Кузнецов Ю. М.
RC-генератор на биполярном транзисторе. Практикум / Кузнецов Ю. М.,Хазанова С. В.,Королев Д. С. - Нижний Новгород : ННГУ им. Н. И. Лобачевского, 2024. - 19 с. - Рекомендовано методической комиссией физического факультета для студентов ННГУ, обучающихся по направлениям подготовки: 11.03.04 – «Электроника и наноэлектроника» 28.03.01 – «Нанотехнологии и микросистемная техника».

Авторы: Кузнецов Ю. М., Хазанова С. В., Королев Д. С.

Шифры:
Полочный: ЭБС ЛАНЬ
ББК: 22.379;

Аннотация: Настоящий практикум является частью цикла лабораторных работ, выполняемых на физическом факультете ННГУ в рамках курса «Теоретические основы электро- и радиотехники». Пособие посвящено описанию устройства и принципов работы RC-генератора на биполярном транзисторе.

Ансельм, А. И.
Введение в теорию полупроводников : учебное пособие для вузов / А. И. Ансельм. - 3-е изд. ; стер. - Санкт-Петербург ; Москва ; Краснодар : Лань, 2008. - 618 с. - (Классическая учебная литература по физике). - ISBN 9785811407620. - Текст : непосредственный.

Авторы: Ансельм А. И.

Шифры:
Полочный: 22.379
Авторский знак: А71
ББК: 22.379;

Экземпляры: Всего: 1, из них:
ФМФ и ТЭФ (пр.Пионерский,13) - свободно 1 из 1

Солимар, Л.
Лекции по электрическим свойствам материалов / Л. Солимар, Д. Уолш ; перевод с английского под редакцией С. И. Баскакова. - Москва : Мир, 1991. - 502 с. : ил. - ISBN 5-03-001934-0. - Текст : непосредственный.

Авторы: Солимар Л., Уолш Д., Баскаков С. И.

Шифры:
Полочный: 22.379
Авторский знак: С 60
ББК: 22.379;

Экземпляры: Всего: 2, из них:
ФМФ и ТЭФ (пр.Пионерский,13) - свободно 2 из 2

Вавилов, В. С.
Дефекты в кремнии и на его поверхности / В. С. Вавилов, В. Ф. Киселев Б. Н. Мукашев. - Москва : Наука, 1990. - 212 с. - (Физика полупроводников и полупроводниковых приборов). - Библиогр.: с. 190-212. - ISBN 5020140236. - Текст : непосредственный.

Авторы: Вавилов В. С.

Шифры:
Полочный: 22.379
Авторский знак: В 12
ББК: 22.379;

Экземпляры: Всего: 1, из них:
ФМФ и ТЭФ (пр.Пионерский,13) - свободно 1 из 1

Ридли.
Квантовые процессы в полупроводниках : перевод с английского. - Москва : Мир, 1986. - 304 с. : ил. - Библиогр.: с. 301. - Текст : непосредственный.

Авторы: Ридли

Шифры:
Полочный: 22.379
Авторский знак: Р 49
ББК: 22.379;

Экземпляры: Всего: 1, из них:
ФМФ и ТЭФ (пр.Пионерский,13) - свободно 1 из 1

Аскеров, Б. М.
Электронные явления переноса в полупроводниках. - Москва : Наука, 1985. - 318 с. - Библиогр.: с. 310-318. - ISBN XXXXXXXX. - Текст : непосредственный.

Авторы: Аскеров Б. М.

Шифры:
Полочный: 22.379
Авторский знак: А 90
ББК: 22.379;

Экземпляры: Всего: 1, из них:
ФМФ и ТЭФ (пр.Пионерский,13) - свободно 1 из 1

Фистуль, В.И.
Введение в физику полупроводников : учебник для студентов вузов. - Изд.2-е ; перераб. и доп. - Москва : Высшая школа, 1984. - 352 с. : ил. - Библиогр.: с. 346-348. - Текст : непосредственный.

Авторы: Фистуль В.И.

Шифры:
Полочный: 22.379
Авторский знак: Ф 63
ББК: 22.379;

Экземпляры: Всего: 1, из них:
ФМФ и ТЭФ (пр.Пионерский,13) - свободно 1 из 1

Фотоэлектрические явления : перевод с немецкого / И. Аут, Д. Генцов, К. Герман ; под ред. В. Л. Бонч-Бруевича. - Москва : Мир, 1980. - 208 с. - Библиогр.: с. 199-206. - ISBN XXXXXXXX. - Текст : непосредственный.

Авторы: Аут И., Генцов Д., Герман К., Бонч-Бруевич В. Л.

Шифры:
Полочный: 22.379
Авторский знак: А 93
ББК: 22.379;

Экземпляры: Всего: 1, из них:
ФМФ и ТЭФ (пр.Пионерский,13) - свободно 1 из 1

Ансельман, А. И.
Введение в теорию полупроводников : учебное пособие для студентов вузов. - Изд. 2-е ; доп. и перераб. - Москва : Наука : Физматлит, 1978. - 615 с. : ил. - Текст : непосредственный.

Авторы: Ансельман А. И.

Шифры:
Полочный: 22.379
Авторский знак: А 71
ББК: 22.379;

Экземпляры: Всего: 2, из них:
ФМФ и ТЭФ (пр.Пионерский,13) - свободно 2 из 2

Бонч-Бруевич, В. Л.
Физика полупроводников : учебное пособие для вузов. - Москва : Наука, 1977. - 672 с. - Текст : непосредственный.

Авторы: Бонч-Бруевич В. Л.

Шифры:
Полочный: 22.379
Авторский знак: Б 81
ББК: 22.379;

Экземпляры: Всего: 1, из них:
Аб2 (пр.Пионерский,13) - свободно 1 из 1

Проблемы физики полупроводников : сборник статей : пер. с англ. / под ред. В. Л. Бонч-Бруевича. - Москва : Издательство иностранной литературы, 1957. - 629 с. - Текст : непосредственный.

Шифры:
Полочный: 22.379
Авторский знак: П 78
ББК: 22.379;

Экземпляры: Всего: 1, из них:
хр (пр.Металлургов,19) - свободно 1 из 1

Электрофизические свойства и определение импеданса тканей вестибулярного лабиринта / В. П. Демкин [и др.]
// Известия вузов. Физика. - 2018. - Т. 61, № 11. - С. 68-75. - ISSN 0021-3411. - Режим доступа: https://elibrary.ru/contents.asp?titleid=36517043. - Библиогр.: с. 74-75 (31 назв. ). - рис., табл.

Авторы: Демкин, В. П., Мельничук, С. В., Щетинин, П. П., Кингма, Г., Ван Де Берг, Р.

Аннотация: Предложена детализированная электрическая модель распространения тока через ткани вестибулярного лабиринта на основе анатомической структуры лабиринта, с учетом электрофизических свойств волосковых и базилярных клеток нейроэпителия. Получены формулы для импеданса вестибулярного органа и проведены расчеты фазовых смещений стимулирующего тока на основе экспериментальных данных об электрофизических и анатомических характеристиках тканей вестибулярного лабиринта морской свинки. Исследована дисперсия импеданса в интервале частот 10{1}-5? 10{4} Гц. Показано, что фазовое смещение тока по отношению к напряжению, приложенному между электродом и вестибулярным нервом, имеет немонотонный характер в зависимости от частоты. Минимальное отрицательное значение фазового смещения тока наблюдается при f = 200 Гц. Учет клеточных структур волосковых и базилярных клеток в электрической цепи показывает, что в рассматриваемом интервале частот они вносят существенный вклад в общий импеданс. Предложенная электрическая модель и результаты расчетов могут служить основой для диагностики заболеваний вестибулярного лабиринта и проектирования нового типа вестибулярных имплантов.

Сомов, А. М.
Электродинамика / Сомов А. М., Старостин В. В., Бенеславский С. Д. - Москва : Горячая линия-Телеком. - 198 с. - Допущено УМО по образованию в области информационной безопасности в качестве учебного пособия для студентов, обучающихся по специализациям специальности 090302 (090106) – «Информационная безопасность телекоммуникационных систем». - ISBN 978-5-9912-0155-1.

Авторы: Сомов А. М., Старостин В. В., Бенеславский С. Д.

Шифры:
Полочный: ЭБС ЛАНЬ
ББК: 32.845;

Аннотация: В книге изложены вопросы теории электромагнитных волн под углом зрения применения основных её положений в технике СВЧ и антеннах. Рассмотрены вопросы излучения, распространения, преломления, отражения и возбуждения таких волн в свободном пространстве и в направляющих системах. Для студентов, обучающихся по специальностям «Информационная безопасность телекоммуникационных систем», «Противодействие техническим разведкам», направлению подготовки «Информационная безопасность» (профиль «Безопасность телекоммуникационных систем»), будет полезна студентам телекоммуникационных и радиотехнических специальностей, аспирантам и специалистам в области инфокоммуникаций и защиты информации.

Хлудков, С. С.
Электрические, структурные и магнитные свойства арсенида галлия, легированного железом / С. С. Хлудков, И. А. Прудаев, О. П. Толбанов
// Известия вузов. Физика. - 2018. - Т. 61, № 3. - С. 82-88. - ISSN 0021-3411. - Режим доступа: https://elibrary.ru/contents.asp?issueid=2199341. - Библиогр.: c. 87-88 (40 назв. ). - рис.

Авторы: Хлудков, С. С., Прудаев, И. А., Толбанов, О. П.

Аннотация: Систематизированы данные по электрическим, структурным и магнитным свойствам арсенида галлия, легированного железом и полученного разными методами. Рассмотрены условия получения структур с магнитными свойствами.

Тагиев, М. М.
Электрические и гальваномагнитные свойства экструдированных образцов твердого раствора Bi[85]Sb[15] c примесями Pb и Te / М. М. Тагиев, Г. Д. Абдинова
// Известия вузов. Физика. - 2018. - Т. 61, № 11. - С. 170-173. - ISSN 0021-3411. - Режим доступа: https://elibrary.ru/contents.asp?titleid=36517043. - Библиогр.: с. 173 (18 назв. ). - рис., табл.

Авторы: Тагиев, М. М., Абдинова, Г. Д.

Аннотация: Изучено влияние примесей теллура на электропроводность (s), коэффициент Зеебека (альфа) и постоянную Холла R экструдированных образцов Bi[85]Sb[15] + 0. 001 ат. % Pb в диапазоне температур 77-300 К. Было обнаружено, что примеси теллура до 0. 001 ат. % компенсирующих акцепторных атомов Pb приводили к сильному затуханию электронной плотности и, следовательно, к увеличению Q, а значения альфа и R были значительно уменьшены. Полученные материалы могут быть использованы в качестве п-ветви термоэлементов, функционирующих при температурах ~ 77 К.

Экситонная люминесценция бислоев WSe[2] / В. С. Багаев [и др.]
// Известия вузов. Физика. - 2019. - Т. 62, № 6. - С. 88-93. - ISSN 0021-3411. - Режим доступа: https://elibrary.ru/contents.asp?titleid=7725. - Библиогр.: с. 93 (9 назв. ).

Авторы: Багаев, В. С., Николаев, С. Н., Кривобок, В. С., Чернопицский, М. А., Васильченко, А. А., Копытов, Г. Ф

Аннотация: С помощью top-down-технологии на SiO2/Si-подложках получены пленки WSe[2] толщиной в два монослоя. Толщины и состав пленок подтверждены измерениями спектров комбинационного рассеяния света, фотолюминесценции и интерференционного контраста в трех RGB-каналах. Исследована люминесценция бислоев WSe[2] при уменьшении температуры до 5 К. Показано, что при низких температурах тонкая структура спектра излучения вблизи прямого края собственного поглощения определяется рекомбинацией А-экситонов, находящихся в основном или возбужденном состоянии, а также различными комплексами (трионами и экситонами, связанными на дефектах) с их участием. Спектр излучения вблизи непрямого края фундаментального поглощения описан в рамках представлений о процессах экситонной люминесценции, при которых энергия и импульс экситона передаются фононам, соответствующим V-точке зоны Бриллюэна. Обсуждается возможный вклад электронно-дырочной жидкости в спектр излучения.

Газизов, Т. Т. (кандидат технических наук; Томский гос. пед. ун-т).
Эволюционное моделирование приемно-передающих антенных систем связи / Т. Т. Газизов
// Информатика и системы управления. - 2016. - № 4 (50). - С. 3-10. - ISSN 1814-2400. - Библиогр.: с. 10 (11 назв.). - рис.

Авторы: Газизов, Т. Т.

Аннотация: В работе рассмотрен новый подход к проектированию оптимальных антенных систем связи. Рассмотрены основные характеристики антенн, особенности их улучшения за счет включения в структуру полосозапирающих фильтров (ПЗФ) и их оптимизации генетическими алгоритмами на этапе моделирования. Выполнено сравнение результатов моделирования и эксперимента.

Широкополосная диагностика неоднородных сред с помощью линейных антенн / А. И. Потекаев [и др.]
// Известия вузов. Физика. - 2018. - Т. 61, № 7. - С. 35-39. - ISSN 0021-3411. - Режим доступа: https://elibrary.ru/contents.asp?titleid=7725. - Библиогр.: с. 39 (5 назв. ). - рис.

Авторы: Потекаев, А. И., Парватов, Г. Н., Шостак, А. С., Абулкасымов, М. М.

Аннотация: Анализируется информативность внесенного импеданса линейных антенн в дециметровом диапазоне частот в зависимости от условий зондирования и электрофизических свойств контролируемых плоскостных сред. Дана оценка практической применимости метода широкополосного зондирования для диагностики слоистых сред по измеренному импедансу линейных антенн. Оптимизирована геометрия расположения приемоизлучающих линейных антенн; предложены алгоритмы дистанционного контроля и выявления локальных неоднородностей диэлектрических и слабопроводящих сред.

Зоркальцева, М. Ю.
Численное моделирование сверхширокополосных комбинированных антенн / М. Ю. Зоркальцева, В. И. Кошелев, А. А. Петкун
// Известия вузов. Физика. - 2017. - Т. 60, № 8. - С. 26-30. - ISSN 0021-3411. - Режим доступа: https://elibrary.ru/contents.asp?issueid=1885670. - Библиогр.: c. 30 (11 назв. ). - рис., табл.

Авторы: Зоркальцева, М. Ю., Кошелев, В. И., Петкун, А. А.

Аннотация: С помощью разработанной программы, основанной на методе конечных разностей во временной области, подробно исследованы характеристики сверхширокополосных комбинированных антенн. Антенны были разработаны для излучения биполярных импульсов с длительностями, лежащими в диапазоне 0. 5-3 нс. Данные, полученные с помощью численного моделирования, сравнивались с данными экспериментальных исследований антенн, а также использовались при синтезе электромагнитных импульсов с максимальной напряженностью поля.

Джафарова, С. З.
Частотные и температурные характеристики поглощения акустических волн в кристаллах эпсилон-GaSe / С. З. Джафарова
// Известия вузов. Физика. - 2017. - Т. 60, № 12. - С. 87-91. - ISSN 0021-3411. - Режим доступа: https://elibrary.ru/contents.asp?issueid=1908340. - Библиогр.: c. 91 (6 назв. ). - рис.

Авторы: Джафарова, С. З.

Аннотация: Приводятся результаты измерений поглощения акустических волн в кристаллах эпсилон-GaSe. Поглощение продольной волны, распространяющейся перпендикулярно слоям (вдоль оси С6), квадратично зависит от частоты и практически не зависит от температуры, т. е. имеет ахиезеровский характер, хотя абсолютная величина поглощения существенно превосходит ожидаемые значения. При анализе частотных и температурных зависимостей поглощения пьезоактивных волн, распространяющихся вдоль слоев, вычитался вклад, обусловленный взаимодействием волн с носителями заряда. Обнаружено, что решеточное поглощение этих волн линейно зависит от частоты. Линейная частотная и при этом слабая температурная зависимость поглощения звука, характерные для добавочного сверхахиезеровского поглощения в стеклах, в данном случае могут быть следствием легкого образования в кристаллах GaSe различных политипов, отличающихся только взаимным положением слоев.