| Поле | Название | Значение |
| |
Тип записи |
a |
| |
Библиографический уровень |
b |
| 001 |
Контрольный номер |
izph15_to58_no8_ss131_ad1 |
| 005 |
Дата корректировки |
20221031154430.9 |
| 008 |
Кодируемые данные |
160216s2015||||RU|||||||||||#||||# rus0| |
| 035 |
Системный контрольный номер |
__ |
| a |
Системный контрольный номер |
RUMARS-izph15_to58_no8_ss131_ad1 |
| 2 |
|
AR-MARS |
| 040 |
Источник каталогиз. |
__ |
| a |
Служба первич. каталог. |
Научная библиотека им. М. М. Бахтина Мордовского госуниверситета им. Н. П. Огарева |
| b |
Код языка каталог. |
rus |
| 041 |
Код языка издания |
0_ |
| a |
Код языка текста |
rus |
| h |
Код языка оригинала |
rus |
| 080 |
Индекс УДК |
__ |
| a |
Индекс УДК |
539.2 |
| 084 |
Индекс другой классификации/Индекс ББК |
__ |
| a |
Индекс другой классификации/Индекс ББК |
22.37 |
| v |
|
Таблицы для массовых библиотек |
| 100 |
Автор |
1_ |
| a |
Автор |
Березная, С. А. |
| 4 |
Код отношения |
070 |
| 245 |
Заглавие |
10 |
| a |
Заглавие |
Спектры пропускания и генерация терагерцовых импульсов в структурах SiO_2-GaSe, TiO_2-GaSe и Ga_2O_3-GaSe и GaSe:S |
| h |
Физич. носитель |
Текст |
| c |
Ответственность |
С. А. Березная [и др.] |
| 300 |
Физическое описание |
__ |
| b |
Иллюстрации/ тип воспроизводства |
рис. |
| 504 |
Библиография |
__ |
| a |
Библиография |
Библиогр.: c. 134-135 (20 назв. ) |
| 520 |
Аннотация |
__ |
| a |
Аннотация |
Проведено термическое и магнетронное напыление аморфных тонких пленок SiO_2, TiO_2 и Ga_2O_3 на поверхность кристаллов GaSe. Установлено, что при различных технологических условиях слои SiO_2 и TiO_2 на поверхности GaSe растрескиваются, в то время как Ga 2O_3 образует совершенные пленки. Проведено сравнение спектров пропускания и эффективности генерации терагерцовых импульсов в структурах SiO _2-GaSe, TiO_2-GaSe и Ga_2O_3-GaSe и кристаллах GaSe: S 0. 9 мас. % и GaSe: S 7 мас. %. Установлено, что с ростом концентрации серы в кристаллах GaSe: S эффективность генерации терагерцового излучения при оптическом выпрямлении фемтосекундных лазерных импульсов уменьшается. Среди исследованных пленок на поверхности GaSe наименьшее влияние на эффективность генерации оказывает пленка SiO_2. |
| 650 |
Тематические рубрики |
_4 |
| a |
Основная рубрика |
Физика |
| 2 |
Источник рубрики |
AR-MARS |
| 650 |
Тематические рубрики |
_4 |
| a |
Основная рубрика |
Физика твердого тела. Кристаллография в целом |
| 2 |
Источник рубрики |
AR-MARS |
| 653 |
Ключевые слова |
0_ |
| a |
Ключевые слова |
генерация терагерцового излучения |
| 653 |
Ключевые слова |
0_ |
| a |
Ключевые слова |
оксид галлия |
| 653 |
Ключевые слова |
0_ |
| a |
Ключевые слова |
селенид галлия |
| 653 |
Ключевые слова |
0_ |
| a |
Ключевые слова |
спектры пропускания |
| 653 |
Ключевые слова |
0_ |
| a |
Ключевые слова |
терагерцовое излучение |
| 653 |
Ключевые слова |
0_ |
| a |
Ключевые слова |
тонкие пленки |
| 700 |
Другие авторы |
1_ |
| a |
Другие авторы |
Зарубин, А. Н. |
| 4 |
Код отношения |
070 |
| 700 |
Другие авторы |
1_ |
| a |
Другие авторы |
Коротченко, З. В. |
| 4 |
Код отношения |
070 |
| 700 |
Другие авторы |
1_ |
| a |
Другие авторы |
Прудаев, И. А. |
| 4 |
Код отношения |
070 |
| 700 |
Другие авторы |
1_ |
| a |
Другие авторы |
Редькин, Р. А. |
| 4 |
Код отношения |
070 |
| 700 |
Другие авторы |
1_ |
| a |
Другие авторы |
Саркисов, С. Ю. |
| 4 |
Код отношения |
070 |
| 700 |
Другие авторы |
1_ |
| a |
Другие авторы |
Толбанов, О. П. |
| 4 |
Код отношения |
070 |
| 773 |
Источник информации |
__ |
| x |
ISSN |
0021-3411 |
| t |
Название источника |
Известия вузов. Физика |
| d |
Место и дата издания |
2015 |
| g |
Прочая информация |
Т. 58, № 8. - С. 131-135 |
| t |
Название источника |
Известия высших учебных заведений. Физика |
| w |
Контрольный № источника |
RU/IS/BASE/498827190 |
| 801 |
Источник записи |
_0 |
| a |
Код страны участника АРБИКОН |
RU |
| b |
Код библиотеки-участника АРБИКОН |
43013090 |
| c |
Дата составления записи |
20160216 |
| g |
|
RCR |
| 801 |
Источник записи |
_1 |
| a |
Код страны участника АРБИКОН |
RU |
| b |
Код библиотеки-участника АРБИКОН |
43013090 |
| c |
Дата составления записи |
20160216 |
| 801 |
Источник записи |
_2 |
| a |
Код страны участника АРБИКОН |
RU |
| b |
Код библиотеки-участника АРБИКОН |
AR-MARS |
| c |
Дата составления записи |
20160216 |
| g |
|
RCR |
| 801 |
Источник записи |
_3 |
| a |
Код страны участника АРБИКОН |
RU |
| b |
Код библиотеки-участника АРБИКОН |
AR-MARS |
| c |
Дата составления записи |
20160216 |
| 901 |
Тип документа |
__ |
| t |
Тип документа |
b |
| 903 |
Служебное поле (Проект МАРС) |
__ |
| a |
Код характеристики |
code |
| b |
Значение характеристики |
izph |
| d |
|
36 |
| 903 |
Служебное поле (Проект МАРС) |
__ |
| a |
Код характеристики |
year |
| b |
Значение характеристики |
2015 |
| 903 |
Служебное поле (Проект МАРС) |
__ |
| a |
Код характеристики |
to |
| b |
Значение характеристики |
58 |
| 903 |
Служебное поле (Проект МАРС) |
__ |
| a |
Код характеристики |
no |
| b |
Значение характеристики |
8 |
| 903 |
Служебное поле (Проект МАРС) |
__ |
| a |
Код характеристики |
ss |
| b |
Значение характеристики |
131 |
| 903 |
Служебное поле (Проект МАРС) |
__ |
| a |
Код характеристики |
ad |
| b |
Значение характеристики |
1 |
| 911 |
Журнальная рубрика (Проект МАРС) |
__ |
| a |
Сведения о журнальных рубриках |
Физика полупроводников и диэлектриков |