения о журнальных рубриках |
Физика полупроводников и диэлектриков |