Кузнецов Ю. М.
RC-генератор на биполярном транзисторе. Практикум / Кузнецов Ю. М.,Хазанова С. В.,Королев Д. С. - Нижний Новгород : ННГУ им. Н. И. Лобачевского, 2024. - 19 с. - Рекомендовано методической комиссией физического факультета для студентов ННГУ, обучающихся по направлениям подготовки: 11.03.04 – «Электроника и наноэлектроника» 28.03.01 – «Нанотехнологии и микросистемная техника».

Авторы: Кузнецов Ю. М., Хазанова С. В., Королев Д. С.

Шифры:
Полочный: ЭБС ЛАНЬ
ББК: 22.379;

Аннотация: Настоящий практикум является частью цикла лабораторных работ, выполняемых на физическом факультете ННГУ в рамках курса «Теоретические основы электро- и радиотехники». Пособие посвящено описанию устройства и принципов работы RC-генератора на биполярном транзисторе.

Ансельм, А. И.
Введение в теорию полупроводников : учебное пособие для вузов / А. И. Ансельм. - 3-е изд. ; стер. - Санкт-Петербург ; Москва ; Краснодар : Лань, 2008. - 618 с. - (Классическая учебная литература по физике). - ISBN 9785811407620. - Текст : непосредственный.

Авторы: Ансельм А. И.

Шифры:
Полочный: 22.379
Авторский знак: А71
ББК: 22.379;

Экземпляры: Всего: 1, из них:
ФМФ и ТЭФ (пр.Пионерский,13) - свободно 1 из 1

Солимар, Л.
Лекции по электрическим свойствам материалов / Л. Солимар, Д. Уолш ; перевод с английского под редакцией С. И. Баскакова. - Москва : Мир, 1991. - 502 с. : ил. - ISBN 5-03-001934-0. - Текст : непосредственный.

Авторы: Солимар Л., Уолш Д., Баскаков С. И.

Шифры:
Полочный: 22.379
Авторский знак: С 60
ББК: 22.379;

Экземпляры: Всего: 2, из них:
ФМФ и ТЭФ (пр.Пионерский,13) - свободно 2 из 2

Вавилов, В. С.
Дефекты в кремнии и на его поверхности / В. С. Вавилов, В. Ф. Киселев Б. Н. Мукашев. - Москва : Наука, 1990. - 212 с. - (Физика полупроводников и полупроводниковых приборов). - Библиогр.: с. 190-212. - ISBN 5020140236. - Текст : непосредственный.

Авторы: Вавилов В. С.

Шифры:
Полочный: 22.379
Авторский знак: В 12
ББК: 22.379;

Экземпляры: Всего: 1, из них:
ФМФ и ТЭФ (пр.Пионерский,13) - свободно 1 из 1

Ридли.
Квантовые процессы в полупроводниках : перевод с английского. - Москва : Мир, 1986. - 304 с. : ил. - Библиогр.: с. 301. - Текст : непосредственный.

Авторы: Ридли

Шифры:
Полочный: 22.379
Авторский знак: Р 49
ББК: 22.379;

Экземпляры: Всего: 1, из них:
ФМФ и ТЭФ (пр.Пионерский,13) - свободно 1 из 1

Аскеров, Б. М.
Электронные явления переноса в полупроводниках. - Москва : Наука, 1985. - 318 с. - Библиогр.: с. 310-318. - ISBN XXXXXXXX. - Текст : непосредственный.

Авторы: Аскеров Б. М.

Шифры:
Полочный: 22.379
Авторский знак: А 90
ББК: 22.379;

Экземпляры: Всего: 1, из них:
ФМФ и ТЭФ (пр.Пионерский,13) - свободно 1 из 1

Уайт, Р.
Квантовая теория магнетизма / Р. Уайт ; перевод с английского М. А. Либермана ; под редакцией А. С. Боровика-Романова, Л. П. Питаевского. - Изд. 2-е ; испр. и доп. - Москва : Мир, 1985. - 304 с. : ил. - Библиогр.: с. 294-298. - ISBN XXXX-XXXX. - Текст : непосредственный.

Авторы: Уайт Р.

Шифры:
Полочный: 22.334
Авторский знак: У 13
ББК: 22.334;

Экземпляры: Всего: 1, из них:
ФМФ и ТЭФ (пр.Пионерский,13) - свободно 1 из 1

Фистуль, В.И.
Введение в физику полупроводников : учебник для студентов вузов. - Изд.2-е ; перераб. и доп. - Москва : Высшая школа, 1984. - 352 с. : ил. - Библиогр.: с. 346-348. - Текст : непосредственный.

Авторы: Фистуль В.И.

Шифры:
Полочный: 22.379
Авторский знак: Ф 63
ББК: 22.379;

Экземпляры: Всего: 1, из них:
ФМФ и ТЭФ (пр.Пионерский,13) - свободно 1 из 1

Фотоэлектрические явления : перевод с немецкого / И. Аут, Д. Генцов, К. Герман ; под ред. В. Л. Бонч-Бруевича. - Москва : Мир, 1980. - 208 с. - Библиогр.: с. 199-206. - ISBN XXXXXXXX. - Текст : непосредственный.

Авторы: Аут И., Генцов Д., Герман К., Бонч-Бруевич В. Л.

Шифры:
Полочный: 22.379
Авторский знак: А 93
ББК: 22.379;

Экземпляры: Всего: 1, из них:
ФМФ и ТЭФ (пр.Пионерский,13) - свободно 1 из 1

Буравихин, В. А.
Практикум по магнетизму : учебное пособие / В. А. Буравихин, В. Н. Шелковников, В. П. Карабанова. - Москва : Высшая школа, 1979. - 197 с. : ил. - Библиогр.: с. 193-194. - ISBN XXXXXXXX. - Текст : непосредственный.

Авторы: Буравихин В. А.

Шифры:
Полочный: 22.334
Авторский знак: Б 91
ББК: 22.334;

Экземпляры: Всего: 2, из них:
ФМФ и ТЭФ (пр.Пионерский,13) - свободно 2 из 2

Ансельман, А. И.
Введение в теорию полупроводников : учебное пособие для студентов вузов. - Изд. 2-е ; доп. и перераб. - Москва : Наука : Физматлит, 1978. - 615 с. : ил. - Текст : непосредственный.

Авторы: Ансельман А. И.

Шифры:
Полочный: 22.379
Авторский знак: А 71
ББК: 22.379;

Экземпляры: Всего: 2, из них:
ФМФ и ТЭФ (пр.Пионерский,13) - свободно 2 из 2

Бонч-Бруевич, В. Л.
Физика полупроводников : учебное пособие для вузов. - Москва : Наука, 1977. - 672 с. - Текст : непосредственный.

Авторы: Бонч-Бруевич В. Л.

Шифры:
Полочный: 22.379
Авторский знак: Б 81
ББК: 22.379;

Экземпляры: Всего: 1, из них:
Аб2 (пр.Пионерский,13) - свободно 1 из 1

Еремин, Н. И.
Магнетизм в технике. - Москва : Московский рабочий, 1959. - 96 с. : ил. - Библиогр.: с. 95. - ISBN XXXXXXXX. - Текст : непосредственный.

Авторы: Еремин Н. И., Елчин П.

Шифры:
Полочный: 22.334
Авторский знак: Е 70
ББК: 22.334;

Экземпляры: Всего: 1, из них:
ФМФ и ТЭФ (пр.Пионерский,13) - свободно 1 из 1

Проблемы физики полупроводников : сборник статей : пер. с англ. / под ред. В. Л. Бонч-Бруевича. - Москва : Издательство иностранной литературы, 1957. - 629 с. - Текст : непосредственный.

Шифры:
Полочный: 22.379
Авторский знак: П 78
ББК: 22.379;

Экземпляры: Всего: 1, из них:
хр (пр.Металлургов,19) - свободно 1 из 1

Вонсовский, С. В.
Ферромагнетизм : [монография] / С. В. Вонсовский, Я. С. Шур. - Москва ; Ленинград : ОГИЗ, 1948. - 816 с. : ил. - Библиогр.: с. 805-806. - ISBN XXXXXXXX. - Текст : непосредственный.

Авторы: Вонсовский С. В., Шур Я. С.

Шифры:
Полочный: 22.334
Авторский знак: В 73
ББК: 22.334;

Экземпляры: Всего: 1, из них:
ЧЗ2 (пр.Пионерский,13) - свободно 1 из 1

Скобелев, В. В.
Энтропия и теплоемкость вырожденного нейтронного газа в магнитном поле / В. В. Скобелев, В. П. Красин
// Известия вузов. Физика. - 2019. - Т. 62, № 3. - С. 48-52. - ISSN 0021-3411. - Режим доступа: https://elibrary.ru/contents.asp?titleid=7725. - Библиогр.: с. 52 (9 назв. ).

Авторы: Скобелев, В. В., Красин, В. П.

Аннотация: В неявном виде получены общие выражения зависимости энтропии вырожденного нейтронного газа в магнитном поле с учетом аномального магнитного момента (АММ) нейтронов от величины магнитного поля и концентрации, а также в графической форме представлена зависимость так называемой "приведенной энтропии" от поля при значении концентрации нейтронов см{-3}, типичной для нейтронных звезд. Сделаны и аналитические оценки применительно к возможной в нейтронных звездах величине поля Гс и этой концентрации нейтронов см{-3}, в том числе когда нейтронный газ близок к состоянию насыщения с преимущественной ориентацией АММ всех нейтронов по полю. Получено, что энтропия уменьшается с ростом поля по мере приближения нейтронного газа к состоянию насыщения, когда АММ всех нейтронов ориентированы по полю. Констатировано, что это согласуется со вторым началом термодинамики, так что эволюция нейтронных звезд-магнитаров, сопровождающаяся ростом поля, является в связи с этим маловероятной, независимо от причин, вызвавших появление магнитного поля. Найдена также теплоемкость вырожденного нейтронного газа, оказавшаяся формально равной, как и в отсутствие магнитного поля, энтропии. Таким образом, работа имеет методическое и, возможно, научное значение.

Сазонов, С. Н.
Энергия магнитного поля вращающегося заряженного сфероида / С. Н. Сазонов
// Физическое образование в вузах. - 2014. - Т. 20, № 4. - С. 29-35. - ISSN 1609-3143. - Библиогр.: с. 34 (5 назв.). - ил.

Авторы: Сазонов, С. Н.

Аннотация: Вычислен магнитный вклад в энергию поля вращающегося заряженного металлического сфероида.

Электрофизические свойства и определение импеданса тканей вестибулярного лабиринта / В. П. Демкин [и др.]
// Известия вузов. Физика. - 2018. - Т. 61, № 11. - С. 68-75. - ISSN 0021-3411. - Режим доступа: https://elibrary.ru/contents.asp?titleid=36517043. - Библиогр.: с. 74-75 (31 назв. ). - рис., табл.

Авторы: Демкин, В. П., Мельничук, С. В., Щетинин, П. П., Кингма, Г., Ван Де Берг, Р.

Аннотация: Предложена детализированная электрическая модель распространения тока через ткани вестибулярного лабиринта на основе анатомической структуры лабиринта, с учетом электрофизических свойств волосковых и базилярных клеток нейроэпителия. Получены формулы для импеданса вестибулярного органа и проведены расчеты фазовых смещений стимулирующего тока на основе экспериментальных данных об электрофизических и анатомических характеристиках тканей вестибулярного лабиринта морской свинки. Исследована дисперсия импеданса в интервале частот 10{1}-5? 10{4} Гц. Показано, что фазовое смещение тока по отношению к напряжению, приложенному между электродом и вестибулярным нервом, имеет немонотонный характер в зависимости от частоты. Минимальное отрицательное значение фазового смещения тока наблюдается при f = 200 Гц. Учет клеточных структур волосковых и базилярных клеток в электрической цепи показывает, что в рассматриваемом интервале частот они вносят существенный вклад в общий импеданс. Предложенная электрическая модель и результаты расчетов могут служить основой для диагностики заболеваний вестибулярного лабиринта и проектирования нового типа вестибулярных имплантов.

Хлудков, С. С.
Электрические, структурные и магнитные свойства арсенида галлия, легированного железом / С. С. Хлудков, И. А. Прудаев, О. П. Толбанов
// Известия вузов. Физика. - 2018. - Т. 61, № 3. - С. 82-88. - ISSN 0021-3411. - Режим доступа: https://elibrary.ru/contents.asp?issueid=2199341. - Библиогр.: c. 87-88 (40 назв. ). - рис.

Авторы: Хлудков, С. С., Прудаев, И. А., Толбанов, О. П.

Аннотация: Систематизированы данные по электрическим, структурным и магнитным свойствам арсенида галлия, легированного железом и полученного разными методами. Рассмотрены условия получения структур с магнитными свойствами.

Тагиев, М. М.
Электрические и гальваномагнитные свойства экструдированных образцов твердого раствора Bi[85]Sb[15] c примесями Pb и Te / М. М. Тагиев, Г. Д. Абдинова
// Известия вузов. Физика. - 2018. - Т. 61, № 11. - С. 170-173. - ISSN 0021-3411. - Режим доступа: https://elibrary.ru/contents.asp?titleid=36517043. - Библиогр.: с. 173 (18 назв. ). - рис., табл.

Авторы: Тагиев, М. М., Абдинова, Г. Д.

Аннотация: Изучено влияние примесей теллура на электропроводность (s), коэффициент Зеебека (альфа) и постоянную Холла R экструдированных образцов Bi[85]Sb[15] + 0. 001 ат. % Pb в диапазоне температур 77-300 К. Было обнаружено, что примеси теллура до 0. 001 ат. % компенсирующих акцепторных атомов Pb приводили к сильному затуханию электронной плотности и, следовательно, к увеличению Q, а значения альфа и R были значительно уменьшены. Полученные материалы могут быть использованы в качестве п-ветви термоэлементов, функционирующих при температурах ~ 77 К.