| Поле | Название | Значение |
| |
Тип записи |
a |
| |
Библиографический уровень |
b |
| 001 |
Контрольный номер |
izph15_to58_no7_ss81_ad1 |
| 005 |
Дата корректировки |
20221031154354.1 |
| 008 |
Кодируемые данные |
160211s2015||||RU|||||||||||#||||# rus0| |
| 035 |
Системный контрольный номер |
__ |
| a |
Системный контрольный номер |
RUMARS-izph15_to58_no7_ss81_ad1 |
| 2 |
|
AR-MARS |
| 040 |
Источник каталогиз. |
__ |
| a |
Служба первич. каталог. |
Научная библиотека им. М. М. Бахтина Мордовского госуниверситета им. Н. П. Огарева |
| b |
Код языка каталог. |
rus |
| 041 |
Код языка издания |
0_ |
| a |
Код языка текста |
rus |
| h |
Код языка оригинала |
rus |
| 080 |
Индекс УДК |
__ |
| a |
Индекс УДК |
621.315.592 |
| 084 |
Индекс другой классификации/Индекс ББК |
__ |
| a |
Индекс другой классификации/Индекс ББК |
31.233 |
| v |
|
Таблицы для массовых библиотек |
| 100 |
Автор |
1_ |
| a |
Автор |
Тимофеев, В. А. |
| 4 |
Код отношения |
070 |
| 245 |
Заглавие |
10 |
| a |
Заглавие |
Синтез эпитаксиальных пленок на базе материалов Ge-Si-Sn с гетеропереходами Ge/GeSn, Ge/GeSiSn, GeSn/GeSiSn |
| h |
Физич. носитель |
Текст |
| c |
Ответственность |
В. А. Тимофеев [и др.] |
| 300 |
Физическое описание |
__ |
| b |
Иллюстрации/ тип воспроизводства |
рис. |
| 504 |
Библиография |
__ |
| a |
Библиография |
Библиогр.: c. 85 (14 назв. ) |
| 520 |
Аннотация |
__ |
| a |
Аннотация |
Представлены результаты исследований по синтезу гетероструктур на основе материалов Ge-Si-Sn методом низкотемпературной молекулярно-лучевой эпитаксии. Формирование эпитаксиальных пленок контролировалось с помощью дифракции быстрых электронов в процессе роста структур. Выращены пленки с гетеропереходами Ge/GeSn, Ge/GeSiSn, GeSn/GeSiSn при содержании Sn от 2 до 10 % в области температур 150-350 °С. Напряженное состояние, структура и параметр решетки изучены методом рентгеновской дифрактометрии с использованием кривых качания и карт обратного пространства. Получена деформация растяжения 0. 86 % в пленке Ge при росте структуры Ge/Ge 0. 9Sn 0. 1/Si. |
| 650 |
Тематические рубрики |
_4 |
| a |
Основная рубрика |
Энергетика |
| 2 |
Источник рубрики |
AR-MARS |
| 650 |
Тематические рубрики |
_4 |
| a |
Основная рубрика |
Полупроводниковые материалы и изделия |
| 2 |
Источник рубрики |
AR-MARS |
| 653 |
Ключевые слова |
0_ |
| a |
Ключевые слова |
ИК-фотоприемник |
| 653 |
Ключевые слова |
0_ |
| a |
Ключевые слова |
КМОП-транзистор |
| 653 |
Ключевые слова |
0_ |
| a |
Ключевые слова |
гетероструктуры |
| 653 |
Ключевые слова |
0_ |
| a |
Ключевые слова |
деформации |
| 653 |
Ключевые слова |
0_ |
| a |
Ключевые слова |
дифракция |
| 653 |
Ключевые слова |
0_ |
| a |
Ключевые слова |
карта обратного пространства |
| 653 |
Ключевые слова |
0_ |
| a |
Ключевые слова |
кривая качания |
| 653 |
Ключевые слова |
0_ |
| a |
Ключевые слова |
молекулярно-лучевая эпитаксия |
| 653 |
Ключевые слова |
0_ |
| a |
Ключевые слова |
синтез гетероструктур |
| 653 |
Ключевые слова |
0_ |
| a |
Ключевые слова |
тонкие пленки |
| 653 |
Ключевые слова |
0_ |
| a |
Ключевые слова |
эпитаксия |
| 700 |
Другие авторы |
1_ |
| a |
Другие авторы |
Коханенко, А. П. |
| 4 |
Код отношения |
070 |
| 700 |
Другие авторы |
1_ |
| a |
Другие авторы |
Никифоров, А. И. |
| 4 |
Код отношения |
070 |
| 700 |
Другие авторы |
1_ |
| a |
Другие авторы |
Машанов, В. И. |
| 4 |
Код отношения |
070 |
| 700 |
Другие авторы |
1_ |
| a |
Другие авторы |
Туктамышев, А. Р. |
| 4 |
Код отношения |
070 |
| 700 |
Другие авторы |
1_ |
| a |
Другие авторы |
Лошкарев, И. Д. |
| 4 |
Код отношения |
070 |
| 773 |
Источник информации |
__ |
| x |
ISSN |
0021-3411 |
| t |
Название источника |
Известия вузов. Физика |
| d |
Место и дата издания |
2015 |
| g |
Прочая информация |
Т. 58, № 7. - С. 81-85 |
| t |
Название источника |
Известия высших учебных заведений. Физика |
| w |
Контрольный № источника |
RU/IS/BASE/496408512 |
| 801 |
Источник записи |
_0 |
| a |
Код страны участника АРБИКОН |
RU |
| b |
Код библиотеки-участника АРБИКОН |
43013090 |
| c |
Дата составления записи |
20160211 |
| g |
|
RCR |
| 801 |
Источник записи |
_1 |
| a |
Код страны участника АРБИКОН |
RU |
| b |
Код библиотеки-участника АРБИКОН |
43013090 |
| c |
Дата составления записи |
20160211 |
| 801 |
Источник записи |
_2 |
| a |
Код страны участника АРБИКОН |
RU |
| b |
Код библиотеки-участника АРБИКОН |
AR-MARS |
| c |
Дата составления записи |
20160211 |
| g |
|
RCR |
| 801 |
Источник записи |
_3 |
| a |
Код страны участника АРБИКОН |
RU |
| b |
Код библиотеки-участника АРБИКОН |
AR-MARS |
| c |
Дата составления записи |
20160211 |
| 901 |
Тип документа |
__ |
| t |
Тип документа |
b |
| 903 |
Служебное поле (Проект МАРС) |
__ |
| a |
Код характеристики |
code |
| b |
Значение характеристики |
izph |
| d |
|
36 |
| 903 |
Служебное поле (Проект МАРС) |
__ |
| a |
Код характеристики |
year |
| b |
Значение характеристики |
2015 |
| 903 |
Служебное поле (Проект МАРС) |
__ |
| a |
Код характеристики |
to |
| b |
Значение характеристики |
58 |
| 903 |
Служебное поле (Проект МАРС) |
__ |
| a |
Код характеристики |
no |
| b |
Значение характеристики |
7 |
| 903 |
Служебное поле (Проект МАРС) |
__ |
| a |
Код характеристики |
ss |
| b |
Значение характеристики |
81 |
| 903 |
Служебное поле (Проект МАРС) |
__ |
| a |
Код характеристики |
ad |
| b |
Значение характеристики |
1 |
| 911 |
Журнальная рубрика (Проект МАРС) |
__ |
| a |
Сведения о журнальных рубриках |
Физика полупроводников и диэлектриков |