Диоды и тиристоры в преобразовательных установках / М. И. Абрамович [и др.]. - Москва : Энергоатомиздат, 1992. - 430 с. : ил. - Библиогр.: с. 424-430. - ISBN 5283006700. - Текст : непосредственный.

Авторы: Абрамович М. И., Бабайлов В. М., Либер В. Е., Савкович А. А.

Шифры:
Полочный: 32.852
Авторский знак: Д 46
ББК: 32.852;

Экземпляры: Всего: 1, из них:
ФМФ и ТЭФ (пр.Пионерский,13) - свободно 1 из 1

Васерин, Н. Н.
Применение полупроводниковых индикаторов / Н. Н. Васерин, Н. К. Дадерко, Г. А. Прокофьев. - Москва : Энегоатомиздат, 1991. - 196 с. : ил. - Библиогр.: с. 195-196. - ISBN 5283015246. - Текст : непосредственный.

Авторы: Васерин Н. Н.

Шифры:
Полочный: 32.852
Авторский знак: В 19
ББК: 32.852;

Экземпляры: Всего: 1, из них:
ФМФ и ТЭФ (пр.Пионерский,13) - свободно 1 из 1

Коломбет, Е. А.
Применение аналоговых микросхем / Коломбет Е. А., Юркович К., Зодл Я. - Москва; Братислава : Радио и связь ; Альфа, 1990. - 320 с. : ил. - ISBN 5256003410; 8005005288. - Текст : непосредственный.

Авторы: Коломбет Е. А., Юркович К., Зодл Я.

Шифры:
Полочный: 32.852
Авторский знак: К 61
ББК: 32.852;

Экземпляры: Всего: 1, из них:
ФМФ и ТЭФ (пр.Пионерский,13) - свободно 1 из 1

Мокеев, О. К.
Полупроводниковые приборы и микросхемы : учебное пособие для ПТУ. - Москва : Высшая школа, 1987. - 112 с. : ил. - ISBN XXXXXXXX. - Текст : непосредственный.

Авторы: Мокеев О. К.

Шифры:
Полочный: 32.852
Авторский знак: М 74
ББК: 32.852;

Экземпляры: Всего: 1, из них:
ФМФ и ТЭФ (пр.Пионерский,13) - свободно 1 из 1

Блихер, А.
Физика силовых биполярных транзисторов : перевод с английского / под ред. И.В.Грехова. - Ленинград : Энергоатомиздат, 1986. - 248 с. : ил. - Библиогр.: с. 238-245. - ISBN XXXXXXXX. - Текст : непосредственный.

Авторы: Блихер А.

Шифры:
Полочный: 32.852
Авторский знак: Б 69
ББК: 32.852;

Экземпляры: Всего: 1, из них:
ФМФ и ТЭФ (пр.Пионерский,13) - свободно 1 из 1

Электрофизические и физико-химические свойства омических контактов для соединений III-N / В. Н. Брудный [и др.]
// Известия вузов. Физика. - 2018. - Т. 61, № 8. - С. 73-78. - ISSN 0021-3411. - Режим доступа: https://elibrary.ru/contents.asp?titleid=7725. - Библиогр.: с. 77-78 (53 назв. ). - рис., табл.

Авторы: Брудный, В. Н., Вилисова, М. Д., Великовский, Л. Э., Сим, П. Е., Брудный, П. А.

Аннотация: Проведен анализ экспериментальных данных по исследованию омических контактов на основе однослойных и многослойных металлизаций к GaN и твердым растворам (In, Al, Ga) N. Экспериментально исследованы металлизации Ti/Al/Mo/Au и Ti/Al/Mo/W/Au к нелегированному GaN и влияние обработки поверхности пластин GaN перед металлизацией, а также режима отжига контакта.

Давыдов, В. Н.
Эквивалентная схема гетероструктуры с множественными квантовыми ямами / В. Н. Давыдов, Д. А. Новиков
// Известия вузов. Физика. - 2015. - Т. 58, № 7. - С. 102-109. - ISSN 0021-3411. - Библиогр.: c. 109 (8 назв. ). - рис.

Авторы: Давыдов, В. Н., Новиков, Д. А.

Аннотация: Из рассмотрения физических процессов в гетероструктуре с квантовыми ямами (КЯ) оставлена ее эквивалентная схема, включающая барьерную емкость и дифференциальное сопротивление p-n -перехода, емкость и сопротивление релаксации заряда в КЯ, а также сопротивление поставки свободных носителей заряда в КЯ. Получены аналитические выражения для эквивалентной емкости и эквивалентного сопротивления гетероструктуры последовательной схемы замещения, а также проанализировано поведение эквивалентных параметров при изменении частоты тестового сигнала. Результаты экспериментальных исследований емкостных и резистивных свойств гетероструктур с КЯ на основе барьеров InGaN/GaN подтверждают расчетные зависимости их эквивалентных параметров, а также показывают их зависимость от особенностей кинетических свойств гетероструктур.

Алмаев, А. В.
Характеристики сенсоров водорода на основе тонких пленок диоксида олова, модифицированных платиной, палладием, серебром и иттрием / А. В. Алмаев, В. И. Гаман
// Известия вузов. Физика. - 2018. - Т. 61, № 6. - С. 136-141. - ISSN 0021-3411. - Режим доступа: https://elibrary.ru/contents.asp?titleid=7725. - Библиогр.: с. 141 (6 назв. ). - рис., табл.

Авторы: Алмаев, А. В., Гаман, В. И.

Аннотация: Исследуется зависимость характеристик сенсоров водорода на основе тонких пленок Pt/Pd/SnO[2]: Sb, Ag, Y и Ag/SnO[2]: Sb, Ag, Y, полученных методом магнетронного распыления на постоянном токе, от уровня влажности газовой смеси при работе в режиме термоциклирования. Анализ экспериментальных данных проводился при помощи выражений, полученных на основе модели диссоциативной адсорбции молекул водорода и воды на поверхности SnO[2] с учетом наличия трех типов адсорбированных частиц: О{-}, ОН, ОН{-}. Использование сложных модификаторов Pt/Pd, Ag на поверхности и Ag + Y в объеме пленок диоксида олова позволяет снизить влияние влажности на характеристики сенсоров. Установлена роль этих модифицирующих добавок в процессе диссоциативной адсорбции молекул водорода на поверхность пленок SnO{2} во влажной среде.

Алмаев, А. В.
Характеристики сенсоров водорода на основе тонких пленок диоксида олова, модифицированных золотом / А. В. Алмаев, В. И. Гаман
// Известия вузов. Физика. - 2017. - Т. 60, № 7. - С. 3-8. - ISSN 0021-3411. - Режим доступа: https://elibrary.ru/contents.asp?issueid=1880400. - Библиогр.: c. 8 (6 назв. ). - рис., табл.

Авторы: Алмаев, А. В., Гаман, В. И.

Аннотация: Представлены результаты исследований характеристик сенсоров на основе тонких пленок диоксида олова, модифицированных золотом (Au/SnO[2]: Sb, Au), в режиме термоциклирования в интервалах температур от 623 до 773 K и абсолютной влажности от 2. 5 до 20 г/м{3}, при воздействии водорода концентрацией от 10 до 2000 ppm. Экспериментальные данные обсуждаются при использовании выражений, полученных в рамках модели, учитывающей наличие трех типов адсорбированных частиц (O-, OH и OH-) на поверхности нанокристаллов SnO[2]. Проведено сравнение характеристик сенсоров на основе тонких пленок Pt/Pd/SnO[2]: Sb (первая серия) и Au/SnO[2]: Sb, Au (вторая серия). Установлено, что степень диссоциации молекулярного водорода на атомы при адсорбции на сенсор и взаимодействии с частицами Au на поверхности SnO[2] в 4 раза больше, чем при взаимодействии с частицами Pt/Pd. Степень диссоциации молекул H[2]O на атомы водорода и гидроксильные группы в чистом влажном воздухе на поверхности сенсоров второй серии в 1. 6 раза больше, чем на поверхности сенсоров первой серии. Таким образом, золото является более эффективным стимулятором диссоциации молекул H[2] и H[2]O, чем платина и палладий. Получена формула, которая более точно описывает зависимости отклика сенсоров обеих серий на воздействие водорода от концентрации этого газа и от температуры приборов.

Схемотехнические SPICE-модели биполярных и МОП-транзисторов для автоматизации проектирования радиационно стойких БИС / К. О. Петросянц [и др.]
// Информационные технологии. - 2015. - Т. 21, № 12. - С. 916-922. - ISSN 1684-6400. - Библиогр.: с. 922 (27 назв.).

Авторы: Петросянц, К. О., Харитонов, И. А., Кожухов, М. В., Самбурский, Л. М.

Аннотация: В работе сделана попытка снять существующие ограничения в части учета радиационных эффектов. Предложен набор компактных схемотехнических моделей биполярных и МОП-транзисторов, учитывающих различные виды радиационных воздействий.

Структура и свойства поверхностного слоя цирконий-ниобиевого сплава, подвергнутого высокодозной имплантации ионами изотопа бора 10В+ / Ю. Ф. Иванов, В. П. Фролова, А. С. Бугаев [и др.]. - Текст : непосредственный
// Известия вузов. Физика. - 2021. - Т. 64, № 5. - С. 26-31. - ISSN 0021-3411. - Библиогр.: с. 31 (12 назв. ).

Авторы: Иванов, Ю. Ф., Фролова, В. П., Бугаев, А. С., Кадлубович, Б. Е., Николаев, А. Г., Петрикова, Е. А., Толкачев, О. С., Юшков, Г. Ю.

Аннотация: Создание имплантированных изотопом бора 10В слоев на элементах активной зоны ядерного реактора, вследствие аномально большого сечения захвата нейтронов, может обеспечить снижение реактивности реактора в начале компании по его эксплуатации. Установлено, что имплантация ионами бора 10В+ с энергией 22 кэВ при дозе 7*10{16} ион/см{2} приводит к увеличению микротвердости поверхности с 3 ГПа для исходного до 3. 7 ГПа для имплантированного образца. Обнаружено, что скорость коррозии образцов сплава Э110 в 1%-м растворе HF после имплантации (энергия ионов 10В+ - 22 кэВ, доза – 7*10{16} ион/см{2} в 1. 2-1. 4 раза ниже, чем для исходного сплава. Показано, что имплантация сплава Э110 ионами бора 10В+ сопровождается формированием в поверхностном слое субзеренной структуры размерностью 100-200 нм, увеличением скалярной плотности дислокаций, выделением наноразмерных 1. 8-2. 3 нм частиц борида циркония.

Сильноточный имульсно-периодический ускоритель электронов "SINUS-320": формирование и диагностика широкоапертурного пучка / В. В. Ростов [и др.]
// Известия вузов. Физика. - 2019. - Т. 62, № 7. - С. 147-152. - ISSN 0021-3411. - Режим доступа: https://elibrary.ru/contents.asp?id=39214844. - Библиогр.: с. 152 (22 назв. ).

Авторы: Ростов, В. В., Бармин, В. В., Ландль, В. Ф., Выходцев, П. В., Артёмов, К. П., Степченко, А. С.

Аннотация: Описывается источник широкоапертурного (16 * 27 см) пучка электронов с энергией 450 кэВ, током 9 кА, длительностью импульсов 12 нс и частотой повторения до 100 Гц, разработанный для стерилизации пластиковых пакетов. Формирование пучка электронов обеспечивается с помощью металлодиэлектрического катода, на котором в течение фронта напряжения за несколько наносекунд формируется взрывоэмиссионная плазма. За счёт большого числа (~ 800) тройных точек металл - диэлектрик - вакуум, а также в результате рассеяния электронов при прохождении анодной фольги и слоя воздуха достигается высокая равномерность электронного потока на расстоянии 3 см от фольги при характерном пробеге электронов в воздух до 0. 5 м.

Свойства резистивных сенсоров водорода в зависимости от добавок 3d-металлов, введенных в объем тонких нанокристаллических пленок SnO[2] / Е. Ю. Севастьянов [и др.]
// Известия вузов. Физика. - 2017. - Т. 60, № 7. - С. 13-16. - ISSN 0021-3411. - Режим доступа: https://elibrary.ru/contents.asp?issueid=1880400. - Библиогр.: c. 16 (13 назв. ). - рис.

Авторы: Севастьянов, Е. Ю., Максимова, Н. К., Потекаев, А. И., Сергейченко, Н. В., Черников, Е. В., Алмаев, А. В., Кушнарев, Б. О.

Аннотация: Анализ результатов исследования электрических и газочувствительных характеристик сенсоров молекулярного водорода на основе тонких нанокристаллических пленок SnO[2] с нанесенными на поверхность дисперсными слоями Au и примесями Au+Ni и Au+Co в объеме показал, что характеристики данных сенсоров отличаются повышенной стабильностью при длительном воздействии водорода по сравнению с пленками, модифицированными только золотом Au/SnO[2]: Sb, Au. Получено, что введение добавок никеля и кобальта способствует увеличению изгиба зон на межзеренных границах диоксида олова уже в свежеприготовленных образцах, что свидетельствует о росте плотности хемосорбированного кислорода N[i]. Важно, что в процессе испытаний происходит незначительное дополнительное увеличение изгиба зон e фи[s] на межзеренных границах диоксида олова. Можно полагать, что при кристаллизации пленок в процессе термического отжига атомы 3 d -металлов в объеме SnO[2] частично сегрегируют на поверхности микрокристаллов и образуют связи с решеточным кислородом, формируются атомы сверхстехиометрического олова, плотность N[i] растет. Если связи кислорода с никелем и кобальтом более прочные, чем с сурьмой, то при длительных испытаниях атомарный водород будет окисляться не решеточным, а преимущественно хемосорбированным кислородом, при этом стабильность характеристик сенсоров увеличивается.

Свойства полупроводниковых нанокристаллических сенсоров СО и продуктов пиролиза в зависимости от температуры и длительности циклов нагрева и охлаждения / Е. Ю. Севастьянов [и др.]
// Известия вузов. Физика. - 2017. - Т. 60, № 7. - С. 9-12. - ISSN 0021-3411. - Режим доступа: https://elibrary.ru/contents.asp?issueid=1880400. - Библиогр.: c. 12 (9 назв. ). - рис.

Авторы: Севастьянов, Е. Ю., Максимова, Н. К., Потекаев, А. И., Черников, Е. В., Сергейченко, Н. В.

Аннотация: Анализ временных зависимостей проводимости сенсоров СО на основе тонких нанокристаллических пленок диоксида олова в обычном четырехэлектродном и планарном трехэлектродном исполнении в режиме термоциклирования показал, что использование сенсоров Pt/Pd/SnO[2]: Sb в планарном исполнении в режиме термоциклирования с длительным циклом охлаждения обеспечивает возможность детектирования продуктов тления при существенном снижении потребляемой энергии.

Пасынков, В. В.
Полупроводниковые приборы / Пасынков В. В., Чиркин Л. К. - 9-е изд. - Санкт-Петербург : Лань. - 480 с. - ISBN 978-5-8114-0368-4.

Авторы: Пасынков В. В., Чиркин Л. К.

Шифры:
Полочный: ЭБС ЛАНЬ
ББК: 32.852;

Аннотация: Доп.Мин.обр.РФ для студентов ВУЗов, обучающихся по направлению подготовки бакалавров и магистров "Электроника и микроэлектроника" и по направлению подготовки дипломированных специалистов "Электроника и микроэлектроника". В книге рассмотрены физические процессы в полупроводниковых приборах и элементах интегральных микросхем, их основные свойства, характеристики и параметры, конструктивно-технологические особенности полупроводниковых приборов в интегральном исполнении и общие принципы микроэлектроники. Книга предназначена для студентов, обучающихся по образовательным программам подготовки бакалавров, магистров и дипломированных специалистов по направлению "Электроника и микроэлектроника".

Игумнов, Д. В.
Основы полупроводниковой электроники / Игумнов Д. В., Костюнина Г. П. - 2-е изд., доп. - Москва : Горячая линия-Телеком. - 394 с. - Допущено УМО по образованию в области прикладной информатики в качестве учебного пособия для студентов высших учебных заведений, обучающихся по специальности «Прикладная информатика» и другим междисциплинарным специальностям. - ISBN 978-5-9912-0180-3.

Авторы: Игумнов Д. В., Костюнина Г. П.

Шифры:
Полочный: ЭБС ЛАНЬ
ББК: 32.852;

Аннотация: В книге изложены основы построения современных полупроводниковых аналоговых и цифровых устройств. Приведены сведения о физических явлениях в полупроводниковых элементах, рассмотрены различные диоды, биполярные и полевые транзисторы. Описаны особенности интегральных схем. Основное внимание уделяется рассмотрению разнообразных транзисторных и интегральных устройств непрерывного и импульсного действия. В настоящем издании (первое издание вышло в свет в 1995 г.) приведена информация об одноэлектронных транзисторах, дополнен раздел «Постоянные запоминающие устройства» и добавлен раздел «Микропроцессоры». Для студентов вузов, будет полезна специалистам смежных с электроникой областей, которые занимаются вопросами, требующими от них дополнительных знаний по электронике.

Лалаянц, И. Э.
Одноатомный транзистор / И. Э. Лалаянц
// Химия - Первое сентября. - 2012. - № 8. - С. 60-61. - Библиогр.: с. 61. - 3 ил.

Авторы: Лалаянц, И. Э.

Аннотация: Международный коллектив ученых разработал транзистор, состоящий всего из одного атома. Его работа основана на точечном замещении атомов кремния на атомы форфора в кристаллической решетке кремниевой подложки. Авторы полагают, что промышленное производство таких устройств станет возможным к 2020 г.

Быкова, Н.
Нитрид галлия идет на смену кремнию / Наталья Быкова. - Текст : непосредственный
// Эксперт. - 2022. - № 17/18. - С. 68-71. - ISSN 1812-1896. - 1 граф., 1 табл., цв. фот.

Авторы: Быкова, Н.

Аннотация: Приводится краткая информация о свойствах нитрида галлия (GaN), делающих его перспективным материалом для микроэлектроники, а также изучении его потенциала в отечественных и зарубежных лабораториях. Рассказывается о сферах применения разработок, основанных на GaN-технологиях. Освещается деятельность российских научно-исследовательских институтов по созданию полупроводниковых электронных устройств на базе нитрида галлия.

Малышев, И. В.
Нелинейность коэффициента диффузии горячих носителей в объеме полупроводника под действием электрического и магнитного полей / И. В. Малышев, К. А. Филь, Н. В. Паршина
// Известия вузов. Физика. - 2017. - Т. 60, № 6. - С. 3-6. - ISSN 0021-3411. - Режим доступа: https://elibrary.ru/contents.asp?issueid=1839868. - Библиогр.: c. 6 (4 назв. ). - рис.

Авторы: Малышев, И. В., Филь, К. А., Паршина, Н. В.

Аннотация: На основе феноменологического рассмотрения процессов дрейфа и разогрева носителей в объеме полупроводников типа А III B V в сильных перекрёстных электрических и магнитных полях построена квазитрехмерная модель, описывающая основные кинетические составляющие параметров тока. Проанализировано поведение коэффициента диффузии в условиях такого воздействия. Выявлено, что неравенство продольной и поперечной компонент эффективной массы и кинетической энергии приводит к сильным различиям компонент коэффициента диффузии и дрейфовой скорости. Проанализировано поведение дрейфовой и диффузионной характеристик в магнитных полях с различной интенсивностью индукции. Получено, что при увеличении магнитной индукции возникает рост значения продольной компоненты скорости, а в дальнейшем на дрейфовой поперечной индукционной характеристике возникают падающие участки, что свидетельствует о возможности использования этого эффекта для создания нелинейных индукционных активных элементов. Обнаружена анизотропия на поперечной диффузионной индукционной характеристике, выражающаяся в том, что при больших значениях Bz > 2 Тл происходит "расщепление" максимума на два, что также перспективно с точки зрения создания нового класса преобразовательных устройств.

Любавин, К. Д. (ведущий инженер; АО "Крафтвэй Корпорэйшн ПЛС" (Москва)).
Методы построения высокопроизводительных межсоединений системных шин для систем на кристалле = Methods for constructing high-performance Interconnects in System-On-Chip Designs / К. Д. Любавин, Д. В. Тельпухов. - Текст : электронный
// Информационные технологии. - 2024. - Т. 30, № 8. - С. 433-439. - ISSN 1684-6400.

Авторы: Любавин, К. Д., Тельпухов, Д. В.

Аннотация: Рассмотрены вопросы построения высокопроизводительных межсоединений (интерконнектов) для систем на кристалле.