Кузнецов Ю. М.
RC-генератор на биполярном транзисторе. Практикум / Кузнецов Ю. М.,Хазанова С. В.,Королев Д. С. - Нижний Новгород : ННГУ им. Н. И. Лобачевского, 2024. - 19 с. - Рекомендовано методической комиссией физического факультета для студентов ННГУ, обучающихся по направлениям подготовки: 11.03.04 – «Электроника и наноэлектроника» 28.03.01 – «Нанотехнологии и микросистемная техника».

Авторы: Кузнецов Ю. М., Хазанова С. В., Королев Д. С.

Шифры:
Полочный: ЭБС ЛАНЬ
ББК: 22.379;

Аннотация: Настоящий практикум является частью цикла лабораторных работ, выполняемых на физическом факультете ННГУ в рамках курса «Теоретические основы электро- и радиотехники». Пособие посвящено описанию устройства и принципов работы RC-генератора на биполярном транзисторе.

Ансельм, А. И.
Введение в теорию полупроводников : учебное пособие для вузов / А. И. Ансельм. - 3-е изд. ; стер. - Санкт-Петербург ; Москва ; Краснодар : Лань, 2008. - 618 с. - (Классическая учебная литература по физике). - ISBN 9785811407620. - Текст : непосредственный.

Авторы: Ансельм А. И.

Шифры:
Полочный: 22.379
Авторский знак: А71
ББК: 22.379;

Экземпляры: Всего: 1, из них:
ФМФ и ТЭФ (пр.Пионерский,13) - свободно 1 из 1

Синдо, Д.
Аналитическая просвечивающая электронная микроскопия : перевод с английского / Д. Синдо, Т. Оикава. - Москва : Техносфера, 2006. - 253 с. - (Мир материалов и технологий). - Библиогр.: с. 82. - ISBN 5948360644. - Текст : непосредственный.

Авторы: Синдо Д., Оикава Т.

Шифры:
Полочный: 22.338
Авторский знак: С38
ББК: 22.338;

Экземпляры: Всего: 2, из них:
ФМФ и ТЭФ (пр.Пионерский,13) - свободно 2 из 2

Солимар, Л.
Лекции по электрическим свойствам материалов / Л. Солимар, Д. Уолш ; перевод с английского под редакцией С. И. Баскакова. - Москва : Мир, 1991. - 502 с. : ил. - ISBN 5-03-001934-0. - Текст : непосредственный.

Авторы: Солимар Л., Уолш Д., Баскаков С. И.

Шифры:
Полочный: 22.379
Авторский знак: С 60
ББК: 22.379;

Экземпляры: Всего: 2, из них:
ФМФ и ТЭФ (пр.Пионерский,13) - свободно 2 из 2

Вавилов, В. С.
Дефекты в кремнии и на его поверхности / В. С. Вавилов, В. Ф. Киселев Б. Н. Мукашев. - Москва : Наука, 1990. - 212 с. - (Физика полупроводников и полупроводниковых приборов). - Библиогр.: с. 190-212. - ISBN 5020140236. - Текст : непосредственный.

Авторы: Вавилов В. С.

Шифры:
Полочный: 22.379
Авторский знак: В 12
ББК: 22.379;

Экземпляры: Всего: 1, из них:
ФМФ и ТЭФ (пр.Пионерский,13) - свободно 1 из 1

Кесслер, И.
Поляризованные электроны / пер. с англ. Н. М. Кабачника, Ю. А. Мамаева. - Москва : Мир, 1988. - 368 с. - ISBN 5-03-001112-9. - Текст : непосредственный.

Авторы: Кесслер, И.

Шифры:
Полочный: 22.338
Авторский знак: К 36
ББК: 22.338;

Экземпляры: Всего: 1, из них:
хр (пр.Металлургов,19) - свободно 1 из 1

Ридли.
Квантовые процессы в полупроводниках : перевод с английского. - Москва : Мир, 1986. - 304 с. : ил. - Библиогр.: с. 301. - Текст : непосредственный.

Авторы: Ридли

Шифры:
Полочный: 22.379
Авторский знак: Р 49
ББК: 22.379;

Экземпляры: Всего: 1, из них:
ФМФ и ТЭФ (пр.Пионерский,13) - свободно 1 из 1

Аскеров, Б. М.
Электронные явления переноса в полупроводниках. - Москва : Наука, 1985. - 318 с. - Библиогр.: с. 310-318. - ISBN XXXXXXXX. - Текст : непосредственный.

Авторы: Аскеров Б. М.

Шифры:
Полочный: 22.379
Авторский знак: А 90
ББК: 22.379;

Экземпляры: Всего: 1, из них:
ФМФ и ТЭФ (пр.Пионерский,13) - свободно 1 из 1

Фистуль, В.И.
Введение в физику полупроводников : учебник для студентов вузов. - Изд.2-е ; перераб. и доп. - Москва : Высшая школа, 1984. - 352 с. : ил. - Библиогр.: с. 346-348. - Текст : непосредственный.

Авторы: Фистуль В.И.

Шифры:
Полочный: 22.379
Авторский знак: Ф 63
ББК: 22.379;

Экземпляры: Всего: 1, из них:
ФМФ и ТЭФ (пр.Пионерский,13) - свободно 1 из 1

Фотоэлектрические явления : перевод с немецкого / И. Аут, Д. Генцов, К. Герман ; под ред. В. Л. Бонч-Бруевича. - Москва : Мир, 1980. - 208 с. - Библиогр.: с. 199-206. - ISBN XXXXXXXX. - Текст : непосредственный.

Авторы: Аут И., Генцов Д., Герман К., Бонч-Бруевич В. Л.

Шифры:
Полочный: 22.379
Авторский знак: А 93
ББК: 22.379;

Экземпляры: Всего: 1, из них:
ФМФ и ТЭФ (пр.Пионерский,13) - свободно 1 из 1

Коломенский, А.А.
Физические основы методов ускорения заряженных частиц. - Москва : Издательство Московского университета, 1980. - 302 с. : ил. - Библиогр.: с. 300-302. - ISBN XXXXXXXX. - Текст : непосредственный.

Авторы: Коломенский А.А.

Шифры:
Полочный: 22.338
Авторский знак: К 61
ББК: 22.338;

Экземпляры: Всего: 1, из них:
ФМФ и ТЭФ (пр.Пионерский,13) - свободно 1 из 1

Ансельман, А. И.
Введение в теорию полупроводников : учебное пособие для студентов вузов. - Изд. 2-е ; доп. и перераб. - Москва : Наука : Физматлит, 1978. - 615 с. : ил. - Текст : непосредственный.

Авторы: Ансельман А. И.

Шифры:
Полочный: 22.379
Авторский знак: А 71
ББК: 22.379;

Экземпляры: Всего: 2, из них:
ФМФ и ТЭФ (пр.Пионерский,13) - свободно 2 из 2

Бонч-Бруевич, В. Л.
Физика полупроводников : учебное пособие для вузов. - Москва : Наука, 1977. - 672 с. - Текст : непосредственный.

Авторы: Бонч-Бруевич В. Л.

Шифры:
Полочный: 22.379
Авторский знак: Б 81
ББК: 22.379;

Экземпляры: Всего: 1, из них:
Аб2 (пр.Пионерский,13) - свободно 1 из 1

Проблемы физики полупроводников : сборник статей : пер. с англ. / под ред. В. Л. Бонч-Бруевича. - Москва : Издательство иностранной литературы, 1957. - 629 с. - Текст : непосредственный.

Шифры:
Полочный: 22.379
Авторский знак: П 78
ББК: 22.379;

Экземпляры: Всего: 1, из них:
хр (пр.Металлургов,19) - свободно 1 из 1

Электрофизические свойства и определение импеданса тканей вестибулярного лабиринта / В. П. Демкин [и др.]
// Известия вузов. Физика. - 2018. - Т. 61, № 11. - С. 68-75. - ISSN 0021-3411. - Режим доступа: https://elibrary.ru/contents.asp?titleid=36517043. - Библиогр.: с. 74-75 (31 назв. ). - рис., табл.

Авторы: Демкин, В. П., Мельничук, С. В., Щетинин, П. П., Кингма, Г., Ван Де Берг, Р.

Аннотация: Предложена детализированная электрическая модель распространения тока через ткани вестибулярного лабиринта на основе анатомической структуры лабиринта, с учетом электрофизических свойств волосковых и базилярных клеток нейроэпителия. Получены формулы для импеданса вестибулярного органа и проведены расчеты фазовых смещений стимулирующего тока на основе экспериментальных данных об электрофизических и анатомических характеристиках тканей вестибулярного лабиринта морской свинки. Исследована дисперсия импеданса в интервале частот 10{1}-5? 10{4} Гц. Показано, что фазовое смещение тока по отношению к напряжению, приложенному между электродом и вестибулярным нервом, имеет немонотонный характер в зависимости от частоты. Минимальное отрицательное значение фазового смещения тока наблюдается при f = 200 Гц. Учет клеточных структур волосковых и базилярных клеток в электрической цепи показывает, что в рассматриваемом интервале частот они вносят существенный вклад в общий импеданс. Предложенная электрическая модель и результаты расчетов могут служить основой для диагностики заболеваний вестибулярного лабиринта и проектирования нового типа вестибулярных имплантов.

Хлудков, С. С.
Электрические, структурные и магнитные свойства арсенида галлия, легированного железом / С. С. Хлудков, И. А. Прудаев, О. П. Толбанов
// Известия вузов. Физика. - 2018. - Т. 61, № 3. - С. 82-88. - ISSN 0021-3411. - Режим доступа: https://elibrary.ru/contents.asp?issueid=2199341. - Библиогр.: c. 87-88 (40 назв. ). - рис.

Авторы: Хлудков, С. С., Прудаев, И. А., Толбанов, О. П.

Аннотация: Систематизированы данные по электрическим, структурным и магнитным свойствам арсенида галлия, легированного железом и полученного разными методами. Рассмотрены условия получения структур с магнитными свойствами.

Электрические параметры канала лазерного пучка в атмосфере. II / С. Ф. Баландин [и др.]
// Известия вузов. Физика. - 2019. - Т. 62, № 5. - С. 3-8. - ISSN 0021-3411. - Продолж. Начало: № 4. - Режим доступа: https://elibrary.ru/contents.asp?titleid=7725. - Библиогр.: с. 8 (10 назв. ).

Авторы: Баландин, С. Ф., Донченко, В. А., Землянов, А. А., Мышкин, В. Ф., Хан, В. А., Абрамова, Е. С.

Аннотация: Приведены экспериментальные результаты измерений проводимости и напряженности электрического поля в канале распространения лазерного излучения и возле зоны воздействия. Описана схема и аппаратура исследований. Данные получены в "предпробойном" режиме. Исследованы зависимости напряженности наведенного поля от мощности излучения и оптических характеристик канала. Показана возможность диагностики канала ионизации с использованием электрооптических эффектов в атмосфере.

Тагиев, М. М.
Электрические и гальваномагнитные свойства экструдированных образцов твердого раствора Bi[85]Sb[15] c примесями Pb и Te / М. М. Тагиев, Г. Д. Абдинова
// Известия вузов. Физика. - 2018. - Т. 61, № 11. - С. 170-173. - ISSN 0021-3411. - Режим доступа: https://elibrary.ru/contents.asp?titleid=36517043. - Библиогр.: с. 173 (18 назв. ). - рис., табл.

Авторы: Тагиев, М. М., Абдинова, Г. Д.

Аннотация: Изучено влияние примесей теллура на электропроводность (s), коэффициент Зеебека (альфа) и постоянную Холла R экструдированных образцов Bi[85]Sb[15] + 0. 001 ат. % Pb в диапазоне температур 77-300 К. Было обнаружено, что примеси теллура до 0. 001 ат. % компенсирующих акцепторных атомов Pb приводили к сильному затуханию электронной плотности и, следовательно, к увеличению Q, а значения альфа и R были значительно уменьшены. Полученные материалы могут быть использованы в качестве п-ветви термоэлементов, функционирующих при температурах ~ 77 К.

Экситонная люминесценция бислоев WSe[2] / В. С. Багаев [и др.]
// Известия вузов. Физика. - 2019. - Т. 62, № 6. - С. 88-93. - ISSN 0021-3411. - Режим доступа: https://elibrary.ru/contents.asp?titleid=7725. - Библиогр.: с. 93 (9 назв. ).

Авторы: Багаев, В. С., Николаев, С. Н., Кривобок, В. С., Чернопицский, М. А., Васильченко, А. А., Копытов, Г. Ф

Аннотация: С помощью top-down-технологии на SiO2/Si-подложках получены пленки WSe[2] толщиной в два монослоя. Толщины и состав пленок подтверждены измерениями спектров комбинационного рассеяния света, фотолюминесценции и интерференционного контраста в трех RGB-каналах. Исследована люминесценция бислоев WSe[2] при уменьшении температуры до 5 К. Показано, что при низких температурах тонкая структура спектра излучения вблизи прямого края собственного поглощения определяется рекомбинацией А-экситонов, находящихся в основном или возбужденном состоянии, а также различными комплексами (трионами и экситонами, связанными на дефектах) с их участием. Спектр излучения вблизи непрямого края фундаментального поглощения описан в рамках представлений о процессах экситонной люминесценции, при которых энергия и импульс экситона передаются фононам, соответствующим V-точке зоны Бриллюэна. Обсуждается возможный вклад электронно-дырочной жидкости в спектр излучения.

Широтная и амплитудная модуляция тока пучка для управления его мощностью в течение импульса субмиллисекундной длительности / В. И. Шин, М. С. Воробьёв, П. В. Москвин [и др.]. - Текст : электронный
// Известия вузов. Физика. - 2022. - Т. 65, № 11. - С. 176-184. - ISSN 0021-3411. - Библиогр.: с. 184 (16 назв. ).

Авторы: Шин, В. И., Воробьёв, М. С., Москвин, П. В., Девятков, В. Н., Яковлев, В. В., Коваль, Н. Н., Торба, М. С., Картавцов, Р. А., Воробьёв, С. А.

Аннотация: Описаны способы управления мощностью электронного пучка в источнике электронов на основе дугового разряда низкого давления со слоевой стабилизацией границы эмиссионной плазмы. Управление мощностью пучка осуществляется методом амплитудной и широтной модуляции тока пучка внутри его импульса субмиллисекундной длительности. Реализовано два способа управления мощностью электронного пучка: первый основан на изменении концентрации эмиссионной плазмы посредством модуляции тока дугового разряда, во втором способе применяется сеточное управление (режим работы плазменного триода) при постоянной амплитуде тока дугового разряда. Представлены упрощенные схемы источников электропитания разряда и межсеточного управляющего напряжения, типичные осциллограммы основных токов разрядной системы, график малоинерционного изменения мощности, характеристика управления плазменного триода.