Поле | Название | Значение |
|
Тип записи |
x |
|
Библиографический уровень |
b |
001 |
Контрольный номер |
izph21_to64_no2_ss63_ad1 |
005 |
Дата корректировки |
20221101103910.7 |
008 |
Кодируемые данные |
210820s2021||||RU|||||||||||#||||# rus0| |
035 |
Системный контрольный номер |
__ |
a |
Системный контрольный номер |
RUMARS-izph21_to64_no2_ss63_ad1 |
2 |
|
AR-MARS |
040 |
Источник каталогиз. |
__ |
a |
Служба первич. каталог. |
Научная библиотека им. М. М. Бахтина Мордовского госуниверситета им. Н. П. Огарева |
b |
Код языка каталог. |
rus |
041 |
Код языка издания |
0_ |
a |
Код языка текста |
rus |
h |
Код языка оригинала |
rus |
080 |
Индекс УДК |
__ |
a |
Индекс УДК |
539.2 |
084 |
Индекс другой классификации/Индекс ББК |
__ |
a |
Индекс другой классификации/Индекс ББК |
22.37 |
v |
|
Таблицы для массовых библиотек |
100 |
Автор |
1_ |
a |
Автор |
Кулинич, И. В. |
4 |
Код отношения |
070 |
245 |
Заглавие |
10 |
a |
Заглавие |
Формирование наноразмерных T-образных затворов с использованием метода направленного углового напыления тонких пленок алюминия |
c |
Ответственность |
И. В. Кулинич, А. И. Казимиров, Е. В. Шестериков |
336 |
Вид содержания |
__ |
a |
Термин вида содержания |
Текст |
337 |
Средство доступа |
__ |
a |
Термин типа средства |
электронный |
500 |
Примечания |
__ |
a |
Примечание |
URL: https://elibrary.ru/contents.asp?id=44852147 |
504 |
Библиография |
__ |
a |
Библиография |
Библиогр.: с. 68 (2 назв. ) |
520 |
Аннотация |
__ |
a |
Аннотация |
Представлена технология изготовления Т -образных затворов GaAs-транзисторов с использованием оптической литографии и уникального метода направленного углового напыления тонких алюминиевых пленок. Минимальная длина ножки Т -образного затвора, сформированного по разработанной технологии, составила L[g] = 25 нм. GaAs-транзистор с Т-образным затвором, сформированным с использованием углового направленного напыления, продемонстрировал ток насыщения сток-исток I СИ[ н] = 140 мА/мм, напряжение пробоя затвор-сток, по уровню тока I [зс] = 50 мкА, составило U [ЗС проб] = 9 В, напряжение отсечки U [отс] = 2 В. |
650 |
Тематические рубрики |
_4 |
a |
Основная рубрика |
Физика |
2 |
Источник рубрики |
AR-MARS |
650 |
Тематические рубрики |
_4 |
a |
Основная рубрика |
Физика твердого тела. Кристаллография в целом |
2 |
Источник рубрики |
AR-MARS |
653 |
Ключевые слова |
0_ |
a |
Ключевые слова |
GaAs-транзисторы |
653 |
Ключевые слова |
0_ |
a |
Ключевые слова |
наноразмер |
653 |
Ключевые слова |
0_ |
a |
Ключевые слова |
оптическая литография |
653 |
Ключевые слова |
0_ |
a |
Ключевые слова |
пленки алюминия |
653 |
Ключевые слова |
0_ |
a |
Ключевые слова |
Т-образные затворы |
653 |
Ключевые слова |
0_ |
a |
Ключевые слова |
тонкие пленки алюминия |
653 |
Ключевые слова |
0_ |
a |
Ключевые слова |
угловое напыление тонких пленок алюминия |
700 |
Другие авторы |
1_ |
a |
Другие авторы |
Казимиров, А. И. |
4 |
Код отношения |
070 |
700 |
Другие авторы |
1_ |
a |
Другие авторы |
Шестериков, Е. В. |
4 |
Код отношения |
070 |
773 |
Источник информации |
__ |
x |
ISSN |
0021-3411 |
t |
Название источника |
Известия вузов. Физика |
d |
Место и дата издания |
2021 |
g |
Прочая информация |
Т. 64, № 2. - С. 63-68 |
w |
Контрольный № источника |
55f308c01ddd4cca95f8fdd1a2808463 |
801 |
Источник записи |
_0 |
a |
Код страны участника АРБИКОН |
RU |
b |
Код библиотеки-участника АРБИКОН |
43013090 |
c |
Дата составления записи |
20210820 |
g |
|
RCR |
801 |
Источник записи |
_1 |
a |
Код страны участника АРБИКОН |
RU |
b |
Код библиотеки-участника АРБИКОН |
43013090 |
c |
Дата составления записи |
20210820 |
801 |
Источник записи |
_2 |
a |
Код страны участника АРБИКОН |
RU |
b |
Код библиотеки-участника АРБИКОН |
AR-MARS |
c |
Дата составления записи |
20210820 |
g |
|
RCR |
801 |
Источник записи |
_3 |
a |
Код страны участника АРБИКОН |
RU |
b |
Код библиотеки-участника АРБИКОН |
AR-MARS |
c |
Дата составления записи |
20210820 |
856 |
Электронный адрес документа |
4_ |
u |
URL |
https://elibrary.ru/contents.asp?id=44852147 |
z |
Примечание для пользователя |
Режим доступа: с компьютеров КГПИ КемГУ, авторизованный |
901 |
Тип документа |
__ |
t |
Тип документа |
b |
903 |
Служебное поле (Проект МАРС) |
__ |
a |
Код характеристики |
code |
b |
Значение характеристики |
izph |
d |
|
36 |
903 |
Служебное поле (Проект МАРС) |
__ |
a |
Код характеристики |
year |
b |
Значение характеристики |
2021 |
903 |
Служебное поле (Проект МАРС) |
__ |
a |
Код характеристики |
to |
b |
Значение характеристики |
64 |
903 |
Служебное поле (Проект МАРС) |
__ |
a |
Код характеристики |
no |
b |
Значение характеристики |
2 |
903 |
Служебное поле (Проект МАРС) |
__ |
a |
Код характеристики |
ss |
b |
Значение характеристики |
63 |
903 |
Служебное поле (Проект МАРС) |
__ |
a |
Код характеристики |
ad |
b |
Значение характеристики |
1 |
911 |
Журнальная рубрика (Проект МАРС) |
__ |
a |
Сведения о журнальных рубриках |
Физика полупроводников и диэлектриков |