| Поле | Название | Значение |
| |
Тип записи |
a |
| |
Библиографический уровень |
b |
| 001 |
Контрольный номер |
izph15_to58_no7_ss110_ad1 |
| 005 |
Дата корректировки |
20221031154354.2 |
| 008 |
Кодируемые данные |
160211s2015||||RU|||||||||||#||||# rus0| |
| 035 |
Системный контрольный номер |
__ |
| a |
Системный контрольный номер |
RUMARS-izph15_to58_no7_ss110_ad1 |
| 2 |
|
AR-MARS |
| 040 |
Источник каталогиз. |
__ |
| a |
Служба первич. каталог. |
Научная библиотека им. М. М. Бахтина Мордовского госуниверситета им. Н. П. Огарева |
| b |
Код языка каталог. |
rus |
| 041 |
Код языка издания |
0_ |
| a |
Код языка текста |
rus |
| h |
Код языка оригинала |
rus |
| 080 |
Индекс УДК |
__ |
| a |
Индекс УДК |
621.382 |
| 080 |
Индекс УДК |
__ |
| a |
Индекс УДК |
535.2/.3 |
| 084 |
Индекс другой классификации/Индекс ББК |
__ |
| a |
Индекс другой классификации/Индекс ББК |
32.852 |
| v |
|
Таблицы для массовых библиотек |
| 084 |
Индекс другой классификации/Индекс ББК |
__ |
| a |
Индекс другой классификации/Индекс ББК |
22.343 |
| v |
|
Таблицы для массовых библиотек |
| 100 |
Автор |
1_ |
| a |
Автор |
Романов, И. С. |
| 4 |
Код отношения |
070 |
| 245 |
Заглавие |
10 |
| a |
Заглавие |
Влияние толщины барьеров светодиодных гетероструктур (0001) InGaN/GaN/Al_2O_3 на их оптические характеристики |
| h |
Физич. носитель |
Текст |
| c |
Ответственность |
И. С. Романов [и др.] |
| 300 |
Физическое описание |
__ |
| b |
Иллюстрации/ тип воспроизводства |
рис., табл. |
| 504 |
Библиография |
__ |
| a |
Библиография |
Библиогр.: c. 113 (11 назв. ) |
| 520 |
Аннотация |
__ |
| a |
Аннотация |
Представлены результаты численного и экспериментального исследования напряженности электрического поля, длины волны фотолюминесценции и внутренней квантовой эффективности светодиодных гетероструктур (0001) InGaN/GaN синего свечения с множественными квантовыми ямами InGaN и с толщиной барьерных слоев GaN 3, 10 и 15 нм. Показано, что уменьшение толщины барьерных слоев GaN приводит к коротковолновому сдвигу длины волны излучения светодиодных структур и росту внутренней квантовой эффективности структуры в области высокой плотности мощности накачки. |
| 650 |
Тематические рубрики |
_4 |
| a |
Основная рубрика |
Радиоэлектроника |
| 2 |
Источник рубрики |
AR-MARS |
| 650 |
Тематические рубрики |
_4 |
| a |
Основная рубрика |
Полупроводниковые приборы |
| 2 |
Источник рубрики |
AR-MARS |
| 650 |
Тематические рубрики |
_4 |
| a |
Основная рубрика |
Физическая оптика |
| 2 |
Источник рубрики |
AR-MARS |
| 650 |
Тематические рубрики |
_4 |
| a |
Основная рубрика |
Физика |
| 2 |
Источник рубрики |
AR-MARS |
| 653 |
Ключевые слова |
0_ |
| a |
Ключевые слова |
барьерные слои GaN |
| 653 |
Ключевые слова |
0_ |
| a |
Ключевые слова |
квантовая эффективность |
| 653 |
Ключевые слова |
0_ |
| a |
Ключевые слова |
напряженность электрического поля |
| 653 |
Ключевые слова |
0_ |
| a |
Ключевые слова |
оптические характеристики |
| 653 |
Ключевые слова |
0_ |
| a |
Ключевые слова |
светодиодные гетероструктуры |
| 653 |
Ключевые слова |
0_ |
| a |
Ключевые слова |
фотолюминесценция |
| 700 |
Другие авторы |
1_ |
| a |
Другие авторы |
Прудаев, И. А. |
| 4 |
Код отношения |
070 |
| 700 |
Другие авторы |
1_ |
| a |
Другие авторы |
Брудный, В. Н. |
| 4 |
Код отношения |
070 |
| 700 |
Другие авторы |
1_ |
| a |
Другие авторы |
Копьев, В. В. |
| 4 |
Код отношения |
070 |
| 700 |
Другие авторы |
1_ |
| a |
Другие авторы |
Новиков, В. А. |
| 4 |
Код отношения |
070 |
| 700 |
Другие авторы |
1_ |
| a |
Другие авторы |
Мармалюк, А. А. |
| 4 |
Код отношения |
070 |
| 700 |
Другие авторы |
1_ |
| a |
Другие авторы |
Курешов, В. А. |
| 4 |
Код отношения |
070 |
| 700 |
Другие авторы |
1_ |
| a |
Другие авторы |
Сабитов, Д. Р. |
| 4 |
Код отношения |
070 |
| 700 |
Другие авторы |
1_ |
| a |
Другие авторы |
Мазалов, А. В. |
| 4 |
Код отношения |
070 |
| 773 |
Источник информации |
__ |
| x |
ISSN |
0021-3411 |
| t |
Название источника |
Известия вузов. Физика |
| d |
Место и дата издания |
2015 |
| g |
Прочая информация |
Т. 58, № 7. - С. 110-113 |
| t |
Название источника |
Известия высших учебных заведений. Физика |
| w |
Контрольный № источника |
RU/IS/BASE/496408512 |
| 801 |
Источник записи |
_0 |
| a |
Код страны участника АРБИКОН |
RU |
| b |
Код библиотеки-участника АРБИКОН |
43013090 |
| c |
Дата составления записи |
20160211 |
| g |
|
RCR |
| 801 |
Источник записи |
_1 |
| a |
Код страны участника АРБИКОН |
RU |
| b |
Код библиотеки-участника АРБИКОН |
43013090 |
| c |
Дата составления записи |
20160211 |
| 801 |
Источник записи |
_2 |
| a |
Код страны участника АРБИКОН |
RU |
| b |
Код библиотеки-участника АРБИКОН |
AR-MARS |
| c |
Дата составления записи |
20160211 |
| g |
|
RCR |
| 801 |
Источник записи |
_3 |
| a |
Код страны участника АРБИКОН |
RU |
| b |
Код библиотеки-участника АРБИКОН |
AR-MARS |
| c |
Дата составления записи |
20160211 |
| 901 |
Тип документа |
__ |
| t |
Тип документа |
b |
| 903 |
Служебное поле (Проект МАРС) |
__ |
| a |
Код характеристики |
code |
| b |
Значение характеристики |
izph |
| d |
|
36 |
| 903 |
Служебное поле (Проект МАРС) |
__ |
| a |
Код характеристики |
year |
| b |
Значение характеристики |
2015 |
| 903 |
Служебное поле (Проект МАРС) |
__ |
| a |
Код характеристики |
to |
| b |
Значение характеристики |
58 |
| 903 |
Служебное поле (Проект МАРС) |
__ |
| a |
Код характеристики |
no |
| b |
Значение характеристики |
7 |
| 903 |
Служебное поле (Проект МАРС) |
__ |
| a |
Код характеристики |
ss |
| b |
Значение характеристики |
110 |
| 903 |
Служебное поле (Проект МАРС) |
__ |
| a |
Код характеристики |
ad |
| b |
Значение характеристики |
1 |
| 911 |
Журнальная рубрика (Проект МАРС) |
__ |
| a |
Сведения о журнальных рубриках |
Физика полупроводников и диэлектриков |